产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 25A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD600N25N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD600N25N3GBTMA1CT-ND
别名:IPD600N25N3 GCT
IPD600N25N3 GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2.4A(Tc) 22.3W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R2K0C6BTMA1
仓库库存编号:
IPD60R2K0C6BTMA1CT-ND
别名:IPD60R2K0C6CT
IPD60R2K0C6CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 1.7A(Tc) 18.1W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R3K3C6
仓库库存编号:
IPD60R3K3C6CT-ND
别名:IPD60R3K3C6CT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 5.7A(Tc) 48W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R750E6BTMA1
仓库库存编号:
IPD60R750E6BTMA1CT-ND
别名:IPD60R750E6BTMA1CT
IPD60R750E6CT
IPD60R750E6CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD038N04NGBTMA1
仓库库存编号:
IPD038N04NGBTMA1CT-ND
别名:IPD038N04N GCT
IPD038N04N GCT-ND
IPD038N04NG
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 115W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD053N06N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD053N06N3GBTMA1CT-ND
别名:IPD053N06N3 GCT
IPD053N06N3 GCT-ND
IPD053N06N3G
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 70A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD068P03L3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD068P03L3GBTMA1CT-ND
别名:IPD068P03L3 GCT
IPD068P03L3 GCT-ND
IPD068P03L3GBTMA1CT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 59A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD122N10N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD122N10N3GBTMA1CT-ND
别名:IPD122N10N3 GCT
IPD122N10N3 GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 43A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD180N10N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD180N10N3GBTMA1CT-ND
别名:IPD180N10N3 GCT
IPD180N10N3 GCT-ND
IPD180N10N3GBTMA1CT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 28A(Tc) 36W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD250N06N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD250N06N3GBTMA1CT-ND
别名:IPD250N06N3 GCT
IPD250N06N3 GCT-ND
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MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 21A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD530N15N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD530N15N3GBTMA1CT-ND
别名:IPD530N15N3 GCT
IPD530N15N3 GCT-ND
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MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 8.1A(Tc) 66W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R520C6BTMA1
仓库库存编号:
IPD60R520C6BTMA1CT-ND
别名:IPD60R520C6BTMA1CT
IPD60R520C6CT
IPD60R520C6CT-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.8A(Tc) 66W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R520CPBTMA1
仓库库存编号:
IPD60R520CPBTMA1CT-ND
别名:IPD60R520CPCT
IPD60R520CPCT-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.1A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600CPBTMA1
仓库库存编号:
IPD60R600CPBTMA1CT-ND
别名:IPD60R600CPCT
IPD60R600CPCT-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30N03S2L20GBTMA1
仓库库存编号:
SPD30N03S2L20GBTMA1CT-ND
别名:SPD30N03S2L-20 GCT
SPD30N03S2L-20 GCT-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD50N03S207GBTMA1
仓库库存编号:
SPD50N03S207GBTMA1CT-ND
别名:SPD50N03S2-07 GCT
SPD50N03S2-07 GCT-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4.3A(Tc) 34W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R950CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD50R950CEBTMA1CT-ND
别名:IPD50R950CEBTMA1CT
IPD50R950CEIN
IPD50R950CEIN-ND
IPD50R950CEINCT-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 13A(Tc) 92W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R280CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD50R280CEBTMA1CT-ND
别名:IPD50R280CEBTMA1CT
IPD50R280CEIN
IPD50R280CEIN-ND
IPD50R280CEINCT
IPD50R280CEINCT-ND
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Infineon Technologies
IGBT 600V 8A 75W TO252-3
详细描述:IGBT Trench 600V 8A 75W Surface Mount PG-TO252-3
型号:
IKD04N60RF
仓库库存编号:
IKD04N60RFCT-ND
别名:IKD04N60RFCT
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Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 600V 5.6A TO252-3
详细描述:碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 600V 5.6A PG-TO252-3
型号:
IDD04S60C
仓库库存编号:
IDD04S60CBUMA1CT-ND
别名:IDD04S60CCT
IDD04S60CCT-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 167W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD035N06L3GATMA1
仓库库存编号:
IPD035N06L3GATMA1CT-ND
别名:IPD035N06L3 GCT
IPD035N06L3 GCT-ND
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MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD053N08N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD053N08N3GBTMA1CT-ND
别名:IPD053N08N3 GCT
IPD053N08N3 GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 35A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD25CN10NGBUMA1
仓库库存编号:
IPD25CN10NGBUMA1CT-ND
别名:IPD25CN10N GCT
IPD25CN10N GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N06S2L-13
仓库库存编号:
IPD30N06S2L-13CT-ND
别名:IPD30N06S2L-13CT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N06S2L23ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N06S2L23ATMA1CT-ND
别名:IPD30N06S2L-23CT
IPD30N06S2L-23CT-ND
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