产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 85A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），85A（Tc） 2.5W（Ta），57W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC050N04LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC050N04LSGATMA1CT-ND
别名：BSC050N04LS GCT
BSC050N04LS GCT-ND
BSC050N04LSGATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Tc） 2.5W（Ta），36W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC097N06NSATMA1
仓库库存编号：
BSC097N06NSATMA1CT-ND
别名：BSC097N06NSATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 56A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），56A（Tc） 2.7W（Ta） 8-VSON（3.3x3.3）
型号：
CSD17304Q3
仓库库存编号：
296-27509-1-ND
别名：296-27509-1
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC110N06NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC110N06NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC110N06NS3 GCT
BSC110N06NS3 GCT-ND
BSC110N06NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 40V 8.5A POWER
详细描述：表面贴装 P 沟道 8.5A（Ta） 1.3W（Ta） PowerDI5060-8
型号：
DMP4015SPSQ-13
仓库库存编号：
DMP4015SPSQ-13DICT-ND
别名：DMP4015SPSQ-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.8A（Ta），16.5A（Tc） 2.5W（Ta），31W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS8622
仓库库存编号：
FDMS8622CT-ND
别名：FDMS8622CT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 13.5A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ086P03NS3E G
仓库库存编号：
BSZ086P03NS3E GCT-ND
别名：BSZ086P03NS3E GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），55A（Tc） 2.5W（Ta），66W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC123N08NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC123N08NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC123N08NS3 GCT
BSC123N08NS3 GCT-ND
BSC123N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC076N06NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC076N06NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC076N06NS3 GCT
BSC076N06NS3 GCT-ND
BSC076N06NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ040N04LSGATMA1
仓库库存编号：
BSZ040N04LSGATMA1CT-ND
别名：BSZ040N04LSGINCT
BSZ040N04LSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 87A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），87A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD17302Q5A
仓库库存编号：
296-25854-1-ND
别名：296-25854-1
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC030N04NSGATMA1
仓库库存编号：
BSC030N04NSGATMA1CT-ND
别名：BSC030N04NS GCT
BSC030N04NS GCT-ND
BSC030N04NSGATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 30A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），136A（Tc） 3.1W（Ta）, 64W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4C03NT1G
仓库库存编号：
NTMFS4C03NT1GOSCT-ND
别名：NTMFS4C03NT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC035N04LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC035N04LSGATMA1CT-ND
别名：BSC035N04LS GCT
BSC035N04LS GCT-ND
BSC035N04LSGATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC0902NSI
仓库库存编号：
BSC0902NSICT-ND
别名：BSC0902NSICT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.8A（Ta），42A（Tc） 60W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC160N10NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC160N10NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC160N10NS3 GINCT
BSC160N10NS3 GINCT-ND
BSC160N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），50A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC067N06LS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC067N06LS3GATMA1CT-ND
别名：BSC067N06LS3 GINCT
BSC067N06LS3 GINCT-ND
BSC067N06LS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Ta），45A（Tc） 78W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC196N10NSGATMA1
仓库库存编号：
BSC196N10NSGATMA1CT-ND
别名：BSC196N10NS GCT
BSC196N10NS GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 65A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 65A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD17527Q5A
仓库库存编号：
296-29021-1-ND
别名：296-29021-1
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V SYNCFET POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），42A（Tc） 2.5W（Ta），46W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS7672AS
仓库库存编号：
FDMS7672ASCT-ND
别名：FDMS7672ASCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），100A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD17510Q5A
仓库库存编号：
296-27792-1-ND
别名：296-27792-1
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC025N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC025N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC025N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC025N03LSGINCT
BSC025N03LSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 68A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），71A（Tc） 3.6W（Ta）, 61W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS5C670NLT1G
仓库库存编号：
NTMFS5C670NLT1GOSCT-ND
别名：NTMFS5C670NLT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 57W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ520N15NS3 G
仓库库存编号：
BSZ520N15NS3 GCT-ND
别名：BSZ520N15NS3 GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 13.1A (Ta), 47.6A (Tc) 2.8W Surface Mount PowerDI5060-8
型号：
DMTH6010LPD-13
仓库库存编号：
DMTH6010LPD-13DICT-ND
别名：DMTH6010LPD-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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