产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Tc) 700mW(Ta),42W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPN7R506NH,L1Q
仓库库存编号:
TPN7R506NHL1QCT-ND
别名:TPN7R506NHL1QCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Ta) 60W(Tc) DP
型号:
TK50P04M1(T6RSS-Q)
仓库库存编号:
TK50P04M1(T6RSSQ)CT-ND
别名:TK50P04M1(T6RSSQ)CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 5A, 4.5A 2W Surface Mount 8-SOP
型号:
SH8M3TB1
仓库库存编号:
SH8M3TB1CT-ND
别名:SH8M3TB1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta) 700mW(Ta),22W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPN4R203NC,L1Q
仓库库存编号:
TPN4R203NCL1QCT-ND
别名:TPN4R203NCL1QCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta) 2W(Ta) 8-HSMT(3.2x3)
型号:
RQ3E130MNTB1
仓库库存编号:
RQ3E130MNTB1CT-ND
别名:RQ3E130MNTB1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 2W(Ta) 8-HSMT(3.2x3)
型号:
RQ3E100MNTB1
仓库库存编号:
RQ3E100MNTB1CT-ND
别名:RQ3E100MNTB1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 45A(Tc) 700mW(Ta),42W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPN2R703NL,L1Q
仓库库存编号:
TPN2R703NLL1QCT-ND
别名:TPN2R703NL,L1QCT
TPN2R703NL,L1QCT-ND
TPN2R703NLL1QCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 30V 22A 8HSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),70A(Tc) 2.8W(Ta),28W(Tc) 8-HSO
型号:
SK8603160L
仓库库存编号:
P16268CT-ND
别名:P16268CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSS090N03FU6TB
仓库库存编号:
RSS090N03FU6TBCT-ND
别名:RSS090N03TBCT
RSS090N03TBCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
TRANS NPN DARL 100V 4A TO-126
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 4A 40W Through Hole TO-126
型号:
BD681S
仓库库存编号:
BD681S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 40A ATPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Ta) 70W(Tc) ATPAK
型号:
ATP405-TL-H
仓库库存编号:
869-1088-1-ND
别名:869-1088-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 60V 28A 8-SOP ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Ta) 1.6W(Ta),57W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPH5R906NH,L1Q
仓库库存编号:
TPH5R906NHL1QCT-ND
别名:TPH5R906NHL1QCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
TRANS NPN DARL 80V 4A SOT-32
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 4A 40W Through Hole SOT-32-3
型号:
BD679A
仓库库存编号:
497-7175-5-ND
别名:497-7175-5
BD679A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Ta) 50W(Tc) 8-WPAK(3)
型号:
RJK0391DPA-00#J5A
仓库库存编号:
RJK0391DPA-00#J5ACT-ND
别名:RJK0391DPA-00#J5ACT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 60V 32A 8-SOP ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Ta) 1.6W(Ta),63W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPH4R606NH,L1Q
仓库库存编号:
TPH4R606NHL1QCT-ND
别名:TPH4R606NHL1QCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
TRANS NPN 400V 2.5A TO-220
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 2.5A 60W Through Hole TO-220
型号:
BUL741
仓库库存编号:
497-7207-5-ND
别名:497-7207-5
BUL741-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
TRANS NPN DARL 60V 4A SOT-32
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 4A 40W Through Hole SOT-32-3
型号:
BD677A
仓库库存编号:
497-2600-5-ND
别名:497-2600-5
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
TRANS NPN 60V 3A TO-220
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 3A 40W Through Hole TO-220AB
型号:
2ST31A
仓库库存编号:
497-11083-5-ND
别名:497-11083-5
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 6A CPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 40W(Tc) CPT3
型号:
R6006ANDTL
仓库库存编号:
R6006ANDTLCT-ND
别名:R6006ANDTLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET 2N-CH 30V 16A/46A 8-HSO
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 16A, 46A 1.7W, 2.5W Surface Mount 8-HSO
型号:
SC8673040L
仓库库存编号:
P16273CT-ND
别名:P16273CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Tc) 60W(Tc) I-Pak
型号:
STU9HN65M2
仓库库存编号:
497-16026-5-ND
别名:497-16026-5
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 5.5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Tc) 20W(Tc) TO-220FP
型号:
STF9HN65M2
仓库库存编号:
497-16014-5-ND
别名:497-16014-5
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
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Sanken
TRANS PNP DARL 100V 6A TO220F
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 6A 100MHz 30W Through Hole TO-220F
型号:
2SB1258
仓库库存编号:
2SB1258-ND
别名:2SB1258 DK
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 5.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Tc) 90W(Tc) I-Pak
型号:
STU6N62K3
仓库库存编号:
497-12699-5-ND
别名:497-12699-5
STU6N62K3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
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Sanken
TRANS PNP DARL 60V 12A TO220F
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60V 12A 130MHz 30W Through Hole TO-220F
型号:
2SB1351
仓库库存编号:
2SB1351-ND
别名:2SB1351 DK
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 150°C(TJ),
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