产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 650V 120A 600W TO3P
详细描述:IGBT Field Stop 650V 120A 600W Through Hole TO-3PN
型号:
FGA60N65SMD
仓库库存编号:
FGA60N65SMDFS-ND
别名:FGA60N65SMD-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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Sanken
TRANS PNP 180V 15A TO-3P
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 180V 15A 20MHz 130W Through Hole TO-3P
型号:
2SA1492
仓库库存编号:
2SA1492-ND
别名:2SA1492 DK
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 50A 312W TO3P
详细描述:IGBT NPT and Trench 1200V 50A 312W Through Hole TO-3P
型号:
FGA25N120ANTDTU
仓库库存编号:
FGA25N120ANTDTU-ND
别名:FGA25N120ANTDTU_NL
FGA25N120ANTDTU_NL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 48A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 48A(Tc) 625W(Tc) TO-3PN
型号:
FDA50N50
仓库库存编号:
FDA50N50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 30A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 290W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA30N40
仓库库存编号:
FQA30N40-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 60A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 1040W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ60N50P3
仓库库存编号:
IXFQ60N50P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 62A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 62A(Tc) 298W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA62N25C
仓库库存编号:
FQA62N25CFS-ND
别名:FQA62N25C-ND
FQA62N25CFS
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 70A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 214W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA70N10
仓库库存编号:
FQA70N10-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 59A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 59A(Tc) 392W(Tc) TO-3PN
型号:
FDA59N25
仓库库存编号:
FDA59N25-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 130A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 360W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ130N10T
仓库库存编号:
IXTQ130N10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 70A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 330W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA70N15
仓库库存编号:
FQA70N15-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 28A(Tc) 310W(Tc) TO-3PN
型号:
FDA28N50F
仓库库存编号:
FDA28N50F-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 40A 298W TO3PN
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 40A 298W Through Hole TO-3P
型号:
FGA20N120FTDTU
仓库库存编号:
FGA20N120FTDTUFS-ND
别名:FGA20N120FTDTU-ND
FGA20N120FTDTUFS
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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Sanken
TRANS PNP DARL 120V 25A TO3P
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 120V 25A 50MHz 120W Through Hole TO-3P
型号:
2SB1383
仓库库存编号:
2SB1383-ND
别名:2SB1383 DK
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 1000V 8A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 225W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA8N100C
仓库库存编号:
FQA8N100CFS-ND
别名:FQA8N100C-ND
FQA8N100CFS
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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Sanken
TRANS NPN 150V 14A TO-3PF
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 14A 60MHz 80W Through Hole TO-3PF
型号:
2SC4886
仓库库存编号:
2SC4886-ND
别名:2SC4886 DK
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 120A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-3PN
型号:
FDA032N08
仓库库存编号:
FDA032N08-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 180A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 180A(Tc) 480W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ180N10T
仓库库存编号:
IXTQ180N10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 52A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 52A(Tc) 400W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ52N30P
仓库库存编号:
IXTQ52N30P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 28A(Tc) 310W(Tc) TO-3PN
型号:
FDA28N50
仓库库存编号:
FDA28N50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 60A 339W TO3P
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 60A 339W Through Hole TO-3PN
型号:
FGA30N120FTDTU
仓库库存编号:
FGA30N120FTDTU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3P(N)
详细描述:通孔 N 沟道 38.8A(Ta) 270W(Tc) TO-3P(N)
型号:
TK39J60W5,S1VQ
仓库库存编号:
TK39J60W5S1VQ-ND
别名:TK39J60W5,S1VQ(O
TK39J60W5S1VQ
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 170A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 170A(Tc) 375W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA170N06
仓库库存编号:
FQA170N06-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
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STMicroelectronics
IGBT 600V 120A 469W TO-3P
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 120A 469W Through Hole TO-3P
型号:
STGWT80V60DF
仓库库存编号:
497-14563-5-ND
别名:497-14563-5
STGWT80V60DF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
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STMicroelectronics
IGBT 600V 120A 469W TO-3P
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 120A 469W Through Hole TO-3P
型号:
STGWT80V60F
仓库库存编号:
497-15142-5-ND
别名:497-15142-5
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3,
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