产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 0.4A MP3A
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 400mA(Ta) 27.2W(Tc) MP-3A
型号:
RJK6024DPD-00#J2
仓库库存编号:
RJK6024DPD-00#J2CT-ND
别名:RJK6024DPD-00#J2CT
RJK6024DPD00J2
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 1A MP3A
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 1A(Ta) 29.7W(Tc) MP-3A
型号:
RJK6025DPD-00#J2
仓库库存编号:
RJK6025DPD-00#J2CT-ND
别名:RJK6025DPD-00#J2CT
RJK6025DPD00J2
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
含铅
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Renesas Electronics America
TRIAC 600V 5A MP3A
详细描述:TRIAC Standard 600V 5A Surface Mount MP-3A
型号:
BCR5AS-12A-T13#B00
仓库库存编号:
BCR5AS-12A-T13#B00CT-ND
别名:BCR5AS-12A-T13#B00CT
BCR5AS12AT13B00
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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Renesas Electronics America
THYRISTR SCR 400V 10A 3-PIN TO92
详细描述:SCR 400V 470mA Sensitive Gate Through Hole TO-92-3
型号:
CR02AM-8#F00
仓库库存编号:
CR02AM-8#F00-ND
别名:Q7028464
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 40A 178.5W TO-3P
详细描述:IGBT Trench 600V 40A 178.5W Through Hole TO-3P
型号:
RJH60F3DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJH60F3DPK-00#T0-ND
别名:RJH60F3DPK00T0
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 60A 235.8W TO-3P
详细描述:IGBT Trench 600V 60A 235.8W Through Hole TO-3P
型号:
RJH60F4DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJH60F4DPK-00#T0-ND
别名:RJH60F4DPK00T0
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 25A 63W LDPAK
详细描述:IGBT Trench 600V 25A 63W Surface Mount 4-LDPAK
型号:
RJH60D2DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJH60D2DPE-00#J3CT-ND
别名:RJH60D2DPE-00#J3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 80A 45W TO-3PFM
详细描述:IGBT Trench 600V 80A 45W Through Hole TO-3PFM
型号:
RJP60F5DPM-00#T1
仓库库存编号:
RJP60F5DPM-00#T1-ND
别名:RJP60F5DPM00T1
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 45A 40W TO-3PFM
详细描述:IGBT 600V 45A 40W Through Hole TO-3PFM
型号:
RJP60D0DPM-00#T1
仓库库存编号:
RJP60D0DPM-00#T1-ND
别名:RJP60D0DPM00T1
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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IGBT 600V 50A 122W LDPAK
详细描述:IGBT Trench 600V 50A 122W Surface Mount 4-LDPAK
型号:
RJP60F0DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJP60F0DPE-00#J3-ND
别名:RJP60F0DPE00J3
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 25A 63W LDPAK
详细描述:IGBT Trench 600V 25A 63W Surface Mount 4-LDPAK
型号:
RJH60M2DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJH60M2DPE-00#J3CT-ND
别名:RJH60M2DPE-00#J3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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IGBT 600V 35A 113W LDPAK
详细描述:IGBT Trench 600V 35A 113W Surface Mount 4-LDPAK
型号:
RJH60M3DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJH60M3DPE-00#J3CT-ND
别名:RJH60M3DPE-00#J3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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IGBT 600V 16A 30W TO-220FL
详细描述:IGBT Trench 600V 16A 30W Through Hole TO-220FL
型号:
RJH60V1BDPP-M0#T2
仓库库存编号:
RJH60V1BDPP-M0#T2-ND
别名:RJH60V1BDPPM0T2
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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IGBT 600V 25A 63W LDPAK
详细描述:IGBT Trench 600V 25A 63W Surface Mount 4-LDPAK
型号:
RJH60V2BDPE-00#J3
仓库库存编号:
RJH60V2BDPE-00#J3CT-ND
别名:RJH60V2BDPE-00#J3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
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IGBT 600V 35A 113W LDPAK
详细描述:IGBT Trench 600V 35A 113W Surface Mount 4-LDPAK
型号:
RJH60V3BDPE-00#J3
仓库库存编号:
RJH60V3BDPE-00#J3CT-ND
别名:RJH60V3BDPE-00#J3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
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IGBT 600V 30A 113W LDPAK
详细描述:IGBT Trench 600V 30A 113W Surface Mount 4-LDPAK
型号:
RJH60A85RDPE-00#J3
仓库库存编号:
RJH60A85RDPE-00#J3CT-ND
别名:RJH60A85RDPE-00#J3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
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IGBT 600V 16A 52W LDPAK
详细描述:IGBT Trench 600V 16A 52W Surface Mount 4-LDPAK
型号:
RJH60V1BDPE-00#J3
仓库库存编号:
RJH60V1BDPE-00#J3CT-ND
别名:RJH60V1BDPE-00#J3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 25A 33.8W TO-220FL
详细描述:IGBT Trench 600V 25A 33.8W Through Hole TO-220FL
型号:
RJH60M2DPP-M0#T2
仓库库存编号:
RJH60M2DPP-M0#T2-ND
别名:RJH60M2DPPM0T2
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
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IGBT 600V 35A 39.7W TO-220FL
详细描述:IGBT Trench 600V 35A 39.7W Through Hole TO-220FL
型号:
RJH60M3DPP-M0#T2
仓库库存编号:
RJH60M3DPP-M0#T2-ND
别名:RJH60M3DPPM0T2
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 50A 201.6W TO-247A
详细描述:IGBT Trench 600V 50A 201.6W Through Hole TO-247A
型号:
RJH60F0DPQ-A0#T0
仓库库存编号:
RJH60F0DPQ-A0#T0-ND
别名:RJH60F0DPQA0T0
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
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IGBT 600V 80A 260.4W TO-247A
详细描述:IGBT Trench 600V 80A 260.4W Through Hole TO-247A
型号:
RJH60F5BDPQ-A0#T0
仓库库存编号:
RJH60F5BDPQ-A0#T0-ND
别名:RJH60F5BDPQA0T0
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IGBT 600V 80A 50W TO-3PFM
详细描述:IGBT Trench 600V 80A 50W Through Hole TO-3PFM
型号:
RJH60D6DPM-00#T1
仓库库存编号:
RJH60D6DPM-00#T1-ND
别名:RJH60D6DPM00T1
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MOSFET N-CH 30V 130A 8HVSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 130A(Tc) 1.5W(Ta),83W(Tc) 8-HVSON(5.4x5.15)
型号:
UPA2766T1A-E2-AY
仓库库存编号:
UPA2766T1A-E2-AYCT-ND
别名:UPA2766T1A-E2-AYCT
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
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MOSFET N-CH 900V 3A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 3A(Ta) 80W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1339-E
仓库库存编号:
2SK1339-E-ND
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MOSFET N-CH 900V 5A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1340-E
仓库库存编号:
2SK1340-E-ND
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