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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 100W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK100S04N1L,LQ
  仓库库存编号：TK100S04N1LLQCT-ND
  别名：TK100S04N1LLQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 145A 8PWRFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 145A（Tc） 4.8W（Ta）, 125W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL140N6F7
  仓库库存编号：497-15911-1-ND
  别名：497-15911-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRANS NPN DARL 400V 15A TO-247-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 400V 15A 135W Through Hole TO-247-3
  
  型号：BU931P
  仓库库存编号：497-3128-5-ND
  别名：497-3128-5
  BU931P-TO218
  BU931P-TO218-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET NCH 1.2KV 17A TO247N
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 103W（Tc） TO-247N
  
  型号：SCT3160KLGC11
  仓库库存编号：SCT3160KLGC11-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 165W（Tc） TO-247
  
  型号：SCT2160KEC
  仓库库存编号：SCT2160KEC-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 1.2KV 10A
  详细描述：通孔 10A（Tc） 170W（Tc） TO-247AB
  
  型号：GA10JT12-247
  仓库库存编号：1242-1187-ND
  别名：1242-1187
  GA10JT12247
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 40V 36A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 36A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：STD36P4LLF6
  仓库库存编号：497-16034-1-ND
  别名：497-16034-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 60 V, 0.0028 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 158W（Tc） H2PAK-6
  
  型号：STH140N6F7-6
  仓库库存编号：497-16971-1-ND
  别名：497-16971-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  IGBT 650V 150A EMIPAK-2B
  详细描述：IGBT Module Trench Three Level Inverter 650V 142A 417W Chassis Mount EMIPAK-2B
  
  型号：VS-ETF150Y65U
  仓库库存编号：VS-ETF150Y65U-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B
  详细描述：IGBT Module Trench Three Level Inverter 600V 109A 294W Chassis Mount EMIPAK-2B
  
  型号：VS-ETF075Y60U
  仓库库存编号：VS-ETF075Y60UGI-ND
  别名：VS-ETF075Y60U-ND
  VS-ETF075Y60UGI
  VSETF075Y60U
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET PCH 60V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Tc） 35W（Tc） DPAK
  
  型号：STD15P6F6AG
  仓库库存编号：STD15P6F6AG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 70W（Tc） DPAK
  
  型号：STD96N3LLH6
  仓库库存编号：497-11214-1-ND
  别名：497-11214-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP95N3LLH6
  仓库库存编号：497-10307-5-ND
  别名：497-10307-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 40V 46A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 46A（Tc） 70W（Tc） DPAK
  
  型号：STD46P4LLF6
  仓库库存编号：497-15463-1-ND
  别名：497-15463-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP80NF06
  仓库库存编号：497-3201-5-ND
  别名：497-3201-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V POWERFLAT5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 5W（Ta），100W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL90N10F7
  仓库库存编号：497-13969-1-ND
  别名：497-13969-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 60V 10A IPAK
  详细描述：通孔 P 沟道 10A（Tc） 35W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：STU10P6F6
  仓库库存编号：497-13884-5-ND
  别名：497-13884-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 60A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP60NF03L
  仓库库存编号：497-12616-5-ND
  别名：497-12616-5
  STP60NF03L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT TRENCH 650V 60A TO247A
  详细描述：IGBT Trench 650V 60A 150W Through Hole TO-247A
  
  型号：RJP65T43DPQ-A0#T2
  仓库库存编号：RJP65T43DPQ-A0#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT TRENCH 650V 100A TO247A
  详细描述：IGBT Trench 650V 100A 250W Through Hole TO-247A
  
  型号：RJH65T14DPQ-A0#T0
  仓库库存编号：RJH65T14DPQ-A0#T0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT TRENCH 650V 80A TO247A
  详细描述：IGBT Trench 650V 80A 340.9W Through Hole TO-247A
  
  型号：RJH65T46DPQ-A0#T0
  仓库库存编号：RJH65T46DPQ-A0#T0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT TRENCH 650V 90A TO247A
  详细描述：IGBT Trench 650V 90A 375W Through Hole TO-247A
  
  型号：RJH65T47DPQ-A0#T0
  仓库库存编号：RJH65T47DPQ-A0#T0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Renesas Electronics America
  IGBT TRENCH 650V 100A TO247A
  详细描述：IGBT Trench 650V 100A 375W Through Hole TO-247A
  
  型号：RJH65D27BDPQ-A0#T2
  仓库库存编号：RJH65D27BDPQ-A0#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 30A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 134W（Tc） TO-247N
  
  型号：SCT3080ALGC11
  仓库库存编号：SCT3080ALGC11-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  IGBT 650V 150A EMIPAK-2B
  详细描述：IGBT Module NPT Half Bridge Inverter 650V 201A 600W Module
  
  型号：VS-ETF150Y65N
  仓库库存编号：VS-ETF150Y65NGI-ND
  别名：VS-ETF150Y65NGI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 175°C（TJ）,
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