产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 120V 250MW DO35
详细描述:Zener Diode 250mW ±5% Through Hole DO-35
型号:
1N740A
仓库库存编号:
1N740A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 130V 250MW DO35
详细描述:Zener Diode 250mW ±10% Through Hole DO-35
型号:
1N741
仓库库存编号:
1N741-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
DIODE ZENER 130V 250MW DO35
详细描述:Zener Diode 250mW ±5% Through Hole DO-35
型号:
1N741A
仓库库存编号:
1N741A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 150V 250MW DO35
详细描述:Zener Diode 250mW ±10% Through Hole DO-35
型号:
1N742
仓库库存编号:
1N742-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 150V 250MW DO35
详细描述:Zener Diode 250mW ±5% Through Hole DO-35
型号:
1N742A
仓库库存编号:
1N742A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 160V 250MW DO35
详细描述:Zener Diode 250mW ±10% Through Hole DO-35
型号:
1N743
仓库库存编号:
1N743-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 160V 250MW DO35
详细描述:Zener Diode 250mW ±5% Through Hole DO-35
型号:
1N743A
仓库库存编号:
1N743A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 44A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 44A(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP44N15T
仓库库存编号:
IXTP44N15T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 8MSOP
详细描述:Mosfet Array
型号:
ALD111910MAL
仓库库存编号:
1014-1219-ND
别名:1014-1219
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 20V 27A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 27A(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA27N20T
仓库库存编号:
IXTA27N20T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 38A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA38N15T
仓库库存编号:
IXTA38N15T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 98A TO-263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 98A(Tc) TO-263-7(IXTA..7)
型号:
IXTA98N075T7
仓库库存编号:
IXTA98N075T7-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
IGBT 900V 20A 125W TO220
详细描述:IGBT Through Hole TO-220AB
型号:
IXYP8N90C3
仓库库存编号:
IXYP8N90C3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) TO-251
型号:
IXTU08N100P
仓库库存编号:
IXTU08N100P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 1A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY1N120P
仓库库存编号:
IXTY1N120P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Ta) D2PAK
型号:
NTBV75N06T4G
仓库库存编号:
NTBV75N06T4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 36A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP36N20T
仓库库存编号:
IXTP36N20T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 450V 13.5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 13.5A TO-220SIS
型号:
TK14A45DA(STA4,QM)
仓库库存编号:
TK14A45DA(STA4QM)-ND
别名:TK14A45DA(STA4QM)
TK14A45DASTA4QM
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 36A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA36N20T
仓库库存编号:
IXTA36N20T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 36A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP36N30T
仓库库存编号:
IXTP36N30T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 44A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 44A(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP44N25T
仓库库存编号:
IXTP44N25T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 74A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 74A(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP74N15T
仓库库存编号:
IXTP74N15T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 12A TO-247
详细描述:IGBT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH12N120A2D1
仓库库存编号:
IXGH12N120A2D1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 TO-3P
型号:
IXTQ36N20T
仓库库存编号:
IXTQ36N20T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 56A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 56A(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ56N15T
仓库库存编号:
IXTQ56N15T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
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