产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
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IXYS
IGBT 1200V 260A 1250W PLUS247
详细描述:IGBT PT 1200V 260A 1250W Through Hole PLUS247?-3
型号:
IXGX82N120A3
仓库库存编号:
IXGX82N120A3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 230A 1250W PLUS247
详细描述:IGBT PT 1200V 230A 1250W Through Hole PLUS247?-3
型号:
IXGX82N120B3
仓库库存编号:
IXGX82N120B3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 600V 68A TO-268
详细描述:表面贴装 P 沟道 600V 68A(Tc) TO-268
型号:
IXKT70N60C5
仓库库存编号:
IXKT70N60C5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247
详细描述:通孔 P 沟道 200V 120A(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXTX120P20T
仓库库存编号:
IXTX120P20T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 120A TO-264
详细描述:通孔 P 沟道 200V 120A(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK120P20T
仓库库存编号:
IXTK120P20T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 25A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 25A(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR25N90
仓库库存编号:
IXFR25N90-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 100V ISOPLUS247?
型号:
IXFR75N10Q
仓库库存编号:
IXFR75N10Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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Microsemi Corporation
N CHANNEL JFET
详细描述:JFET N-Channel 40V 1.8W
型号:
2N4391
仓库库存编号:
2N4391MS-ND
别名:2N4391MS
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 36A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 36A(Tc) 400W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN36N50
仓库库存编号:
IXTN36N50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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TT Electronics/Optek Technology
TRANS NPN/PNP 50V/60V SMT
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V, 60V 800mA, 600mA 400mW Surface Mount
型号:
HCT700
仓库库存编号:
HCT700-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
详细描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±5% Through Hole DO-35
型号:
JANTXV1N829-1
仓库库存编号:
1086-3047-ND
别名:1086-3047
1086-3047-MIL
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 55A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 500V 55A(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL55N50
仓库库存编号:
IXFL55N50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 900V ISOPLUS247?
型号:
IXFR24N90Q
仓库库存编号:
IXFR24N90Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 250A ISOPLUS227
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 250A 730W SOT-227B
型号:
IXTE250N10
仓库库存编号:
IXTE250N10-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 200V ISOPLUS247?
型号:
IXFR90N20Q
仓库库存编号:
IXFR90N20Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 200A 830W PLUS247
详细描述:IGBT PT 1200V 200A 830W Through Hole PLUS247?-3
型号:
IXGX120N120B3
仓库库存编号:
IXGX120N120B3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 108A MMIX
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 108A(Tc) 24-SMPD
型号:
MMIX1F210N30P3
仓库库存编号:
MMIX1F210N30P3-ND
别名:Q7717170
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
THYRISTOR PHASE 2500V I4-PAC
详细描述:SCR 2500V Standard Recovery Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号:
CS20-25MO1F
仓库库存编号:
CS20-25MO1F-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
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IXYS
IGBT 650V 90A SOT-227B
详细描述:IGBT Module
型号:
IXA90IF650NA
仓库库存编号:
IXA90IF650NA-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 120A 416W SOT227
详细描述:IGBT Module NPT Single 600V 120A 416W Chassis Mount SOT-227
型号:
APT100GF60JU2
仓库库存编号:
APT100GF60JU2-ND
别名:APT100GF60JU2MI
APT100GF60JU2MI-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
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TT Electronics/Optek Technology
TRANS NPN SMT
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN Surface Mount 4-SMD
型号:
HCT2222A
仓库库存编号:
HCT2222A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
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Microsemi Corporation
DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA
详细描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA
型号:
JAN1N829UR-1
仓库库存编号:
1086-2319-ND
别名:1086-2319
1086-2319-MIL
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
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IXYS
THYRISTOR MODULE RECTIFIER
详细描述:SCR Module 800V 80A Series Connection - All SCRs Chassis Mount TO-240AA
型号:
MCC4408I01B
仓库库存编号:
MCC4408I01B-ND
别名:Q1304281A
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TT Electronics/Optek Technology
TRANS NPN/PNP 50V/60V SMT
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V, 60V 800mA, 600mA 400mW Surface Mount
型号:
HCT700TX
仓库库存编号:
HCT700TX-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
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Microsemi Corporation
TRANS PNP 80V 7A TO-66
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 7A 40W Through Hole TO-66
型号:
2N5427
仓库库存编号:
2N5427-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
含铅
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