产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
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IXYS
IGBT 600V TO-247
详细描述:IGBT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH40N60A3D1
仓库库存编号:
IXGH40N60A3D1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 36A TO-268
详细描述:表面贴装 P 沟道 36A(Tc) TO-268
型号:
IXTT36P10
仓库库存编号:
IXTT36P10-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 16A TO-268
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Tc) TO-268
型号:
IXTT16P20
仓库库存编号:
IXTT16P20-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V ISOPLUS247
详细描述:IGBT Through Hole ISOPLUS247?
型号:
IXGR35N120D1
仓库库存编号:
IXGR35N120D1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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Fairchild/Micross Components
DIE MOSFET P-CH 100V
详细描述:表面贴装 模具
型号:
PCFQ8P10W
仓库库存编号:
PCFQ8P10W-DIE-ND
别名:FCPCFQ8P10W
FCPCFQ8P10W-ND
PCFQ8P10W-DIE
PCFQ8P10W-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
IGBT 300V 150A TO3P
详细描述:IGBT Through Hole TO-3P
型号:
IXGQ150N30TCD1
仓库库存编号:
IXGQ150N30TCD1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA
详细描述:Zener Diode 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA
型号:
JANTX1N823UR-1
仓库库存编号:
1086-2667-ND
别名:1086-2667
1086-2667-MIL
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
含铅
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IXYS
IGBT 300V 400A TO3P
详细描述:IGBT Through Hole TO-3P
型号:
IXGQ200N30PB
仓库库存编号:
IXGQ200N30PB-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 88A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 88A(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ88N15
仓库库存编号:
IXTQ88N15-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
MOD BRIDGE SGL 25A 600V D-34
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 600V 25A Through Hole D-34
型号:
VS-26MB06
仓库库存编号:
VS-26MB06-ND
别名:VS26MB06
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA
详细描述:Zener Diode 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA
型号:
JAN1N825UR-1
仓库库存编号:
1086-2315-ND
别名:1086-2315
1086-2315-MIL
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
含铅
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IXYS
IGBT 600V 120A 600W TO247
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-247 (IXXH)
型号:
IXXH50N60B3
仓库库存编号:
IXXH50N60B3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 40A TO247AD
详细描述:IGBT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH20N160
仓库库存编号:
IXGH20N160-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
IGBT 1400V 60A 300W PLUS247
详细描述:IGBT Through Hole PLUS247?-3
型号:
IXGX28N140B3H1
仓库库存编号:
IXGX28N140B3H1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Tc) 8-SOIC
型号:
IXT-1-1N100S1-TR
仓库库存编号:
IXT-1-1N100S1-TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 21A(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ21N50Q
仓库库存编号:
IXFQ21N50Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
IGBT 330V 180A TO3P
详细描述:IGBT 330V 180A Through Hole TO-3P
型号:
IXGQ180N33TCD1
仓库库存编号:
IXGQ180N33TCD1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 900V 43A 250W TO247
详细描述:IGBT PT 900V 43A 250W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT15GP90BG
仓库库存编号:
APT15GP90BG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER
详细描述:Zener Diode 160V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA
型号:
CDLL990B
仓库库存编号:
CDLL990B-ND
别名:1086-1992
1086-1992-MIL
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
含铅
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IXYS
IGBT 600V 75A 540W TO268
详细描述:IGBT PT 600V 75A 540W Surface Mount TO-268
型号:
IXGT72N60B3
仓库库存编号:
IXGT72N60B3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 26A(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ26N50Q
仓库库存编号:
IXFQ26N50Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-30
详细描述:通孔 N 沟道 500V 26A(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ26N50
仓库库存编号:
IXFQ26N50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
IGBT 900V 75A 400W TO268
详细描述:IGBT PT 900V 75A 400W Surface Mount TO-268
型号:
IXGT50N90B2D1
仓库库存编号:
IXGT50N90B2D1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
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IXYS
IGBT 600V 24A TO268
详细描述:IGBT 600V 24A Surface Mount TO-268
型号:
IXGT24N60B
仓库库存编号:
IXGT24N60B-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 24A(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ24N50Q
仓库库存编号:
IXFQ24N50Q-ND
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