产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) -,
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Vishay Dale (1)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Dale
MOSFET P-CH JFET 30V SOT23-3
详细描述:JFET Surface Mount TO-236 (SOT-23)
型号:
SST175-T1-E3
仓库库存编号:
SST175-T1-E3-ND
别名:Q7165861FX
SST175T1E3
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) -,
无铅
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Vishay Siliconix
JFET P-CH 30V TO-18
详细描述:JFET Through Hole TO-206AA (TO-18)
型号:
2N5116JTX02
仓库库存编号:
2N5116JTX02-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
JFET P-CH 30V TO-18
详细描述:JFET Through Hole TO-206AA (TO-18)
型号:
2N5116JTXL02
仓库库存编号:
2N5116JTXL02-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
JFET P-CH 30V TO-18
详细描述:JFET Through Hole TO-206AA (TO-18)
型号:
2N5116JTVL02
仓库库存编号:
2N5116JTVL02-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 50MA TO-18
详细描述:JFET Through Hole TO-206AA (TO-18)
型号:
2N4856JAN02
仓库库存编号:
2N4856JAN02-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 50MA TO-18
详细描述:JFET Through Hole TO-206AA (TO-18)
型号:
2N4856JTX02
仓库库存编号:
2N4856JTX02-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 50MA TO-18
详细描述:JFET Through Hole TO-206AA (TO-18)
型号:
2N4856JTXL02
仓库库存编号:
2N4856JTXL02-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 50MA TO-18
详细描述:JFET Through Hole TO-206AA (TO-18)
型号:
2N4856JTXV02
仓库库存编号:
2N4856JTXV02-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) -,
含铅
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Vishay Siliconix
JFET N-CH 40V 360MA TO-18
详细描述:JFET Through Hole TO-206AA (TO-18)
型号:
2N4857JAN02
仓库库存编号:
2N4857JAN02-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) -,
含铅
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Vishay Siliconix
JFET N-CH 40V 360MA TO-18
详细描述:JFET Through Hole TO-206AA (TO-18)
型号:
2N4857JTX02
仓库库存编号:
2N4857JTX02-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) -,
含铅
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Vishay Siliconix
JFET N-CH 40V 360MA TO-18
详细描述:JFET Through Hole TO-206AA (TO-18)
型号:
2N4857JTXL02
仓库库存编号:
2N4857JTXL02-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) -,
含铅
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Vishay Siliconix
JFET N-CH 40V 360MA TO-18
详细描述:JFET Through Hole TO-206AA (TO-18)
型号:
2N4857JTXV02
仓库库存编号:
2N4857JTXV02-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) -,
含铅
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Vishay Siliconix
JFET N-CH 40V 80MA TO-18
详细描述:JFET Through Hole TO-206AA (TO-18)
型号:
2N4858JAN02
仓库库存编号:
2N4858JAN02-ND
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含铅
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Vishay Siliconix
JFET N-CH 40V 80MA TO-18
详细描述:JFET Through Hole TO-206AA (TO-18)
型号:
2N4858JTX02
仓库库存编号:
2N4858JTX02-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) -,
含铅
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Vishay Siliconix
JFET N-CH 40V 80MA TO-18
详细描述:JFET Through Hole TO-206AA (TO-18)
型号:
2N4858JTXL02
仓库库存编号:
2N4858JTXL02-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) -,
含铅
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Vishay Siliconix
JFET N-CH 40V 80MA TO-18
详细描述:JFET Through Hole TO-206AA (TO-18)
型号:
2N4858JTXV02
仓库库存编号:
2N4858JTXV02-ND
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含铅
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Vishay Siliconix
JFET N-CH 30V 360MW TO-18
详细描述:JFET Through Hole TO-206AA (TO-18)
型号:
2N4859JAN02
仓库库存编号:
2N4859JAN02-ND
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含铅
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JFET N-CH 30V 360MW TO-18
详细描述:JFET Through Hole TO-206AA (TO-18)
型号:
2N4859JTX02
仓库库存编号:
2N4859JTX02-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss) -,
含铅
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JFET N-CH 30V 360MW TO-18
详细描述:JFET Through Hole TO-206AA (TO-18)
型号:
2N4859JTXL02
仓库库存编号:
2N4859JTXL02-ND
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JFET N-CH 30V 360MW TO-18
详细描述:JFET Through Hole TO-206AA (TO-18)
型号:
2N4859JTXV02
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2N4859JTXV02-ND
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含铅
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Vishay Siliconix
JFET N-CH 30V TO-206
详细描述:JFET Through Hole TO-206AA (TO-18)
型号:
2N4860JAN02
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JFET N-CH 30V TO-206
详细描述:JFET Through Hole TO-206AA (TO-18)
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2N4860JTX02
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JFET N-CH 30V TO-206
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2N4860JTXL02
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