产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH60N30T
仓库库存编号:
IXTH60N30T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 98A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 98A(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH98N20T
仓库库存编号:
IXTH98N20T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
IGBT 1000V 20A 100W TO247AD
详细描述:IGBT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH10N100
仓库库存编号:
IXGH10N100-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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Fairchild/Micross Components
DIE MOSFET P-CH 100V
详细描述:表面贴装 模具
型号:
PCFQ5P10W
仓库库存编号:
PCFQ5P10W-DIE-ND
别名:FCPCFQ5P10W
FCPCFQ5P10W-ND
PCFQ5P10W-DIE
PCFQ5P10W-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER
详细描述:Zener Diode 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA
型号:
CDLL989B
仓库库存编号:
CDLL989B-ND
别名:1086-1991
1086-1991-MIL
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 102A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 102A(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ102N25T
仓库库存编号:
IXTQ102N25T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 72A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 72A(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ72N30T
仓库库存编号:
IXTQ72N30T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA
详细描述:Zener Diode 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA
型号:
JAN1N823UR-1
仓库库存编号:
1086-2313-ND
别名:1086-2313
1086-2313-MIL
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 102A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 102A(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH102N25T
仓库库存编号:
IXTH102N25T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 72A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 72A(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH72N30T
仓库库存编号:
IXTH72N30T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
IGBT 1400V TO-247
详细描述:IGBT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH22N140IH
仓库库存编号:
IXGH22N140IH-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA
详细描述:Zener Diode 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA
型号:
JAN1N821UR-1
仓库库存编号:
1086-2311-ND
别名:1086-2311
1086-2311-MIL
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35
详细描述:Zener Diode 500mW Through Hole DO-35
型号:
JANTXV1N4370-1
仓库库存编号:
1086-2729-ND
别名:1086-2729
1086-2729-MIL
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
详细描述:Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35
型号:
JAN1N825-1
仓库库存编号:
1086-2314-ND
别名:1086-2314
1086-2314-MIL
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 120A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) PLUS220
型号:
IXTV120N15T
仓库库存编号:
IXTV120N15T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 60A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) PLUS220
型号:
IXTV60N30T
仓库库存编号:
IXTV60N30T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 98A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 98A(Tc) PLUS220
型号:
IXTV98N20T
仓库库存编号:
IXTV98N20T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 102A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 102A(Tc) PLUS220
型号:
IXTV102N25T
仓库库存编号:
IXTV102N25T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 130A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) PLUS220
型号:
IXTV130N15T
仓库库存编号:
IXTV130N15T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 72A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 72A(Tc) PLUS220
型号:
IXTV72N30T
仓库库存编号:
IXTV72N30T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
IGBT 300V 120A TO3P
详细描述:IGBT Trench Through Hole TO-3P
型号:
IXGQ120N30TCD1
仓库库存编号:
IXGQ120N30TCD1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
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IXYS
IGBT 320V 96A TO3P
详细描述:IGBT Trench Through Hole TO-3P
型号:
IXGQ96N30TBD1
仓库库存编号:
IXGQ96N30TBD1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
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IXYS
IGBT 320V 96A TO3P
详细描述:IGBT Trench Through Hole TO-3P
型号:
IXGQ96N30TCD1
仓库库存编号:
IXGQ96N30TCD1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
详细描述:Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35
型号:
JANTX1N823-1
仓库库存编号:
1086-2666-ND
别名:1086-2666
1086-2666-MIL
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
含铅
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IXYS
IGBT 600V ISOPLUS247
详细描述:IGBT Through Hole ISOPLUS247?
型号:
IXGR48N60B3D4A
仓库库存编号:
IXGR48N60B3D4A-ND
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