产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Fairchild/ON Semiconductor
TRANS PNP 15V 0.2A SOT-23
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 15V 200mA 225mW Surface Mount SOT-23-3
型号：
MMBT5771
仓库库存编号：
MMBT5771CT-ND
别名：MMBT5771CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS2672
仓库库存编号：
FDS2672CT-ND
别名：FDS2672CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7852DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7852DP-T1-E3CT-ND
别名：SI7852DP-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 3.4A 1212-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3.4A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号：
SI7220DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7220DN-T1-E3CT-ND
别名：SI7220DN-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 18.4A（Tc） 3W（Ta），6W（Tc） 8-SO
型号：
SI4190ADY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4190ADY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4190ADY-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 208W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD11S60
仓库库存编号：
785-1264-1-ND
别名：785-1264-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 8.2A POWER33
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 60V 8.2A 800mW Surface Mount 8-Power33 (3x3)
型号：
FDMC89521L
仓库库存编号：
FDMC89521LCT-ND
别名：FDMC89521LCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 32A 12W Surface Mount 8-LSON (5x6)
型号：
CSD87351Q5D
仓库库存编号：
296-28327-1-ND
别名：296-28327-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 36A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 36A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
型号：
SI4497DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4497DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4497DY-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 240V 360MA SOT89-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 360mA（Tj） 1.6W（Tc） TO-243AA（SOT-89）
型号：
TN2524N8-G
仓库库存编号：
TN2524N8-GCT-ND
别名：TN2524N8-GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 20A 8-SO
详细描述：表面贴装 P 沟道 20A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS6681Z
仓库库存编号：
FDS6681ZCT-ND
别名：FDS6681ZCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 19.8A 3.25W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4204DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4204DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4204DY-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS402DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS402DN-T1-GE3CT-ND
别名：SIS402DN-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR158DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR158DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR158DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 45V 230MA TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 230mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
型号：
BS250P
仓库库存编号：
BS250P-ND
别名：BS250PTA
MX
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS2734
仓库库存编号：
FDS2734CT-ND
别名：FDS2734CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.1A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
型号：
FQD3P50TM
仓库库存编号：
FQD3P50TMCT-ND
别名：FQD3P50TMCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.6A（Ta），35A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） Power56
型号：
FDMS86200
仓库库存编号：
FDMS86200CT-ND
别名：FDMS86200CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR404DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR404DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR404DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 250V 1.1A 3DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.1A（Tj） TO-252，（D-Pak）
型号：
DN2625K4-G
仓库库存编号：
DN2625K4-GCT-ND
别名：DN2625K4-GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 2.5W（Ta），113W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD50P06-15-GE3
仓库库存编号：
SUD50P06-15-GE3CT-ND
别名：SUD50P06-15-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.5A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7116DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7116DN-T1-E3CT-ND
别名：SI7116DN-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.5A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7116DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7116DN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7116DN-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 18.4A（Tc） 5.4W（Ta），96W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7190DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7190DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7190DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 400V 260MA SOT89-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 260mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
型号：
TN2540N8-G
仓库库存编号：
TN2540N8-GCT-ND
别名：TN2540N8-GCT
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