产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 148A 500W SOT247
详细描述：IGBT NPT 600V 148A 500W Through Hole
型号：
APT100GT60B2RG
仓库库存编号：
APT100GT60B2RG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 500V 75A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX?
型号：
APT75M50B2
仓库库存编号：
APT75M50B2-ND
别名：APT75M50B2MI
APT75M50B2MI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 32A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT31M100B2
仓库库存编号：
APT31M100B2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 800V 41A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT38F80B2
仓库库存编号：
APT38F80B2-ND
别名：APT38F80B2MI
APT38F80B2MI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 900V 101A 543W TMAX
详细描述：IGBT PT 900V 101A 543W Through Hole
型号：
APT40GP90B2DQ2G
仓库库存编号：
APT40GP90B2DQ2G-ND
别名：APT40GP90B2DQ2GMI
APT40GP90B2DQ2GMI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 84A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 84A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT84F50B2
仓库库存编号：
APT84F50B2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 600V 70A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT66M60B2
仓库库存编号：
APT66M60B2-ND
别名：APT66M60B2MI
APT66M60B2MI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 75A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 75A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT75F50B2
仓库库存编号：
APT75F50B2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 800V 49A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT48M80B2
仓库库存编号：
APT48M80B2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 106A 694W TO-247
详细描述：IGBT NPT 1200V 106A 694W Through Hole
型号：
APT50GT120B2RDLG
仓库库存编号：
APT50GT120B2RDLG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 135A 781W TMAX
详细描述：IGBT NPT 1200V 135A 781W Through Hole
型号：
APT50GF120B2RG
仓库库存编号：
APT50GF120B2RG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 800V 47A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT44F80B2
仓库库存编号：
APT44F80B2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 35A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT34F100B2
仓库库存编号：
APT34F100B2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 27A（Tc） 1135W（Tc） T-MAX?
型号：
APT26F120B2
仓库库存编号：
APT26F120B2-ND
别名：APT26F120B2MI
APT26F120B2MI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 650V 94A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 94A（Tc） 833W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT94N65B2C3G
仓库库存编号：
APT94N65B2C3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 500V 67A（Tc） 694W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT50M65B2LLG
仓库库存编号：
APT50M65B2LLG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 600V 54A（Tc） 690W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT6010B2LLG
仓库库存编号：
APT6010B2LLG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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IXYS
IGBT 4500V 30A TO-247HV
详细描述：IGBT PT 4500V 60A 430W Through Hole TO-247HV
型号：
IXYH30N450HV
仓库库存编号：
IXYH30N450HV-ND
别名：Q9720435
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 28A（Tc） 690W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT10035B2FLLG
仓库库存编号：
APT10035B2FLLG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 800V 38A（Tc） 694W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT8020B2LLG
仓库库存编号：
APT8020B2LLG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 22A（Tc） 690W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT12057B2FLLG
仓库库存编号：
APT12057B2FLLG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 500V 58A（Tc） 730W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APL502B2G
仓库库存编号：
APL502B2G-ND
别名：APL502B2GMI
APL502B2GMI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 49A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 600V 49A（Tc） 730W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APL602B2G
仓库库存编号：
APL602B2G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 28A（Tc） 690W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT10035B2LLG
仓库库存编号：
APT10035B2LLG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 625W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT10M09B2VFRG
仓库库存编号：
APT10M09B2VFRG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 TO-247-3 变式,
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