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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, HIGH EFFICIENT
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V Through Hole DBL
  
  型号：HDBL102G C1G
  仓库库存编号：HDBL102G C1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 4-DIP（0.300"，7.62mm）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, HIGH EFFICIENT
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V Through Hole DBL
  
  型号：HDBL103G C1G
  仓库库存编号：HDBL103G C1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 4-DIP（0.300"，7.62mm）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, HIGH EFFICIENT
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V Through Hole DBL
  
  型号：HDBL104G C1G
  仓库库存编号：HDBL104G C1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 4-DIP（0.300"，7.62mm）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, HIGH EFFICIENT
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole DBL
  
  型号：HDBL105G C1G
  仓库库存编号：HDBL105G C1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 4-DIP（0.300"，7.62mm）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, HIGH EFFICIENT
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V Through Hole DBL
  
  型号：HDBL106G C1G
  仓库库存编号：HDBL106G C1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 4-DIP（0.300"，7.62mm）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, HIGH EFFICIENT
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V Through Hole DBL
  
  型号：HDBL107G C1G
  仓库库存编号：HDBL107G C1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 4-DIP（0.300"，7.62mm）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 2A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V Through Hole DBL
  
  型号：DBL205GHC1G
  仓库库存编号：DBL205GHC1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 4-DIP（0.300"，7.62mm）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 2A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V Through Hole DBL
  
  型号：DBL206GHC1G
  仓库库存编号：DBL206GHC1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 4-DIP（0.300"，7.62mm）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 2A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V Through Hole DBL
  
  型号：DBL207GHC1G
  仓库库存编号：DBL207GHC1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 4-DIP（0.300"，7.62mm）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 2A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1200V Through Hole DBL
  
  型号：DBL208GHC1G
  仓库库存编号：DBL208GHC1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 4-DIP（0.300"，7.62mm）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 2A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1400V Through Hole DBL
  
  型号：DBL209GHC1G
  仓库库存编号：DBL209GHC1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 4-DIP（0.300"，7.62mm）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 450mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD214PBF
  仓库库存编号：IRFD214PBF-ND
  别名：*IRFD214PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 4-DIP（0.300"，7.62mm）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 630mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD224PBF
  仓库库存编号：IRFD224PBF-ND
  别名：*IRFD224PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 4-DIP（0.300"，7.62mm）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 630mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD224
  仓库库存编号：IRFD224-ND
  别名：*IRFD224
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 4-DIP（0.300"，7.62mm）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 800mA（Tc） 1W（Tc） 4-HVMDIP
  
  型号：IRFD113PBF
  仓库库存编号：IRFD113PBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 4-DIP（0.300"，7.62mm）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 450mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD214
  仓库库存编号：IRFD214-ND
  别名：*IRFD214
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 4-DIP（0.300"，7.62mm）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP
  详细描述：通孔 P 沟道 1.1A（Tc） 1W（Tc） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD9010
  仓库库存编号：IRFD9010-ND
  别名：*IRFD9010
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 4-DIP（0.300"，7.62mm）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD024
  仓库库存编号：IRFD024-ND
  别名：*IRFD024
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 4-DIP（0.300"，7.62mm）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-DIP
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 560mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD9220
  仓库库存编号：IRFD9220-ND
  别名：*IRFD9220
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 4-DIP（0.300"，7.62mm）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD110
  仓库库存编号：IRFD110-ND
  别名：*IRFD110
  IRFD111
  IRFD112
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 4-DIP（0.300"，7.62mm）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 600MA 4-DIP
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 600mA（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD9113
  仓库库存编号：IRFD9113-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 4-DIP（0.300"，7.62mm）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 600mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD210
  仓库库存编号：IRFD210-ND
  别名：*IRFD210
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 4-DIP（0.300"，7.62mm）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 700mA（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD9110
  仓库库存编号：IRFD9110-ND
  别名：*IRFD9110
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 4-DIP（0.300"，7.62mm）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD9120
  仓库库存编号：IRFD9120-ND
  别名：*IRFD9120
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 4-DIP（0.300"，7.62mm）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 1.3A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD120
  仓库库存编号：IRFD120-ND
  别名：*IRFD120
  IRFD121
  IRFD122
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 4-DIP（0.300"，7.62mm）,
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