产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 4-DIP(0.300",7.62mm),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(121)
二极管 - 桥式整流器
(63)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(58)
筛选品牌
Central Semiconductor Corp (5)
ON Semiconductor (1)
Taiwan Semiconductor Corporation (57)
Vishay Siliconix (58)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 200V 800mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD220
仓库库存编号:
IRFD220-ND
别名:*IRFD220
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 4-DIP(0.300",7.62mm),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 200V 400mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9210
仓库库存编号:
IRFD9210-ND
别名:*IRFD9210
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 4-DIP(0.300",7.62mm),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 1.3A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRLD120
仓库库存编号:
IRLD120-ND
别名:*IRLD120
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 4-DIP(0.300",7.62mm),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 1.7A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRLD014
仓库库存编号:
IRLD014-ND
别名:*IRLD014
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 4-DIP(0.300",7.62mm),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 2.5A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRLD024
仓库库存编号:
IRLD024-ND
别名:*IRLD024
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 4-DIP(0.300",7.62mm),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 1A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRLD110
仓库库存编号:
IRLD110-ND
别名:*IRLD110
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 4-DIP(0.300",7.62mm),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 50V 1.7A(Tc) 1W(Tc) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD010
仓库库存编号:
IRFD010-ND
别名:*IRFD010
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 4-DIP(0.300",7.62mm),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 1.7A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD014
仓库库存编号:
IRFD014-ND
别名:*IRFD014
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 4-DIP(0.300",7.62mm),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 350MA 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 400V 350mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD310
仓库库存编号:
IRFD310-ND
别名:*IRFD310
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 4-DIP(0.300",7.62mm),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 490MA 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 400V 490mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD320
仓库库存编号:
IRFD320-ND
别名:*IRFD320
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 4-DIP(0.300",7.62mm),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 370MA 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 500V 370mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD420
仓库库存编号:
IRFD420-ND
别名:*IRFD420
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 4-DIP(0.300",7.62mm),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 60V 1.1A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9014
仓库库存编号:
IRFD9014-ND
别名:*IRFD9014
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 4-DIP(0.300",7.62mm),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 60V 1.6A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9020
仓库库存编号:
IRFD9020-ND
别名:*IRFD9020
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 4-DIP(0.300",7.62mm),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 60V 1.6A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9024
仓库库存编号:
IRFD9024-ND
别名:*IRFD9024
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 4-DIP(0.300",7.62mm),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 320MA 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 320mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFDC20
仓库库存编号:
IRFDC20-ND
别名:*IRFDC20
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 4-DIP(0.300",7.62mm),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 50V 1.7A(Tc) 1W(Tc) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD010PBF
仓库库存编号:
IRFD010PBF-ND
别名:*IRFD010PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 4-DIP(0.300",7.62mm),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 1A HEXDIP
详细描述:通孔 P 沟道 100V 1A(Ta) 4-HVMDIP
型号:
IRFD9123PBF
仓库库存编号:
IRFD9123PBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 4-DIP(0.300",7.62mm),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 800mA(Tc) 1W(Tc) 4-HVMDIP
型号:
IRFD113
仓库库存编号:
IRFD113-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 4-DIP(0.300",7.62mm),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 250V 450mA(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD213
仓库库存编号:
IRFD213-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 4-DIP(0.300",7.62mm),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 100V 1A(Ta) 4-HVMDIP
型号:
IRFD9123
仓库库存编号:
IRFD9123-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 4-DIP(0.300",7.62mm),
含铅
搜索
ON Semiconductor
BRIDGE RECT 1A 600V 4DIP
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 1A Through Hole
型号:
DBD10G-E
仓库库存编号:
DBD10G-EOSCT-ND
别名:DBD10G-EOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 4-DIP(0.300",7.62mm),
无铅
搜索
1
2
3
4
5
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号