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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 100A 1042W TMAX
  详细描述：IGBT PT 1200V 100A 1042W Through Hole
  
  型号：APT75GP120B2G
  仓库库存编号：APT75GP120B2G-ND
  别名：APT75GP120B2GMI
  APT75GP120B2GMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
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• IXYS
  IGBT 3600V 70A TO-247HV
  详细描述：IGBT 3600V 70A 430W Through Hole TO-247HV
  
  型号：IXBH20N360HV
  仓库库存编号：IXBH20N360HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 100A 833W TMAX
  详细描述：IGBT PT 600V 100A 833W Through Hole
  
  型号：APT65GP60B2G
  仓库库存编号：APT65GP60B2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 113A 625W TMAX
  详细描述：IGBT PT 1200V 113A 625W Through Hole
  
  型号：APT45GP120B2DQ2G
  仓库库存编号：APT45GP120B2DQ2G-ND
  别名：APT45GP120B2DQ2GMI
  APT45GP120B2DQ2GMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 95A（Tc） 833W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT94N65B2C6
  仓库库存编号：APT94N65B2C6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 106A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 106A（Tc） 833W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT106N60B2C6
  仓库库存编号：APT106N60B2C6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 780W（Tc） T-MAX?
  
  型号：APT56M50B2
  仓库库存编号：APT56M50B2-ND
  别名：APT56M50B2MI
  APT56M50B2MI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
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• IXYS
  THYRISTOR MOS 1500V 40A TO247+HV
  详细描述：SCR 1500V Standard Recovery Through Hole TO-247HV
  
  型号：IXHX40N150V1HV
  仓库库存编号：IXHX40N150V1HV-ND
  别名：631203
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT29F100B2
  仓库库存编号：APT29F100B2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
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• IXYS
  THYRISTOR MOS 1500V 40A TO-247HV
  详细描述：SCR 1500V Standard Recovery Through Hole TO-247HV
  
  型号：IXHH40N150HV
  仓库库存编号：IXHH40N150HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 245A 960W TMAX
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 245A 960W Through Hole
  
  型号：APT100GN120B2G
  仓库库存编号：APT100GN120B2G-ND
  别名：APT100GN120B2GMI
  APT100GN120B2GMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 229A 625W TMAX
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 229A 625W Through Hole
  
  型号：APT100GN60B2G
  仓库库存编号：APT100GN60B2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 417W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT34N80B2C3G
  仓库库存编号：APT34N80B2C3G-ND
  别名：APT34N80B2C3GMI
  APT34N80B2C3GMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 100A 543W TMAX
  详细描述：IGBT PT 600V 100A 543W Through Hole
  
  型号：APT40GP60B2DQ2G
  仓库库存编号：APT40GP60B2DQ2G-ND
  别名：APT40GP60B2DQ2GMP
  APT40GP60B2DQ2GMP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 520W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT5010B2FLLG
  仓库库存编号：APT5010B2FLLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT24M120B2
  仓库库存编号：APT24M120B2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 96A 543W TMAX
  详细描述：IGBT PT 1200V 96A 543W Through Hole
  
  型号：APT35GP120B2DQ2G
  仓库库存编号：APT35GP120B2DQ2G-ND
  别名：APT35GP120B2DQ2GMI
  APT35GP120B2DQ2GMI-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 70A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT66F60B2
  仓库库存编号：APT66F60B2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
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  MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT37M100B2
  仓库库存编号：APT37M100B2-ND
  别名：APT37M100B2MI
  APT37M100B2MI-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 780W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT43M60B2
  仓库库存编号：APT43M60B2-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 780W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT43F60B2
  仓库库存编号：APT43F60B2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
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  2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
  详细描述：通孔 N 沟道 400mA（Tc） 104W（Tc） TO-247HV
  
  型号：IXTH04N300P3HV
  仓库库存编号：IXTH04N300P3HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
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  MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO247HV
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Tc） 113W（Tc） TO-247HV
  
  型号：IXTH02N450HV
  仓库库存编号：IXTH02N450HV-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
• 不受无铅要求限制
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 23A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT22F120B2
  仓库库存编号：APT22F120B2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 31A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 565W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT8024B2LLG
  仓库库存编号：APT8024B2LLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
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