产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 -,
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Powerex Inc.
SCR PHASE CTRL DSC 3300A 3200V
详细描述:SCR Standard Recovery
型号:
TDK4323302DH
仓库库存编号:
TDK4323302DH-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 -,
无铅
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Powerex Inc.
SCR PHASE CTRL DSC 3300A 3400V
详细描述:SCR Standard Recovery
型号:
TDK4343302DH
仓库库存编号:
TDK4343302DH-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 -,
无铅
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Semtech Corporation
DIODE GEN PURP 1KV 15A
详细描述:标准 二极管 1000V 15A
型号:
ISOPAC1203
仓库库存编号:
ISOPAC1203-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 -,
无铅
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Semtech Corporation
DIODE GEN PURP 150V 15A
详细描述:标准 二极管 150V 15A
型号:
ISOPAC1211
仓库库存编号:
ISOPAC1211-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 -,
无铅
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M/A-Com Technology Solutions
TRANSISTOR GAN DC-1200MHZ 200W
详细描述:RF Mosfet HEMT 28V 1.4A 900MHz 18.3dB 53dBm
型号:
NPT1007B
仓库库存编号:
1465-1772-ND
别名:1465-1772
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 -,
无铅
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Infineon Technologies
SMALL SIGNAL+P-CH
型号:
BSP612PH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP612PH6327XTSA1-ND
别名:SP001098612
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 -,
无铅
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Infineon Technologies
MODULES POWER DRIVERS
详细描述:Power Driver Module
型号:
IRSM636-015MATR
仓库库存编号:
IRSM636-015MATRTR-ND
别名:IRSM636-015MA
IRSM636-015MA-ND
IRSM636-015MATR-ND
IRSM636-015MATRTR
SP001543370
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 -,
无铅
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Infineon Technologies
MODULES POWER DRIVERS
详细描述:Power Driver Module
型号:
IRSM636-015MBTR
仓库库存编号:
IRSM636-015MBTRTR-ND
别名:IRSM636-015MBTRTR
SP001547060
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 -,
无铅
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Infineon Technologies
MODULES POWER DRIVERS
详细描述:Power Driver Module
型号:
IRSM636-015MB
仓库库存编号:
IRSM636-015MB-ND
别名:SP001539614
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 -,
无铅
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Infineon Technologies
POWER DRIVER MOD 600V 8A LFRAME
详细描述:Power Driver Module IGBT 3 Phase 600V 8A
型号:
IRAM538-0865A
仓库库存编号:
IRAM538-0865A-ND
别名:SP001533500
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 -,
无铅
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Infineon Technologies
POWER DRIVER MOD 600V 10A LFRAME
详细描述:Power Driver Module IGBT 3 Phase 600V 10A
型号:
IRAM538-1065A
仓库库存编号:
IRAM538-1065A-ND
别名:SP001544404
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 -,
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Infineon Technologies
IC AMP RF LDMOS
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 900mA 2.69GHz 18dB 28W
型号:
PTFC261402FCV1R250XTMA1
仓库库存编号:
PTFC261402FCV1R250XTMA1-ND
别名:SP001022268
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 -,
无铅
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Infineon Technologies
IC AMP RF LDMOS H-37248-4
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 900mA 2.69GHz 18dB 28W
型号:
PTFC261402FCV1R0XTMA1
仓库库存编号:
PTFC261402FCV1R0XTMA1-ND
别名:SP001400534
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 -,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH DPAK
详细描述:MOSFET N-CH DPAK
型号:
STD150N2LH5
仓库库存编号:
STD150N2LH5-ND
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 8SOIC
详细描述:Mosfet Array
型号:
STS1DNF20
仓库库存编号:
STS1DNF20-ND
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 2.2A SUPERMESH
详细描述:MOSFET N-CH 620V 2.2A SUPERMESH
型号:
STQ2N62K3-AP
仓库库存编号:
STQ2N62K3-AP-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 -,
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STMicroelectronics
TRANS 4NPN DARL 50V 1.8A 16DIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN Darlington (Quad) 50V 1.8A 1W Through Hole 16-PowerDIP
型号:
L6221AS
仓库库存编号:
497-1429-5-ND
别名:497-1429-5
E-L6221AS
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 -,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS 8NPN DARL 90V 0.4A 18DIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 90V 400mA 1.8W Through Hole 18-DIP
型号:
L603C
仓库库存编号:
497-3639-ND
别名:497-3639
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 -,
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STMicroelectronics
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA
型号:
E-ULQ2003A
仓库库存编号:
497-4609-5-ND
别名:497-4609-5
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 -,
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STMicroelectronics
TRANS 8NPN DARL 90V 0.4A 18DIP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 90V 400mA 1.8W
型号:
L604C
仓库库存编号:
497-6702-5-ND
别名:497-6702-5
L604C-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 -,
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IXYS
IGBT E9PACK
详细描述:IGBT Module Chassis Mount
型号:
MWI451-17E9
仓库库存编号:
MWI451-17E9-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 -,
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STMicroelectronics
TRANS NPN
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN
型号:
BULB903EDT4
仓库库存编号:
BULB903EDT4-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 -,
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Panasonic Electronic Components
DIODE ARRAY GP 40V 100MA
详细描述:Diode Array 2 Pair Series Connection Standard 40V 100mA (DC) Surface Mount
型号:
MA6X1250GL
仓库库存编号:
MA6X1250GL-ND
别名:Q5021191
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 -,
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WeEn Semiconductors
TRIAC SC73
详细描述:TRIAC SC73
型号:
OT386,127
仓库库存编号:
OT386,127-ND
别名:934058082127
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 -,
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Microsemi Corporation
DIODE BRIDGE 450V-900V
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 900V 10A Through Hole
型号:
VJ447M
仓库库存编号:
VJ447M-ND
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