产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 82A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 82A(Tc) 1.8W(Ta),143W(Tc) TO-263
型号:
NP82N04PDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP82N04PDG-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 75V 84A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 84A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-263
型号:
NP84N075KUE-E1-AY
仓库库存编号:
NP84N075KUE-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 88A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 40V 88A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
NP88N04NUG-S18-AY
仓库库存编号:
NP88N04NUG-S18-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 88A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 88A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-263
型号:
NP88N055KUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP88N055KUG-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 75V 88A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 88A(Tc) 1.8W(Ta),288W(Tc) TO-263
型号:
NP88N075KUE-E1-AY
仓库库存编号:
NP88N075KUE-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 75V 88A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 75V 88A(Tc) 1.8W(Ta),288W(Tc) TO-220-3
型号:
NP88N075MUE-S18-AY
仓库库存编号:
NP88N075MUE-S18-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 90A TO-263
详细描述:通孔 N 沟道 40V 90A(Tc) 1.8W(Ta),217W(Tc) TO-220-3
型号:
NP90N04MUG-S18-AY
仓库库存编号:
NP90N04MUG-S18-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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TRIAC 600V 5A TO220FL
详细描述:TRIAC Standard 600V 5A Through Hole TO-220FL
型号:
BCR5LM-12LB#B00
仓库库存编号:
BCR5LM-12LB#B00-ND
别名:BCR5LM12LBB00
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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IGBT 1100V 60A 250W TO247
详细描述:IGBT 1100V 60A 250W Through Hole TO-247-3
型号:
RJH1BF7RDPQ-80#T2
仓库库存编号:
RJH1BF7RDPQ-80#T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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IGBT 1200V 55A 227.2W TO247
详细描述:IGBT 1200V 55A 227.2W Through Hole TO-247-3
型号:
RJH1CF6RDPQ-80#T2
仓库库存编号:
RJH1CF6RDPQ-80#T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 1200V 60A 250W TO247
详细描述:IGBT 1200V 60A 250W Through Hole TO-247-3
型号:
RJH1CF7RDPQ-80#T2
仓库库存编号:
RJH1CF7RDPQ-80#T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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IGBT 600V 45A 140W TO3P
详细描述:IGBT Trench 600V 45A 140W Through Hole TO-3P
型号:
RJH60D0DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJH60D0DPK-00#T0-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
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IGBT 600V 45A 40W TO3PFM
详细描述:IGBT Trench 600V 45A 40W Through Hole TO-3PFM
型号:
RJH60D0DPM-00#T1
仓库库存编号:
RJH60D0DPM-00#T1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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IGBT 600V 20A 20.8W TO220FL
详细描述:IGBT Trench 600V 20A 30W Through Hole TO-220FL
型号:
RJH60D1DPP-M0#T2
仓库库存编号:
RJH60D1DPP-M0#T2-ND
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IGBT 600V 75A 200W TO3P
详细描述:IGBT Trench 600V 75A 200W Through Hole TO-3P
型号:
RJH60D5DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJH60D5DPK-00#T0-ND
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IGBT 600V 75A 45W TO3PFM
详细描述:IGBT Trench 600V 75A 45W Through Hole TO-3PFM
型号:
RJH60D5DPM-00#T1
仓库库存编号:
RJH60D5DPM-00#T1-ND
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IGBT 600V 80A 260W TO3P
详细描述:IGBT Trench 600V 80A 260W Through Hole TO-3P
型号:
RJH60D6DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJH60D6DPK-00#T0-ND
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IGBT 600V 90A 55W TO3PFM
详细描述:IGBT Trench 600V 90A 55W Through Hole TO-3PFM
型号:
RJH60D7DPM-00#T1
仓库库存编号:
RJH60D7DPM-00#T1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
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IGBT 600V 80A 260.4W TO247A
详细描述:IGBT Trench 600V 80A 260.4W Through Hole TO-247A
型号:
RJH60F5DPQ-A0#T0
仓库库存编号:
RJH60F5DPQ-A0#T0-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
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TRIAC 600V 3A MP3A
详细描述:TRIAC Standard 600V 3A Surface Mount MP-3A
型号:
BCR3AS-12A-T13#B00
仓库库存编号:
BCR3AS-12A-T13#B00CT-ND
别名:BCR3AS-12A-T13#B00CT
BCR3AS12AT13B00
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MOSFET N-CH TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 1.2W(Ta),105W(Tc) TO-252
型号:
NP90N04VUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP90N04VUG-E1-AYCT-ND
别名:NP90N04VUG-E1-AYCT
NP90N04VUGE1AY
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MOSFET P-CH 20V 20A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 20A(Tc) 1W(Ta),36W(Tc) TO-252(MP-3ZK)
型号:
2SJ687-ZK-E1-AY
仓库库存编号:
2SJ687-ZK-E1-AYCT-ND
别名:2SJ687-ZK-E1-AYCT
2SJ687ZKE1AY
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MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 110A(Tc) 1.5W(Ta),213W(Tc) TO-263
型号:
2SK3811-ZP-E1-AY
仓库库存编号:
2SK3811-ZP-E1-AYCT-ND
别名:2SK3811-ZP-E1-AYCT
2SK3811ZPE1AY
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MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 82A(Tc) 1.5W(Ta),104W(Tc) TO-263
型号:
2SK3943-ZP-E1-AY
仓库库存编号:
2SK3943-ZP-E1-AYCT-ND
别名:2SK3943-ZP-E1-AYCT
2SK3943ZPE1AY
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MOSFET P-CH 40V 100A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 100A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-263
型号:
NP100P04PLG-E1-AY
仓库库存编号:
NP100P04PLG-E1-AYTR-ND
别名:NP100P04PLG-E1-AY-ND
NP100P04PLG-E1-AYTR
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