产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 90A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 90A(Tc) 1.8W(Ta),176W(Tc) TO-220
型号:
NP90N04MUK-S18-AY
仓库库存编号:
NP90N04MUK-S18-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 90A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 90A(Tc) 1.8W(Ta),176W(Tc) TO-262
型号:
NP90N04NUK-S18-AY
仓库库存编号:
NP90N04NUK-S18-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 90A TO-220
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 1.2W(Ta),147W(Tc) TO-252
型号:
NP90N04VUK-E1-AY
仓库库存编号:
NP90N04VUK-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 90A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 90A(Tc) 1.8W(Ta),176W(Tc) TO-220-3
型号:
NP90N055MUK-S18-AY
仓库库存编号:
NP90N055MUK-S18-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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MOSFET N-CH 55V 90A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 90A(Tc) 1.8W(Ta),176W(Tc) TO-262-3
型号:
NP90N055NUK-S18-AY
仓库库存编号:
NP90N055NUK-S18-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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IGBT 1100V 55A 227.2W TO247
详细描述:IGBT 1100V 55A 227.2W Through Hole TO-247
型号:
RJH1BF6RDPQ-80#T2
仓库库存编号:
RJH1BF6RDPQ-80#T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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IGBT 1200V 40A 156.2W TO247
详细描述:IGBT 1200V 40A 156.2W Through Hole TO-247
型号:
RJH1CF4RDPQ-80#T2
仓库库存编号:
RJH1CF4RDPQ-80#T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 1200V 50A 192.3W TO247
详细描述:IGBT 1200V 50A 192.3W Through Hole TO-247
型号:
RJH1CF5RDPQ-80#T2
仓库库存编号:
RJH1CF5RDPQ-80#T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
无铅
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IGBT 1200V 30A 245W TO247
详细描述:IGBT 1200V 30A 245W Through Hole TO-247
型号:
RJH1CM5DPQ-E0#T2
仓库库存编号:
RJH1CM5DPQ-E0#T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
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IGBT 1200V 70A 320W TO247
详细描述:IGBT Trench 1200V 70A 320W Through Hole TO-247
型号:
RJH1CV7DPQ-E0#T2
仓库库存编号:
RJH1CV7DPQ-E0#T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
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MOSFET N-CH 60V 110A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 110A(Ta) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
RJK0601DPN-E0#T2
仓库库存编号:
RJK0601DPN-E0#T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
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MOSFET N-CH 60V 25A WPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 25A(Ta) 50W(Tc) 8-WPAK
型号:
RJK0658DPA-00#J5A
仓库库存编号:
RJK0658DPA-00#J5A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
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MOSFET N-CH 60V 30A WPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 30A(Ta) 55W(Tc) 8-WPAK
型号:
RJK0659DPA-00#J5A
仓库库存编号:
RJK0659DPA-00#J5A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
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MOSFET N-CH 60V 40A WPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 40A(Ta) 65W(Tc) 8-WPAK
型号:
RJK0660DPA-00#J5A
仓库库存编号:
RJK0660DPA-00#J5A-ND
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MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 40A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK2006DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK2006DPE-00#J3-ND
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MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
详细描述:通孔 N 沟道 200V 40A(Ta) 60W(Tc) TO-3PFM
型号:
RJK2009DPM-00#T0
仓库库存编号:
RJK2009DPM-00#T0-ND
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MOSFET N-CH 200V 20A WPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 20A(Ta) 30W(Tc) 8-WPAK
型号:
RJK2057DPA-00#J0
仓库库存编号:
RJK2057DPA-00#J0-ND
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MOSFET N-CH 250V 65A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 250V 65A(Ta) 200W(Tc) TO-3P
型号:
RJK2511DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJK2511DPK-00#T0-ND
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MOSFET N-CH 250V 17A TO3P
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 17A(Ta) 30W(Tc) 8-WPAK
型号:
RJK2555DPA-00#J0
仓库库存编号:
RJK2555DPA-00#J0-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
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MOSFET N-CH 250V 17A TO3P
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 17A(Ta) 30W(Tc) 8-WPAK
型号:
RJK2557DPA-00#J0
仓库库存编号:
RJK2557DPA-00#J0-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:制造商 Renesas Electronics America,
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MOSFET N-CH 400V 3A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 400V 3A(Ta) 20W(Tc) TO-220FL
型号:
RJK4002DPP-M0#T2
仓库库存编号:
RJK4002DPP-M0#T2-ND
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MOSFET N-CH 400V 8A MP3A
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 8A(Ta) 65W(Tc) MP-3A
型号:
RJK4006DPD-00#J2
仓库库存编号:
RJK4006DPD-00#J2-ND
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MOSFET N-CH 400V 8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 400V 8A(Ta) 29W(Tc) TO-220FL
型号:
RJK4006DPP-M0#T2
仓库库存编号:
RJK4006DPP-M0#T2-ND
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MOSFET N-CH 400V 7.6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 400V 7.6A(Ta) 32W(Tc) TO-220FL
型号:
RJK4007DPP-M0#T2
仓库库存编号:
RJK4007DPP-M0#T2-ND
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MOSFET N-CH 400V 17A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 17A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK4013DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK4013DPE-00#J3-ND
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