产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-7-3,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(34)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(34)
筛选品牌
Infineon Technologies (34)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB009N03L G
仓库库存编号:
IPB009N03L GCT-ND
别名:IPB009N03L GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-7-3,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB011N04L G
仓库库存编号:
IPB011N04L GCT-ND
别名:IPB011N04L GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-7-3,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 160A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB160N04S4H1ATMA1
仓库库存编号:
IPB160N04S4H1ATMA1CT-ND
别名:IPB160N04S4H1ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-7-3,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N04S400ATMA1
仓库库存编号:
IPB180N04S400ATMA1CT-ND
别名:IPB180N04S400ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-7-3,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N10S402ATMA1
仓库库存编号:
IPB180N10S402ATMA1CT-ND
别名:IPB180N10S402ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-7-3,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 160A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB160N04S3-H2
仓库库存编号:
IPB160N04S3H2ATMA1CT-ND
别名:IPB160N04S3-H2CT
IPB160N04S3-H2CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-7-3,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 160A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB160N04S203ATMA4
仓库库存编号:
IPB160N04S203ATMA4CT-ND
别名:IPB160N04S203ATMA4CT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-7-3,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 140A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB020N04N G
仓库库存编号:
IPB020N04N GCT-ND
别名:IPB020N04N GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-7-3,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N04S401ATMA1
仓库库存编号:
IPB180N04S401ATMA1CT-ND
别名:IPB180N04S401ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-7-3,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB011N04NGATMA1
仓库库存编号:
IPB011N04NGATMA1CT-ND
别名:IPB011N04NGATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-7-3,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N04S4H0ATMA1
仓库库存编号:
IPB180N04S4H0ATMA1CT-ND
别名:IPB180N04S4H0ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-7-3,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 P 沟道 180A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180P04P4L02ATMA1
仓库库存编号:
IPB180P04P4L02ATMA1CT-ND
别名:IPB180P04P4L02ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-7-3,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB160N04S4LH1ATMA1
仓库库存编号:
IPB160N04S4LH1ATMA1-ND
别名:SP000979640
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-7-3,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 180A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N03S4L01ATMA1
仓库库存编号:
IPB180N03S4L01ATMA1TR-ND
别名:IPB180N03S4L-01
IPB180N03S4L-01-ND
SP000555002
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-7-3,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-7
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 180A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180P04P403ATMA1
仓库库存编号:
IPB180P04P403ATMA1-ND
别名:SP000840202
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-7-3,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 180A(Tc) 188W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N04S4L01ATMA1
仓库库存编号:
IPB180N04S4L01ATMA1-ND
别名:SP000979928
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-7-3,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 140A(Tc) 161W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB140N08S404ATMA1
仓库库存编号:
IPB140N08S404ATMA1-ND
别名:SP000989102
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-7-3,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 240A(Tc) 231W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB240N04S41R0ATMA1
仓库库存编号:
IPB240N04S41R0ATMA1-ND
别名:SP000998288
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-7-3,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 160A(Tc) 208W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB160N08S403ATMA1
仓库库存编号:
IPB160N08S403ATMA1-ND
别名:SP000989092
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-7-3,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 240A(Tc) 231W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB240N03S4LR9ATMA1
仓库库存编号:
IPB240N03S4LR9ATMA1-ND
别名:SP000932012
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-7-3,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N03S4LH0ATMA1
仓库库存编号:
IPB180N03S4LH0ATMA1TR-ND
别名:IPB180N03S4L-H0
IPB180N03S4L-H0-ND
SP000555050
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-7-3,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N04S4LH0ATMA1
仓库库存编号:
IPB180N04S4LH0ATMA1-ND
别名:SP000979636
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-7-3,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 180A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N04S3-02
仓库库存编号:
IPB180N04S302ATMA1CT-ND
别名:IPB180N04S3-02CT
IPB180N04S3-02CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-7-3,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N06S4H1ATMA2
仓库库存编号:
IPB180N06S4H1ATMA2-ND
别名:SP001028786
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-7-3,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 240A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB240N03S4LR8ATMA1
仓库库存编号:
IPB240N03S4LR8ATMA1-ND
别名:SP000952928
产品分类:分立半导体产品,规格:供应商器件封装 PG-TO263-7-3,
无铅
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号