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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 17A（Ta） 30W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：HAT2287WP-EL-E
  仓库库存编号：HAT2287WP-EL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Renesas Electronics America,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 14A（Ta） 25W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：HAT2299WP-EL-E
  仓库库存编号：HAT2299WP-EL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Renesas Electronics America,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 100A
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 90A（Tc） 1.8W（Ta），147W（Tc） TO-220
  
  型号：N0439N-S19-AY
  仓库库存编号：N0439N-S19-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Renesas Electronics America,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 1100V 60A 250W TO247
  详细描述：IGBT
  
  型号：RJH1BG7RDPK-00#T0
  仓库库存编号：RJH1BG7RDPK-00#T0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Renesas Electronics America,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 5A
  详细描述：IGBT Trench 600V 10A 29.4W Surface Mount TO-252
  
  型号：RJH60A01RDPD-A0#J2
  仓库库存编号：RJH60A01RDPD-A0#J2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Renesas Electronics America,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 5A
  详细描述：IGBT Trench 600V 10A 29.4W Surface Mount TO-252
  
  型号：RJH60A81RDPD-A0#J2
  仓库库存编号：RJH60A81RDPD-A0#J2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Renesas Electronics America,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 10A
  详细描述：IGBT Trench 600V 20A 51W Surface Mount TO-252
  
  型号：RJH60A83RDPD-A0#J2
  仓库库存编号：RJH60A83RDPD-A0#J2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Renesas Electronics America,
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• Renesas Electronics America
  IGBT 600V 10A
  详细描述：IGBT Trench 600V 20A 30W Through Hole TO-220FP
  
  型号：RJH60D1DPP-E0#T2
  仓库库存编号：RJH60D1DPP-E0#T2-ND
  
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• Renesas Electronics America
  IGBT 650V
  详细描述：IGBT
  
  型号：RJH65D27BDPQ-A0#T0
  仓库库存编号：RJH65D27BDPQ-A0#T0-ND
  
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RJK0349DSP-01#J0
  仓库库存编号：RJK0349DSP-01#J0-ND
  
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 1.8W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RJK0355DSP-01#J0
  仓库库存编号：RJK0355DSP-01#J0-ND
  
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 2.4A TO92
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.4A（Ta） 30W（Tc） MP-3A
  
  型号：RJK5002DPD-00#J2
  仓库库存编号：RJK5002DPD-00#J2-ND
  
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 11A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Ta） 150W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJK6014DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJK6014DPK-00#T0-ND
  
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 0.4A LDPAK
  
  型号：RJK6024DPH-E0#T2
  仓库库存编号：RJK6024DPH-E0#T2-ND
  
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• Renesas Electronics America
  IGBT 430V TO200FL
  详细描述：IGBT 430V 30W Through Hole TO-220FL
  
  型号：RJP4301APP-M0#T2
  仓库库存编号：RJP4301APP-M0#T2-ND
  
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• Renesas Electronics America
  DIODE GEN PURP 360V 10A LDPAK
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 360V 10A（DC） 4-LDPAK
  
  型号：RJU3051SDPE-00#J3
  仓库库存编号：RJU3051SDPE-00#J3-ND
  
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  DIODE GEN PURP 360V 20A TO252
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 360V 20A TO-252
  
  型号：RJU3052SDPD-E0#J2
  仓库库存编号：RJU3052SDPD-E0#J2-ND
  
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  DIODE GEN PURP 430V 10A LDPAK
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 430V 10A 4-LDPAK
  
  型号：RJU4351SDPE-00#J3
  仓库库存编号：RJU4351SDPE-00#J3-ND
  
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  DIODE GP 430V 10A TO220FP-2L
  详细描述：标准 通孔 二极管 430V 10A TO-220FP-2L
  
  型号：RJU4351TDPP-EJ#T2
  仓库库存编号：RJU4351TDPP-EJ#T2-ND
  
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  DIODE GEN PURP 430V 20A TO252
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 430V 20A TO-252
  
  型号：RJU4352SDPD-E0#J2
  仓库库存编号：RJU4352SDPD-E0#J2-ND
  
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  DIODE GEN PURP 430V 20A LDPAK
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 430V 20A 4-LDPAK
  
  型号：RJU4352SDPE-00#J3
  仓库库存编号：RJU4352SDPE-00#J3-ND
  
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  DIODE GP 430V 20A TO220FP-2L
  详细描述：标准 通孔 二极管 430V 20A TO-220FP-2L
  
  型号：RJU4352TDPP-EJ#T2
  仓库库存编号：RJU4352TDPP-EJ#T2-ND
  
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• Renesas Electronics America
  DIODE GEN PURP 600V 20A TO252
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 20A TO-252
  
  型号：RJU6052SDPD-E0#J2
  仓库库存编号：RJU6052SDPD-E0#J2-ND
  
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  DIODE GEN PURP 600V 20A LDPAK
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 20A 4-LDPAK
  
  型号：RJU6052SDPE-00#J3
  仓库库存编号：RJU6052SDPE-00#J3-ND
  
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  DIODE GEN PURP 600V 20A LDPAK
  详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 20A 4-LDPAK
  
  型号：RJU6053SDPE-00#J3
  仓库库存编号：RJU6053SDPE-00#J3-ND
  
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