产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 7A(Tc) 40W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD07N20GBTMA1
仓库库存编号:
SPD07N20GBTMA1CT-ND
别名:SPD07N20 GCT
SPD07N20 GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600P6
仓库库存编号:
IPD60R600P6CT-ND
别名:IPD60R600P6CT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 13A(Tc) 119W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R280CEATMA1
仓库库存编号:
IPD50R280CEATMA1CT-ND
别名:IPD50R280CEATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R380P6BTMA1
仓库库存编号:
IPD60R380P6BTMA1CT-ND
别名:IPD60R380P6BTMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-T0252
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4.3A(Tc) 53W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R950CEATMA1
仓库库存编号:
IPD50R950CEATMA1CT-ND
别名:IPD50R950CEATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 7.6A(Tc) 57W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R500CEATMA1
仓库库存编号:
IPD50R500CEATMA1CT-ND
别名:IPD50R500CEATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.8A(Tc) 66W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R520CPATMA1
仓库库存编号:
IPD60R520CPATMA1-ND
别名:SP000680640
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.1A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600CPATMA1
仓库库存编号:
IPD60R600CPATMA1-ND
别名:SP000680642
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD04N60S5BTMA1
仓库库存编号:
SPD04N60S5BTMA1-ND
别名:SP000313946
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R380E6BTMA1
仓库库存编号:
IPD60R380E6BTMA1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO252-3,
不适用
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R380E6ATMA2
仓库库存编号:
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