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• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS PNP 15V 0.2A SOT-23
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 15V 200mA 225mW Surface Mount SOT-23-3
  
  型号：MMBT5771
  仓库库存编号：MMBT5771CT-ND
  别名：MMBT5771CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS2672
  仓库库存编号：FDS2672CT-ND
  别名：FDS2672CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7852DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7852DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7852DP-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 60V 3.4A 1212-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3.4A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
  
  型号：SI7220DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7220DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7220DN-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18.4A（Tc） 3W（Ta），6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4190ADY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4190ADY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4190ADY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 11A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 208W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD11S60
  仓库库存编号：785-1264-1-ND
  别名：785-1264-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 60V 8.2A POWER33
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 60V 8.2A 800mW Surface Mount 8-Power33 (3x3)
  
  型号：FDMC89521L
  仓库库存编号：FDMC89521LCT-ND
  别名：FDMC89521LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 32A 12W Surface Mount 8-LSON (5x6)
  
  型号：CSD87351Q5D
  仓库库存编号：296-28327-1-ND
  别名：296-28327-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 36A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 36A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4497DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4497DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4497DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 240V 360MA SOT89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 360mA（Tj） 1.6W（Tc） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：TN2524N8-G
  仓库库存编号：TN2524N8-GCT-ND
  别名：TN2524N8-GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 20A 8-SO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS6681Z
  仓库库存编号：FDS6681ZCT-ND
  别名：FDS6681ZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 19.8A 3.25W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4204DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4204DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4204DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS402DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS402DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS402DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR158DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR158DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR158DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 45V 230MA TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 230mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：BS250P
  仓库库存编号：BS250P-ND
  别名：BS250PTA
  MX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS2734
  仓库库存编号：FDS2734CT-ND
  别名：FDS2734CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.1A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD3P50TM
  仓库库存编号：FQD3P50TMCT-ND
  别名：FQD3P50TMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.6A（Ta），35A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS86200
  仓库库存编号：FDMS86200CT-ND
  别名：FDMS86200CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR404DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR404DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR404DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 250V 1.1A 3DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.1A（Tj） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：DN2625K4-G
  仓库库存编号：DN2625K4-GCT-ND
  别名：DN2625K4-GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 2.5W（Ta），113W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50P06-15-GE3
  仓库库存编号：SUD50P06-15-GE3CT-ND
  别名：SUD50P06-15-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.5A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7116DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7116DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7116DN-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.5A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7116DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7116DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7116DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18.4A（Tc） 5.4W（Ta），96W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7190DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7190DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7190DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 400V 260MA SOT89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 260mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：TN2540N8-G
  仓库库存编号：TN2540N8-GCT-ND
  别名：TN2540N8-GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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