产品分类:分立半导体产品,品牌:STMicroelectronics,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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STMicroelectronics
IGBT 1250V 40A 259W TO-247
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1250V 40A 259W Through Hole TO-247
型号:
STGW20IH125DF
仓库库存编号:
497-14559-5-ND
别名:497-14559-5
STGW20IH125DF-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:STMicroelectronics,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB200NF03T4
仓库库存编号:
497-6548-1-ND
别名:497-6548-1
产品分类:分立半导体产品,品牌:STMicroelectronics,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 650V 40A 168W TO3P
详细描述:IGBT Trench Field Stop 650V 40A 168W Through Hole TO-3P
型号:
STGWT20H65FB
仓库库存编号:
497-15139-5-ND
别名:497-15139-5
产品分类:分立半导体产品,品牌:STMicroelectronics,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 80A PWRFLT5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 5W(Ta),100W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL100N10F7
仓库库存编号:
497-13649-1-ND
别名:497-13649-1
产品分类:分立半导体产品,品牌:STMicroelectronics,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 18A POWERFLAT56
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 80W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL80N75F6
仓库库存编号:
497-12981-1-ND
别名:497-12981-1
产品分类:分立半导体产品,品牌:STMicroelectronics,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 1250V 40A 259W TO-3P
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1250V 40A 259W Through Hole TO-3P
型号:
STGWT20IH125DF
仓库库存编号:
497-14561-5-ND
别名:497-14561-5
STGWT20IH125DF-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:STMicroelectronics,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB150NF04
仓库库存编号:
497-8805-1-ND
别名:497-8805-1
产品分类:分立半导体产品,品牌:STMicroelectronics,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB150NF55T4
仓库库存编号:
497-7934-1-ND
别名:497-7934-1
产品分类:分立半导体产品,品牌:STMicroelectronics,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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STMicroelectronics
IGBT 600V 60A 58W TO-3PF
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 60A 58W Through Hole TO-3PF
型号:
STGFW30V60DF
仓库库存编号:
497-15011-5-ND
别名:497-15011-5
产品分类:分立半导体产品,品牌:STMicroelectronics,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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STMicroelectronics
IGBT 600V 80A 283W TO3P-3L
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 80A 283W Through Hole TO-3P
型号:
STGWT40H60DLFB
仓库库存编号:
497-14228-5-ND
别名:497-14228-5
产品分类:分立半导体产品,品牌:STMicroelectronics,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L
详细描述:IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Through Hole TO-3P
型号:
STGWT40H65FB
仓库库存编号:
497-14230-5-ND
别名:497-14230-5
产品分类:分立半导体产品,品牌:STMicroelectronics,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L
详细描述:IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Through Hole TO-3P
型号:
STGWT40H65DFB
仓库库存编号:
497-14229-5-ND
别名:497-14229-5
产品分类:分立半导体产品,品牌:STMicroelectronics,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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IGBT 600V 80A 283W TO247
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 80A 283W Through Hole TO-247
型号:
STGW40V60F
仓库库存编号:
497-13834-5-ND
别名:497-13834-5
产品分类:分立半导体产品,品牌:STMicroelectronics,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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IGBT 600V 40A 167W D2PAK
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 40A 167W Surface Mount D2PAK
型号:
STGB20H60DF
仓库库存编号:
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别名:497-15117-1
产品分类:分立半导体产品,品牌:STMicroelectronics,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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IGBT 600V 80A 283W TO3P-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 80A 283W Through Hole TO-3P
型号:
STGWT40V60DLF
仓库库存编号:
497-13772-5-ND
别名:497-13772-5
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IGBT 1250V 60A 375W TO-247
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1250V 60A 375W Through Hole TO-247
型号:
STGW28IH125DF
仓库库存编号:
497-14560-5-ND
别名:497-14560-5
STGW28IH125DF-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:STMicroelectronics,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 315W(Tc) H2Pak-2
型号:
STH275N8F7-2AG
仓库库存编号:
497-15473-1-ND
别名:497-15473-1
产品分类:分立半导体产品,品牌:STMicroelectronics,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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IGBT 600V 80A 283W TO3P-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 80A 283W Through Hole TO-3P
型号:
STGWT40V60DF
仓库库存编号:
497-13771-5-ND
别名:497-13771-5
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) H2PAK-6
型号:
STH260N6F6-6
仓库库存编号:
497-15144-1-ND
别名:497-15144-1
产品分类:分立半导体产品,品牌:STMicroelectronics,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 315W(Tc) H2PAK-6
型号:
STH275N8F7-6AG
仓库库存编号:
497-15474-1-ND
别名:497-15474-1
产品分类:分立半导体产品,品牌:STMicroelectronics,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) H2PAK
型号:
STH400N4F6-6
仓库库存编号:
497-14537-1-ND
别名:497-14537-1
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IGBT 600V 80A 62.5W TO-3PF
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 80A 62.5W Through Hole TO-3PF
型号:
STGFW40V60F
仓库库存编号:
497-15007-5-ND
别名:497-15007-5
产品分类:分立半导体产品,品牌:STMicroelectronics,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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IGBT 600V 80A 62.5W TO-3PF
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 80A 62.5W TO-3PF-3
型号:
STGFW40V60DF
仓库库存编号:
497-15124-5-ND
别名:497-15124-5
产品分类:分立半导体产品,品牌:STMicroelectronics,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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IGBT 600V 80A 375W TO-247
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 80A 375W Through Hole TO-247
型号:
STGW60H60DLFB
仓库库存编号:
497-14366-ND
别名:497-14366
产品分类:分立半导体产品,品牌:STMicroelectronics,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Tc) 300W(Tc) H2PAK
型号:
STH320N4F6-2
仓库库存编号:
497-13875-1-ND
别名:497-13875-1
产品分类:分立半导体产品,品牌:STMicroelectronics,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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