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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 8A（Tc） 40.3W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M008A080FH
  仓库库存编号：GP1M008A080FH-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Global Power Technologies Group,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9A（Tc） 52W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M009A020CG
  仓库库存编号：GP1M009A020CG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Global Power Technologies Group,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 200V 9A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） 52W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M009A020HG
  仓库库存编号：GP1M009A020HG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Global Power Technologies Group,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 200V 9A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） 52W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M009A020PG
  仓库库存编号：GP1M009A020PG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Global Power Technologies Group,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 8.5A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M009A050FSH
  仓库库存编号：GP1M009A050FSH-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Global Power Technologies Group,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 8.5A（Tc） 127W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M009A050HS
  仓库库存编号：GP1M009A050HS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Global Power Technologies Group,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 9A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 9A（Tc） 51.4W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M009A060FH
  仓库库存编号：GP1M009A060FH-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Global Power Technologies Group,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 700V 9A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 9A（Tc） 52W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M009A070F
  仓库库存编号：GP1M009A070F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Global Power Technologies Group,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 900V 9A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 9A（Tc） 290W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M009A090H
  仓库库存编号：GP1M009A090H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Global Power Technologies Group,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 52W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M010A060FH
  仓库库存编号：GP1M010A060FH-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Global Power Technologies Group,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 10A（Tc） 312W（Tc） TO-3PN
  
  型号：GP1M010A080N
  仓库库存编号：GP1M010A080N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Global Power Technologies Group,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 10A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 10A（Tc） 51.4W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M011A050FSH
  仓库库存编号：GP1M011A050FSH-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Global Power Technologies Group,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 10A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 10A（Tc） 158W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M011A050HS
  仓库库存编号：GP1M011A050HS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Global Power Technologies Group,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 12A（Tc） 53W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M012A060FH
  仓库库存编号：GP1M012A060FH-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Global Power Technologies Group,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 13A（Tc） 52W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M013A050FH
  仓库库存编号：GP1M013A050FH-ND
  
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  MOSFET N-CH 500V 14A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 14A（Tc） 231W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M015A050H
  仓库库存编号：GP1M015A050H-ND
  
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  MOSFET N-CH 250V 16A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 16A（Tc） 93.9W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M016A025PG
  仓库库存编号：GP1M016A025PG-ND
  
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  MOSFET N-CH 600V 16A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M016A060FH
  仓库库存编号：GP1M016A060FH-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Global Power Technologies Group,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 18A（Tc） 94W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M018A020CG
  仓库库存编号：GP1M018A020CG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Global Power Technologies Group,
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  MOSFET N-CH 200V 18A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 30.4W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M018A020FG
  仓库库存编号：GP1M018A020FG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Global Power Technologies Group,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 20A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 347W（Tc） TO-3P
  
  型号：GP1M020A060M
  仓库库存编号：GP1M020A060M-ND
  
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 347W（Tc） TO-3PN
  
  型号：GP1M020A060N
  仓库库存编号：GP1M020A060N-ND
  
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  MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2A（Tc） 52.1W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP2M002A060CG
  仓库库存编号：GP2M002A060CG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Global Power Technologies Group,
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  MOSFET N-CH 600V 2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2A（Tc） 52.1W（Tc） TO-220
  
  型号：GP2M002A060HG
  仓库库存编号：GP2M002A060HG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Global Power Technologies Group,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 2A
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2A（Tc） 52.1W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP2M002A060PG
  仓库库存编号：GP2M002A060PG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：制造商 Global Power Technologies Group,
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