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• Taiwan Semiconductor Corporation
  DIODE, ZENER, 36V, 1000MW, 5%, M
  详细描述：Zener Diode 1W ±5% Surface Mount MELF
  
  型号：ZM4753A L0G
  仓库库存编号：ZM4753A L0G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  DIODE, ZENER, 39V, 1000MW, 5%, M
  详细描述：Zener Diode 1W ±5% Surface Mount MELF
  
  型号：ZM4754A L0G
  仓库库存编号：ZM4754A L0G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  DIODE, ZENER, 43V, 1000MW, 5%, M
  详细描述：Zener Diode 1W ±5% Surface Mount MELF
  
  型号：ZM4755A L0G
  仓库库存编号：ZM4755A L0G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  DIODE, ZENER, 47V, 1000MW, 5%, M
  详细描述：Zener Diode 1W ±5% Surface Mount MELF
  
  型号：ZM4756A L0G
  仓库库存编号：ZM4756A L0G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  DIODE, ZENER, 51V, 1000MW, 5%, M
  详细描述：Zener Diode 1W ±5% Surface Mount MELF
  
  型号：ZM4757A L0G
  仓库库存编号：ZM4757A L0G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  DIODE, ZENER, 56V, 1000MW, 5%, M
  详细描述：Zener Diode 1W ±5% Surface Mount MELF
  
  型号：ZM4758A L0G
  仓库库存编号：ZM4758A L0G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  IC TRANS NPN 30V 3A SOT1061
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 3A 600mW Surface Mount DFN2020D-3
  
  型号：PBSS4330PASX
  仓库库存编号：1727-2382-1-ND
  别名：1727-2382-1
  568-12681-1
  568-12681-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  TRANS PNP 60V 3A 3HUSON
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 120MHz Surface Mount DFN2020D-3
  
  型号：PBSS5360PASX
  仓库库存编号：1727-2523-1-ND
  别名：1727-2523-1
  568-12962-1
  568-12962-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  TRANS NPN 60V 3A 3HUSON
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 160MHz Surface Mount DFN2020D-3
  
  型号：PBSS4360PASX
  仓库库存编号：1727-2520-1-ND
  别名：1727-2520-1
  568-12959-1
  568-12959-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  PHPT61002NYCLHSOT669LFPAK
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 140MHz Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
  
  型号：PHPT61002NYCLHX
  仓库库存编号：PHPT61002NYCLHX-ND
  别名：934070271115
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  IC TRANS NPN 40V 15A LFPAK56
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 105MHz Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
  
  型号：PHPT60415NYX
  仓库库存编号：1727-2389-1-ND
  别名：1727-2389-1
  568-12688-1
  568-12688-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 5A 600V DPAK
  详细描述：IGBT Surface Mount DPAK
  
  型号：NGTB05N60R2DT4G
  仓库库存编号：NGTB05N60R2DT4GOSCT-ND
  别名：NGTB05N60R2DT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Ta） 27W（Tc） DPAK+
  
  型号：TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
  仓库库存编号：TJ8S06M3L(T6L1NQ)-ND
  别名：TJ8S06M3L(T6L1NQ)
  TJ8S06M3LT6L1NQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 10A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 25W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK10S04K3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TK10S04K3L(T6L1NQ-ND
  别名：TK10S04K3L(T6L1NQ
  TK10S04K3LT6L1NQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 8A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 25W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK8S06K3L(T6L1,NQ)
  仓库库存编号：TK8S06K3L(T6L1NQ)-ND
  别名：TK8S06K3L(T6L1NQ)
  TK8S06K3LT6L1NQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 40V 10A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 27W（Tc） DPAK+
  
  型号：TJ10S04M3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TJ10S04M3L(T6L1NQ-ND
  别名：TJ10S04M3L(T6L1NQ
  TJ10S04M3LT6L1NQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 60V 15A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 15A（Ta） 41W（Tc） DPAK+
  
  型号：TJ15S06M3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TJ15S06M3L(T6L1NQ-ND
  别名：TJ15S06M3L(T6L1NQ
  TJ15S06M3LT6L1NQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 40V 20A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20A（Ta） 41W（Tc） DPAK+
  
  型号：TJ20S04M3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TJ20S04M3L(T6L1NQ-ND
  别名：TJ20S04M3L(T6L1NQ
  TJ20S04M3LT6L1NQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 20A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 38W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK20S04K3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TK20S04K3L(T6L1NQ-ND
  别名：TK20S04K3L(T6L1NQ
  TK20S04K3LT6L1NQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 20A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 38W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK20S06K3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TK20S06K3L(T6L1NQ-ND
  别名：TK20S06K3L(T6L1NQ
  TK20S06K3LT6L1NQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 22A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta） 1.2W（Ta），45W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
  
  型号：NP22N055SHE-E1-AY
  仓库库存编号：NP22N055SHE-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 32A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 1.2W（Ta），66W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
  
  型号：NP32N055SLE-E1-AY
  仓库库存编号：NP32N055SLE-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 30A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta） 58W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK30S06K3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TK30S06K3L(T6L1NQ-ND
  别名：TK30S06K3L(T6L1NQ
  TK30S06K3LT6L1NQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 35A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Ta） 58W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK35S04K3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TK35S04K3L(T6L1NQ-ND
  别名：TK35S04K3L(T6L1NQ
  TK35S04K3LT6L1NQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 34A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Ta） 1.2W（Ta），88W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
  
  型号：NP34N055SLE-E1-AY
  仓库库存编号：NP34N055SLE-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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