产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
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Renesas Electronics America
TRIAC 1500V 20A
详细描述:TRIAC Standard 1500V (1.5kV) Through Hole TO-3PFM
型号:
BCR20RM-30LA#B00
仓库库存编号:
BCR20RM-30LA#B00-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 75A 200W TO-247
详细描述:IGBT Trench Through Hole TO-247
型号:
RJH60D5BDPQ-E0#T2
仓库库存编号:
RJH60D5BDPQ-E0#T2-ND
别名:RJH60D5BDPQE0T2
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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Renesas Electronics America
TRIAC 600V 30A TO3P
详细描述:TRIAC Standard 600V Through Hole TO-3P
型号:
BCR30AM-12LB#B00
仓库库存编号:
BCR30AM-12LB#B00-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1317-E
仓库库存编号:
2SK1317-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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Renesas Electronics America
TRIAC 600V 40A
详细描述:TRIAC Standard 600V Through Hole TO-3PFM
型号:
BCR40RM-12LB#B00
仓库库存编号:
BCR40RM-12LB#B00-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 25A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Ta) 150W(Ta) TO-3P
型号:
RJK5015DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJK5015DPK-00#T0-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V 80A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Ta) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
RJK1001DPP-E0#T2
仓库库存编号:
RJK1001DPP-E0#T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 90A 300W TO3P
详细描述:IGBT Trench Through Hole TO-3P
型号:
RJH60D7DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJH60D7DPK-00#T0-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 25A TO3PFM
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Ta) 60W(Tc) TO-3PFM
型号:
RJK5015DPM-00#T1
仓库库存编号:
RJK5015DPM-00#T1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 85A 297.6W TO247A
详细描述:IGBT Trench Through Hole TO-247A
型号:
RJH60F6DPQ-A0#T0
仓库库存编号:
RJH60F6DPQ-A0#T0-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 90A 300W TO-3P
详细描述:IGBT Trench Through Hole TO-3P
型号:
RJH60D7ADPK-00#T0
仓库库存编号:
RJH60D7ADPK-00#T0-ND
别名:RJH60D7ADPK00T0
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 1500V 4A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Ta) 125W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1835-E
仓库库存编号:
2SK1835-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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Renesas Electronics America
DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO220FP
详细描述:肖特基 表面贴装 二极管 600V 10A(DC) TO-220FP
型号:
RJS6004TDPP-EJ#T2
仓库库存编号:
RJS6004TDPP-EJ#T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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Renesas Electronics America
DIODE SCHOTTKY 600V 15A TO220FP
详细描述:肖特基 通孔 二极管 600V 15A(DC) TO-220FP-2L
型号:
RJS6005TDPP-EJ#T2
仓库库存编号:
RJS6005TDPP-EJ#T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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DIODE GEN PURP 600V 20A
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 600V 10A (DC) Through Hole TO-220-3 Full Pack
型号:
RJS6004WDPK-00#T0
仓库库存编号:
RJS6004WDPK-00#T0-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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DIODE GEN PURP 600V 30A
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 600V 15A (DC) Through Hole TO-3P-3, SC-65-3
型号:
RJS6005WDPK-00#T0
仓库库存编号:
RJS6005WDPK-00#T0-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 40A(Ta) 20W(Tc) LFPAK
型号:
HAT2096H-EL-E
仓库库存编号:
HAT2096H-EL-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
含铅
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MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Ta) 30W(Tc) LFPAK
型号:
HAT2099H-EL-E
仓库库存编号:
HAT2099H-EL-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Ta) 15W(Tc) LFPAK
型号:
HAT2116H-EL-E
仓库库存编号:
HAT2116H-EL-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P
详细描述:通孔 P 沟道 160V 7A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
型号:
2SJ162-E
仓库库存编号:
2SJ162-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 160V 7A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1058-E
仓库库存编号:
2SK1058-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 200V 8A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 200V 8A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
型号:
2SK2221-E
仓库库存编号:
2SK2221-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 2A 4-UPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2A(Ta) 1W(Ta) UPAK
型号:
2SK2315TYTR-E
仓库库存编号:
2SK2315TYTR-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 15A 4LDPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 15A(Ta) 50W(Tc) 4-LDPAK
型号:
HAF1002-90STL-E
仓库库存编号:
HAF1002-90STL-E-ND
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Renesas Electronics America
MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5A 3W Surface Mount 8-SOP
型号:
HAT2038R-EL-E
仓库库存编号:
HAT2038R-EL-E-ND
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