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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 9A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Tc） 70W（Tc） PowerFLAT?（5x5）
  
  型号：STL11N65M5
  仓库库存编号：497-15261-1-ND
  别名：497-15261-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Ta），22.5A（Tc） 2.8W（Ta），189W（Tc） PowerFLAT?（8x8）
  
  型号：STL57N65M5
  仓库库存编号：497-13520-1-ND
  别名：497-13520-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），56A（Tc） 2.7W（Ta） 8-VSON（3.3x3.3）
  
  型号：CSD16411Q3
  仓库库存编号：296-24255-1-ND
  别名：296-24255-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 20V 76A 8SON
  详细描述：表面贴装 P 沟道 76A（Tc） 2.8W（Ta），69W（Tc） 8-VSON（3.3x3.3）
  
  型号：CSD25402Q3A
  仓库库存编号：296-38916-1-ND
  别名：296-38916-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 12A PPAK CHIPFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） 8-PowerPak? ChipFet（3x1.9）
  
  型号：SI5476DU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5476DU-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5476DU-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• STMicroelectronics
  DIODE SCHOTTKY 100V 30A POWRFLAT
  详细描述：肖特基 表面贴装 二极管 30A PowerFLAT（6x5）
  
  型号：STPS30H100DJF-TR
  仓库库存编号：497-15671-1-ND
  别名：497-15671-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• STMicroelectronics
  MOSFET 2N-CH 30V 65A POWERFLAT
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 65A 60W Surface Mount PowerFlat? (5x6)
  
  型号：STL65DN3LLH5
  仓库库存编号：497-10881-1-ND
  别名：497-10881-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• STMicroelectronics
  DIODE SCHOTTKY 60V 30A POWERFLAT
  详细描述：肖特基 表面贴装 二极管 30A PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STPS30M60DJF-TR
  仓库库存编号：497-12421-1-ND
  别名：497-12421-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• STMicroelectronics
  DIODE SCHOTTKY 120V 30A POWRFLAT
  详细描述：肖特基 表面贴装 二极管 30A PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STPS30120DJF-TR
  仓库库存编号：497-10101-1-ND
  别名：497-10101-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 60A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 1.6W（Ta），78W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPHR9003NL,L1Q
  仓库库存编号：TPHR9003NLL1QCT-ND
  别名：TPHR9003NL,L1QCT
  TPHR9003NL,L1QCT-ND
  TPHR9003NLL1QCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• STMicroelectronics
  DIODE SCHOTTKY 170V 30A POWRFLAT
  详细描述：肖特基 表面贴装 二极管 30A PowerFlat?（6x5）
  
  型号：STPS30170DJF-TR
  仓库库存编号：497-10344-1-ND
  别名：497-10344-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 140A PWRFLAT5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 140A（Tc） 80W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL140N4LLF5
  仓库库存编号：497-10879-1-ND
  别名：497-10879-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• STMicroelectronics
  TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 7.5V 50mA 500MHz 20dB 3W PowerFLAT? (5x5)
  
  型号：PD54003L-E
  仓库库存编号：497-6470-1-ND
  别名：497-6470-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） 8-PowerPak? ChipFet（3x1.9）
  
  型号：SI5419DU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5419DU-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5419DU-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV
  详细描述：表面贴装 P 沟道 36A（Tc） 42W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN4R712MD,L1Q
  仓库库存编号：TPN4R712MDL1QCT-ND
  别名：TPN4R712MDL1QCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 1.6W（Ta），34W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH11006NL,LQ
  仓库库存编号：TPH11006NLLQCT-ND
  别名：TPH11006NLLQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 12A 8VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 2.6W（Ta） 8-SON（3.3x3.3）
  
  型号：CSD17551Q3A
  仓库库存编号：296-35025-1-ND
  别名：296-35025-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 4.8W（Ta），57W（Tc） PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）
  
  型号：SISS27DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SISS27DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SISS27DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 4.8W（Ta），57W（Tc） PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）
  
  型号：SISS23DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SISS23DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SISS23DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），20A（Tc） 2.1W（Ta），50W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ100N06LS3 G
  仓库库存编号：BSZ100N06LS3GINCT-ND
  别名：BSZ100N06LS3GINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.4A（Tc） 700mW（Ta），27W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN3300ANH,LQ
  仓库库存编号：TPN3300ANHLQCT-ND
  别名：TPN3300ANHLQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 13.5A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ086P03NS3 G
  仓库库存编号：BSZ086P03NS3 GCT-ND
  别名：BSZ086P03NS3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 15A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），60A（Tc） 2.6W（Ta） 8-SON（3.3x3.3）
  
  型号：CSD17552Q3A
  仓库库存编号：296-34990-1-ND
  别名：296-34990-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 26W Surface Mount PG-TDSON-8
  
  型号：BSC150N03LD G
  仓库库存编号：BSC150N03LD GCT-ND
  别名：BSC150N03LD GCT
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 40A 1212-8S
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40A（Tc） 4.8W（Ta），57W（Tc） PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）
  
  型号：SI7655ADN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7655ADN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7655ADN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 8-PowerVDFN,
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