产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 SP6,
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Microsemi Corporation
MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P
详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 139A 390W Chassis Mount SP6-P
型号：
APTM10TAM09FPG
仓库库存编号：
APTM10TAM09FPG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 SP6,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 570A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 100V 570A（Tc） 1660W（Tc） SP6
型号：
APTM10UM02FAG
仓库库存编号：
APTM10UM02FAG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 SP6,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 200V 300A SP6
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 200V 300A 1250W Chassis Mount SP6
型号：
APTM20AM06SG
仓库库存编号：
APTM20AM06SG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 SP6,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 220A 690W Chassis Mount SP6
型号：
APTGT150H120G
仓库库存编号：
APTGT150H120G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 SP6,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP6
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700V 340A 1250W Chassis Mount SP6
型号：
APTGT225A170G
仓库库存编号：
APTGT225A170G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 SP6,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Dual, Common Source 1700V 340A 1250W Chassis Mount SP6
型号：
APTGT225DU170G
仓库库存编号：
APTGT225DU170G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 SP6,
无铅
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Microsemi Corporation
POWER MODULE IGBT 600V 350A SP6
详细描述：IGBT Module NPT Half Bridge 600V 430A 1562W Chassis Mount SP6
型号：
APTGF350A60G
仓库库存编号：
APTGF350A60G-ND
别名：APTGF350A60GMI
APTGF350A60GMI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 SP6,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1700V 150A 560W Chassis Mount SP6
型号：
APTGT100H170G
仓库库存编号：
APTGT100H170G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 SP6,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 417A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 200V 417A（Tc） 1560W（Tc） SP6
型号：
APTM20UM04SAG
仓库库存编号：
APTM20UM04SAG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 SP6,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P
详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 1200V (1.2kV) 17A 390W Chassis Mount SP6-P
型号：
APTM120TDU57PG
仓库库存编号：
APTM120TDU57PG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 SP6,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 6N-CH 200V 104A SP6-P
详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 200V 104A 390W Chassis Mount SP6-P
型号：
APTM20TAM16FPG
仓库库存编号：
APTM20TAM16FPG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 SP6,
无铅
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Microsemi Corporation
PWR MOD IGBT4 650V 600A SP6
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge 650V 600A 1000W Through Hole SP6
型号：
APTGLQ300H65G
仓库库存编号：
APTGLQ300H65G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 SP6,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 495A 1250W Chassis Mount SP6
型号：
APTM10DUM02G
仓库库存编号：
APTM10DUM02G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 SP6,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 430A 1150W Chassis Mount SP6
型号：
APTGT300H60G
仓库库存编号：
APTGT300H60G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 SP6,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P
详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 500V 51A 390W Chassis Mount SP6-P
型号：
APTM50TAM65FPG
仓库库存编号：
APTM50TAM65FPG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 SP6,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Dual, Common Source 600V 700A 2300W Chassis Mount SP6
型号：
APTGT600DU60G
仓库库存编号：
APTGT600DU60G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 SP6,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 200V 317A 1136W Chassis Mount SP6
型号：
APTM20DUM05G
仓库库存编号：
APTM20DUM05G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 SP6,
无铅
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Microsemi Corporation
PWR MOD IGBT4 650V 1200A SP6
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 650V 1200A 2000W Through Hole SP6
型号：
APTGLQ600A65T6G
仓库库存编号：
APTGLQ600A65T6G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 SP6,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 65A 1250W Chassis Mount SP6
型号：
APTM100A13DG
仓库库存编号：
APTM100A13DG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 SP6,
无铅
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Microsemi Corporation
PWR MOD IGBT4 1200V 350A SP6
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge 1200V 350A 1000W Chassis Mount SP6
型号：
APTGLQ200H120G
仓库库存编号：
APTGLQ200H120G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 SP6,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 50A 1250W Chassis Mount SP6
型号：
APTM120A20DG
仓库库存编号：
APTM120A20DG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：封装/外壳 SP6,
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Microsemi Corporation
PWR MOD IGBT4 1200V 700A SP6
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 700A 1900W Through Hole SP6
型号：
APTGLQ400A120T6G
仓库库存编号：
APTGLQ400A120T6G-ND
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 280A 890W Chassis Mount SP6
型号：
APTGT200H120G
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APTGT200H120G-ND
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Microsemi Corporation
MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P
详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP6-P
型号：
APTM100TA35FPG
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APTM100TA35FPG-ND
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IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP6
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 560A 1785W Chassis Mount SP6
型号：
APTGT400A120G
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