产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 80V 24A 8-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Ta),76A(Tc) 3.2W(Ta),125W(Tc) Dual Cool?56
型号:
FDMS86300DC
仓库库存编号:
FDMS86300DCFSCT-ND
别名:FDMS86300DCFSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),104W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS7650
仓库库存编号:
FDMS7650CT-ND
别名:FDMS7650CT
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Ta) 3.3W(Ta),125W(Tc) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD19531Q5AT
仓库库存编号:
296-37749-1-ND
别名:296-37749-1
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
库存产品核实请求
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 60V 29A 8-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 29A(Ta),108A(Tc) 3.2W(Ta),125W(Tc) Dual Cool?56
型号:
FDMS86500DC
仓库库存编号:
FDMS86500DCFSCT-ND
别名:FDMS86500DCFSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 19A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Ta),80A(Tc) 2.5W(Ta),104W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS86300
仓库库存编号:
FDMS86300CT-ND
别名:FDMS86300CT
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 100V 16A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta),60A(Tc) 2.7W(Ta),156W(Tc) Power56
型号:
FDMS86150
仓库库存编号:
FDMS86150CT-ND
别名:FDMS86150CT
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Ta) 3.1W(Ta),195W(Tc) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD18509Q5BT
仓库库存编号:
296-37962-1-ND
别名:296-37962-1
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Ta) 3.2W(Ta),195W(Tc) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD16570Q5BT
仓库库存编号:
296-38335-1-ND
别名:296-38335-1
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.5A(Ta),60A(Tc) 3.2W(Ta),125W(Tc) Dual Cool?56
型号:
FDMS86101DC
仓库库存编号:
FDMS86101DCCT-ND
别名:FDMS86101DCCT
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 8-MLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta),45A(Tc) 2.7W(Ta),113W(Tc) Power56
型号:
FDMS86255
仓库库存编号:
FDMS86255CT-ND
别名:FDMS86255CT
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 23A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta),23A(Tc) 2.1W(Ta),32W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ340N08NS3 G
仓库库存编号:
BSZ340N08NS3GINCT-ND
别名:BSZ340N08NS3GINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 39A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta),39A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC120N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC120N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC120N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC120N03MSGINCT
BSC120N03MSGINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 23A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta),23A(Tc) 2.5W(Ta),32W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC340N08NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC340N08NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC340N08NS3 GCT
BSC340N08NS3 GCT-ND
BSC340N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta),35A(Tc) 2.1W(Ta),25W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ130N03LS G
仓库库存编号:
BSZ130N03LSGINCT-ND
别名:BSZ130N03LSGINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 10.6A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Ta) 1.23W(Ta) PowerDI5060-8
型号:
DMT6016LPS-13
仓库库存编号:
DMT6016LPS-13DICT-ND
别名:DMT6016LPS-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta),49A(Tc) 2.5W(Ta),35W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC093N04LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC093N04LSGATMA1CT-ND
别名:BSC093N04LS GCT
BSC093N04LS GCT-ND
BSC093N04LSGATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 73A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta),73A(Tc) 3W(Ta) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD17307Q5A
仓库库存编号:
296-25857-1-ND
别名:296-25857-1
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),35W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ097N04LS G
仓库库存编号:
BSZ097N04LSGINCT-ND
别名:BSZ097N04LSGINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 81A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta),81A(Tc) 2.5W(Ta),57W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC054N04NSGATMA1
仓库库存编号:
BSC054N04NSGATMA1CT-ND
别名:BSC054N04NS GCT
BSC054N04NS GCT-ND
BSC054N04NSGATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.3A(Ta),18A(Tc) 29W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ440N10NS3 G
仓库库存编号:
BSZ440N10NS3 GINCT-ND
别名:BSZ440N10NS3 GINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 39A(Ta),58A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC050NE2LS
仓库库存编号:
BSC050NE2LSCT-ND
别名:BSC050NE2LSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 65A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta),65A(Tc) 3W(Ta) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD17507Q5A
仓库库存编号:
296-27791-1-ND
别名:296-27791-1
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta),80A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC050N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC050N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC050N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC050N03LSGINCT
BSC050N03LSGINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),50A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC100N06LS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC100N06LS3GATMA1CT-ND
别名:BSC100N06LS3 GCT
BSC100N06LS3 GCT-ND
BSC100N06LS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 8-PowerTDFN,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 17A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta),57A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC052N03LS
仓库库存编号:
BSC052N03LSCT-ND
别名:BSC052N03LSCT
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