产品分类:分立半导体产品,规格:增益 18.5dB,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(90)
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
(6)
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
(84)
筛选品牌
Ampleon USA Inc. (50)
Infineon Technologies (25)
NXP USA Inc. (13)
STMicroelectronics (2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 600mA 960MHz 18.5dB 55W H-37265-2
型号:
PTFA080551F V1
仓库库存编号:
PTFA080551F V1-ND
别名:SP000224769
产品分类:分立半导体产品,规格:增益 18.5dB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 750mA 960MHz 18.5dB 110W PG-63248-2
型号:
PTFA091201GL V1
仓库库存编号:
PTFA091201GL V1-ND
别名:SP000229298
产品分类:分立半导体产品,规格:增益 18.5dB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 750mA 960MHz 18.5dB 110W PG-63248-2
型号:
PTFA091201GL V1 R250
仓库库存编号:
PTFA091201GL V1 R250-ND
别名:SP000465360
产品分类:分立半导体产品,规格:增益 18.5dB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 120W PG-64248-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 750mA 960MHz 18.5dB 110W PG-64248-2
型号:
PTFA091201HL V1
仓库库存编号:
PTFA091201HL V1-ND
别名:SP000384432
产品分类:分立半导体产品,规格:增益 18.5dB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 120W PG-64248-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 750mA 960MHz 18.5dB 110W PG-64248-2
型号:
PTFA091201HL V1 R250
仓库库存编号:
PTFA091201HL V1 R250-ND
别名:SP000465362
产品分类:分立半导体产品,规格:增益 18.5dB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
FET RF 65V 960MHZ H-36260-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 30V 1.85A 960MHz 18.5dB 220W H-36260-2
型号:
PTFA092201E V1
仓库库存编号:
PTFA092201E V1-ND
别名:SP000235920
产品分类:分立半导体产品,规格:增益 18.5dB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 30V 1.85A 960MHz 18.5dB 220W H-37260-2
型号:
PTFA092201F V1
仓库库存编号:
PTFA092201F V1-ND
别名:SP000235921
产品分类:分立半导体产品,规格:增益 18.5dB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 30V 1.85A 960MHz 18.5dB 220W H-37260-2
型号:
PTFA092201FV4XWSA1
仓库库存编号:
PTFA092201FV4XWSA1TR-ND
别名:PTFA092201F V4
PTFA092201F V4-ND
SP000434232
产品分类:分立半导体产品,规格:增益 18.5dB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2
详细描述:RF Mosfet LDMOS 30V 1.85A 960MHz 18.5dB 220W H-37260-2
型号:
PTFA092201FV4R250XTMA1
仓库库存编号:
PTFA092201FV4R250XTMA1TR-ND
别名:PTFA092201F V4 R250
PTFA092201F V4 R250-ND
SP000434234
产品分类:分立半导体产品,规格:增益 18.5dB,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.17GHZ NI-780
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 2.17GHz 18.5dB 63W NI-780
型号:
MRF7S21210HR3
仓库库存编号:
MRF7S21210HR3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:增益 18.5dB,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.17GHZ NI-780
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 2.17GHz 18.5dB 63W NI-780
型号:
MRF7S21210HR5
仓库库存编号:
MRF7S21210HR5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:增益 18.5dB,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 2.17GHz 18.5dB 63W NI-780S
型号:
MRF7S21210HSR3
仓库库存编号:
MRF7S21210HSR3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:增益 18.5dB,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 2.17GHz 18.5dB 63W NI-780S
型号:
MRF7S21210HSR5
仓库库存编号:
MRF7S21210HSR5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:增益 18.5dB,
无铅
搜索
Infineon Technologies
TRANS RF NPN 12V 65MA SOT323
详细描述:RF Transistor NPN 12V 65mA 8GHz 450mW Surface Mount PG-SOT323-3
型号:
BFR183WH6327XTSA1
仓库库存编号:
BFR183WH6327XTSA1TR-ND
别名:BFR 183W H6327
BFR 183W H6327-ND
SP000750422
产品分类:分立半导体产品,规格:增益 18.5dB,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
FET RF LDMOS 28V 690MA SOT896B
详细描述:RF Mosfet LDMOS 28V 690mA 2.11GHz ~ 2.17GHz 18.5dB 17W SOT896B, DFM2
型号:
BLC6G22LS-75,112
仓库库存编号:
BLC6G22LS-75,112-ND
别名:934061298112
产品分类:分立半导体产品,规格:增益 18.5dB,
无铅
搜索
1
2
3
4
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号