产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER
详细描述:Zener Diode 200V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA
型号:
CDLL992B
仓库库存编号:
CDLL992B-ND
别名:1086-1994
1086-1994-MIL
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 100V 500MW DO213AB
详细描述:Zener Diode 100V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AB
型号:
CDLL6348
仓库库存编号:
CDLL6348-ND
别名:1086-1855
1086-1855-MIL
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 170A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 75V 175A(Tc) PLUS220
型号:
IXUV170N075
仓库库存编号:
IXUV170N075-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 170A PLUS220-S
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 175A(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXUV170N075S
仓库库存编号:
IXUV170N075S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA
详细描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA
型号:
JANTXV1N825UR-1
仓库库存编号:
1086-3044-ND
别名:1086-3044
1086-3044-MIL
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
含铅
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Microsemi Corporation
IGBT 900V 145A 625W TO-264
详细描述:IGBT PT 900V 145A 625W Through Hole TO-264
型号:
APT80GA90LD40
仓库库存编号:
APT80GA90LD40-ND
别名:Q4945437
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 300V ISOPLUS247?
型号:
IXFR52N30Q
仓库库存编号:
IXFR52N30Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 12A(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH12N100Q
仓库库存编号:
IXTH12N100Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
详细描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±5% Through Hole DO-35
型号:
JANTX1N829-1
仓库库存编号:
1086-2670-ND
别名:1086-2670
1086-2670-MIL
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
含铅
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IXYS
IGBT 1200V ISOPLUS247
详细描述:IGBT 1200V Through Hole ISOPLUS247?
型号:
IXGR40N120A2D1
仓库库存编号:
IXGR40N120A2D1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V ISOPLUS247
详细描述:IGBT 1200V Through Hole ISOPLUS247?
型号:
IXGR40N120B2D1
仓库库存编号:
IXGR40N120B2D1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 90A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 90A(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR90N20
仓库库存编号:
IXFR90N20-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
IGBT PLUS247
详细描述:IGBT Through Hole PLUS247?-3
型号:
IXGX55N120A3D1
仓库库存编号:
IXGX55N120A3D1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 125A 460W PLUS247
详细描述:IGBT PT 1200V 125A 460W Through Hole PLUS247?-3
型号:
IXGX55N120A3H1
仓库库存编号:
IXGX55N120A3H1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
DIODE BRIDGE 1400V 54A ECO-PAC1
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 1400V 54A Chassis Mount ECO-PAC1
型号:
VBO54-14NO7
仓库库存编号:
VBO54-14NO7-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 5A DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 5A(Tc) 模具
型号:
IXTD5N100A
仓库库存编号:
IXTD5N100A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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Skyworks Solutions Inc.
DIODE VARACTOR 22V 100MA PILL
详细描述:Varactor Single 22V Surface Mount Die
型号:
SMV2023-219
仓库库存编号:
SMV2023-219-ND
别名:Q6942754
T1822930
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
IGBT 300V 400A TO264AA
详细描述:IGBT 300V 400A Through Hole TO-264 (IXGK)
型号:
IXGK400N30B3
仓库库存编号:
IXGK400N30B3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
IGBT 300V 400A TO264AA
详细描述:IGBT 300V 400A Through Hole TO-264 (IXGK)
型号:
IXGK400N30C3
仓库库存编号:
IXGK400N30C3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
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IXYS
THYRISTOR 2200V
详细描述:SCR Standard Recovery
型号:
CS1710
仓库库存编号:
CS1710-ND
别名:Q8201732
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 500A 1700W PLUS247
详细描述:IGBT PT 600V 500A 1700W Through Hole PLUS247?-3
型号:
IXGX320N60B3
仓库库存编号:
IXGX320N60B3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
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IXYS
IGBT 1200V 90A ISOPLUS247
详细描述:IGBT 1200V 90A Through Hole ISOPLUS247?
型号:
IXGR45N120
仓库库存编号:
IXGR45N120-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
IGBT 600V ISOPLUS247
详细描述:IGBT 600V Through Hole ISOPLUS247?
型号:
IXGR80N60B
仓库库存编号:
IXGR80N60B-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
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IXYS
IGBT 600V 170A 695W PLUS247
详细描述:IGBT PT 600V 170A 695W Through Hole PLUS247?-3
型号:
IXXX100N60C3H1
仓库库存编号:
IXXX100N60C3H1-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 140A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 300V 140A(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK140N30P
仓库库存编号:
IXTK140N30P-ND
别名:Q4597844
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
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