产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC045N10L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC045N10L3X1SA1-ND
别名:SP001187424
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC045N10N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC045N10N3X1SA1-ND
别名:SP000900304
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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Nexperia USA Inc.
DIODE ZENER ARRAY 5.6V SOT663
详细描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 5.6V 265mW ±5% SOT-663
型号:
BZB984-C5V6,115
仓库库存编号:
1727-1594-1-ND
别名:1727-1594-1
568-11129-1
568-11129-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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Nexperia USA Inc.
DIODE ZENER ARRAY 5.6V SOT663
详细描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 5.6V 265mW ±5% SOT-663
型号:
BZB984-C5V6,115
仓库库存编号:
1727-1594-6-ND
别名:1727-1594-6
568-11129-6
568-11129-6-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC055N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC055N03L3X1SA1-ND
别名:SP000448980
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC173N10N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC173N10N3X1SA1-ND
别名:SP000899314
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 91A IPAK
详细描述:MOSFET N-CH 55V 91A IPAK
型号:
AUIRFU1010Z
仓库库存编号:
AUIRFU1010Z-ND
别名:SP001516086
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 195A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 195A(Tc) TO-220-3
型号:
IRFB7434GPBF
仓库库存编号:
IRFB7434GPBF-ND
别名:SP001577770
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC171N04NX1SA1
仓库库存编号:
IPC171N04NX1SA1-ND
别名:SP000300150
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 2A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC218N04N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC218N04N3X1SA1-ND
别名:SP000448986
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 3A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC218N06L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC218N06L3X1SA1-ND
别名:SP000476924
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 3A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC218N06N3X1SA2
仓库库存编号:
IPC218N06N3X1SA2-ND
别名:SP000544188
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 25V 303A PQFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 303A (Tc) Surface Mount 32-PQFN (6x6)
型号:
IRF3575DTRPBF
仓库库存编号:
IRF3575DTRPBF-ND
别名:SP001528872
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N08N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N08N3X1SA1-ND
别名:SP000476912
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302NE7N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302NE7N3X1SA1-ND
别名:SP000840426
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N10N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N10N3X1SA1-ND
别名:SP000476916
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 120V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC26N12NX1SA1
仓库库存编号:
IPC26N12NX1SA1-ND
别名:SP000296743
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N15N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N15N3X1SA1-ND
别名:SP000875892
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC300N15N3RX1SA2
仓库库存编号:
IPC300N15N3RX1SA2-ND
别名:SP001049344
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 120V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N12N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N12N3X1SA1-ND
别名:SP000717450
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 40A 166W TO247-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 40A 166W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IKW20N60TAFKSA1
仓库库存编号:
IKW20N60TAFKSA1-ND
别名:IKW20N60TA
IKW20N60TA-ND
SP000647360
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N20N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N20N3X1SA1-ND
别名:SP000619656
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N25N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N25N3X1SA1-ND
别名:SP000870638
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N20NFDX1SA1
仓库库存编号:
IPC302N20NFDX1SA1-ND
别名:SP001363494
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
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MOSFET N-CH 250V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N25N3AX1SA1
仓库库存编号:
IPC302N25N3AX1SA1-ND
别名:SP000691616
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -,
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