以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 100V 18LCC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 3.5A（Tc） 800mW（Ta），15W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：2N6782U
  仓库库存编号：2N6782U-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 18-BQFN 裸露焊盘,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 18LCC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.25A（Tc） 800mW（Ta），15W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：2N6784U
  仓库库存编号：2N6784U-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 18-BQFN 裸露焊盘,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 100V 18LCC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.5A（Tc） 800mW（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：2N6788U
  仓库库存编号：2N6788U-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 18-BQFN 裸露焊盘,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 18LCC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 2.8A（Tc） 800mW（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：2N6790U
  仓库库存编号：2N6790U-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 18-BQFN 裸露焊盘,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 100V 18LCC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 8A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：2N6796U
  仓库库存编号：2N6796U-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 18-BQFN 裸露焊盘,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 18LCC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：2N6798U
  仓库库存编号：2N6798U-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 18-BQFN 裸露焊盘,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 400V 18LCC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 3A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：2N6800U
  仓库库存编号：2N6800U-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 18-BQFN 裸露焊盘,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 18LCC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：2N6802U
  仓库库存编号：2N6802U-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 18-BQFN 裸露焊盘,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET P-CH 100V 18-LCC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：2N6849U
  仓库库存编号：2N6849U-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 18-BQFN 裸露焊盘,
• 含铅
• 搜索