产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），100A（Tc） 156W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC046N10NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC046N10NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC046N10NS3GATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 87A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 87A（Tc） 139W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC093N15NS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC093N15NS5ATMA1CT-ND
别名：BSC093N15NS5ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 49A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9W（Ta），200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C404NT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C404NT1GOSCT-ND
别名：NVMFS5C404NT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 19A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），132A（Tc） 3.4W（Ta），165W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS6B03NT1G
仓库库存编号：
NTMFS6B03NT1GOSCT-ND
别名：NTMFS6B03NT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 14A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），28A（Tc） 2.5W（Ta），27W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS7692
仓库库存编号：
FDMS7692CT-ND
别名：FDMS7692CT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），35W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ105N04NS G
仓库库存编号：
BSZ105N04NSGINCT-ND
别名：BSZ105N04NSGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），44A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC100N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC100N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC100N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC100N03MSGINCT
BSC100N03MSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 53A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），53A（Tc） 2.5W（Ta），35W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC080N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC080N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC080N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC080N03LSGINCT
BSC080N03LSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.9A（Ta），31A（Tc） 2.1W（Ta），25W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ165N04NS G
仓库库存编号：
BSZ165N04NSGINCT-ND
别名：BSZ165N04NSGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.9A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.9A（Ta） 770mW（Ta），33W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4C05NT1G
仓库库存编号：
NTMFS4C05NT1GOSCT-ND
别名：NTMFS4C05NT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），26W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ065N03LS
仓库库存编号：
BSZ065N03LSCT-ND
别名：BSZ065N03LSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），78A（Tc） 2.5W（Ta），37W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC0904NSI
仓库库存编号：
BSC0904NSICT-ND
别名：BSC0904NSICT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），50W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ050N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSZ050N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSZ050N03LSGINCT
BSZ050N03LSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 93A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），93A（Tc） 2.5W（Ta），57W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC042N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC042N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC042N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC042N03LSGINCT
BSC042N03LSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），48W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ0902NS
仓库库存编号：
BSZ0902NSCT-ND
别名：BSZ0902NSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 25A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC024NE2LS
仓库库存编号：
BSC024NE2LSCT-ND
别名：BSC024NE2LSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），60A（Tc） 2.6W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD16409Q3
仓库库存编号：
296-24253-1-ND
别名：296-24253-1
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC030N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC030N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC030N03LS GCT
BSC030N03LS GCT-ND
BSC030N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC030N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC030N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC030N03MSG+F30INCT
BSC030N03MSG+F30INCT-ND
BSC030N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC030N03MSGINCT
BSC030N03MSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ035N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSZ035N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSZ035N03LSGATMA1CT
BSZ035N03LSGINCT
BSZ035N03LSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 34W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC22DN20NS3 G
仓库库存编号：
BSC22DN20NS3 GCT-ND
别名：BSC22DN20NS3 GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 14.5A POWERDI
详细描述：表面贴装 P 沟道 14.5A（Ta） 2.18W（Ta） PowerDI5060-8
型号：
DMP3010LPS-13
仓库库存编号：
DMP3010LPS-13DICT-ND
别名：DMP3010LPS-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta），40A（Tc） 78W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC265N10LSFGATMA1
仓库库存编号：
BSC265N10LSFGATMA1CT-ND
别名：BSC265N10LSFGATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Diodes Incorporated
DIODE SBR 50V 20A POWERDI5060-8
详细描述：超级势垒 表面贴装 二极管 20A PowerDI5060-8
型号：
SBRT20U50SLPQ-13
仓库库存编号：
SBRT20U50SLPQ-13DICT-ND
别名：SBRT20U50SLPQ-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），80A（Tc） 2.8W（Ta），48W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC046N02KS G
仓库库存编号：
BSC046N02KS GCT-ND
别名：BSC046N02KS GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerTDFN,
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