产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 312W(Tc) TO-3PN
型号:
GP1M020A050N
仓库库存编号:
1560-1191-5-ND
别名:1560-1191-1
1560-1191-1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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Global Power Technologies Group
IGBT 1200V 30A 212W TO3PN
详细描述:IGBT NPT and Trench Through Hole TO-3PN
型号:
GPA015A120MN-ND
仓库库存编号:
1560-1215-5-ND
别名:1560-1215-1
1560-1215-1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 900V 10A(Tc) 312W(Tc) TO-3PN
型号:
GP1M010A080N
仓库库存编号:
GP1M010A080N-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 20A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 600V 20A(Tc) 347W(Tc) TO-3P
型号:
GP1M020A060M
仓库库存编号:
GP1M020A060M-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 600V 20A(Tc) 347W(Tc) TO-3PN
型号:
GP1M020A060N
仓库库存编号:
GP1M020A060N-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 900V 9A(Tc) 312W(Tc) TO-3PN
型号:
GP2M009A090NG
仓库库存编号:
GP2M009A090NG-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 500V 20A(Tc) 312W(Tc) TO-3PN
型号:
GP2M020A050N
仓库库存编号:
GP2M020A050N-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 500V 23A(Tc) 347W(Tc) TO-3PN
型号:
GP2M023A050N
仓库库存编号:
GP2M023A050N-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 900V 9.5A(Tc) 312W(Tc) TO-3PN
型号:
GP1M009A090N
仓库库存编号:
1560-1174-5-ND
别名:1560-1174-1
1560-1174-1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 600V 16A(Tc) 312W(Tc) TO-3PN
型号:
GP1M016A060N
仓库库存编号:
1560-1188-5-ND
别名:1560-1188-1
1560-1188-1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 500V 23A(Tc) 347W(Tc) TO-3PN
型号:
GP1M023A050N
仓库库存编号:
1560-1192-5-ND
别名:1560-1192-1
1560-1192-1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 900V 11A(Tc) 416W(Tc) TO-3PN
型号:
GP2M011A090NG
仓库库存编号:
1560-1209-5-ND
别名:1560-1209-1
1560-1209-1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
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MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 800V 12A(Tc) 416W(Tc) TO-3PN
型号:
GP2M012A080NG
仓库库存编号:
1560-1211-5-ND
别名:1560-1211-1
1560-1211-1-ND
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MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
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别名:1560-1214-1
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