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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 25A TO247-3
  详细描述：IGBT NPT and Trench 1200V 50A 231W Through Hole PG-TO247-3
  
  型号：IHW25N120E1XKSA1
  仓库库存编号：IHW25N120E1XKSA1-ND
  别名：SP001391910
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• STMicroelectronics
  SCR 1.2KV 19A D2PAK
  详细描述：SCR 1200V (1.2kV) 30A Sensitive Gate Surface Mount D2PAK
  
  型号：TN3050H-12GY-TR
  仓库库存编号：497-17100-1-ND
  别名：497-17100-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  TRIAC ALTERNISTOR 600V 25A TO220
  详细描述：TRIAC Standard 600V 25A Through Hole TO-220AB
  
  型号：HQ6025LH5TP
  仓库库存编号：F7857-ND
  别名：F7857
  HQ6025LH5TP-ND
  HQ6025LH5TPLF
  HQ6025LH5TPLF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• EPC
  TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2034ENGRT
  仓库库存编号：917-EPC2034ENGRCT-ND
  别名：917-1142-1
  917-1142-1-ND
  917-EPC2034ENGRCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
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• EPC
  TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2033ENGRT
  仓库库存编号：917-EPC2033ENGRCT-ND
  别名：917-1141-1
  917-1141-1-ND
  917-EPC2033ENGRCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 50A 190W TO247-3
  详细描述：IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 50A 190W Through Hole PG-TO247-3
  
  型号：IKW25T120FKSA1
  仓库库存编号：IKW25T120FKSA1-ND
  别名：IKW25T120
  IKW25T120-ND
  SP000013939
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• EPC
  TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 48A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2032ENGRT
  仓库库存编号：917-EPC2032ENGRCT-ND
  别名：917-EPC2032ENGRCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 31.2A（Tc） 277.8W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R110CFDAAKSA1
  仓库库存编号：IPP65R110CFDAAKSA1-ND
  别名：SP000895234
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  TRIAC ALTERNISTOR 600V 25A TO218
  详细描述：TRIAC Alternistor - Snubberless 600V 25A Through Hole TO-218 Isolated Tab
  
  型号：HQ6025KH5TP
  仓库库存编号：HQ6025KH5TP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• EPC
  TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2020ENGR
  仓库库存编号：917-EPC2020ENGRCT-ND
  别名：917-EPC2020ENGRCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• EPC
  TRANS GAN 200V BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2047ENGRT
  仓库库存编号：917-EPC2047ENGRCT-ND
  别名：917-EPC2047ENGRCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  无铅
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• EPC
  TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2023ENG
  仓库库存编号：917-EPC2023ENG-ND
  别名：917-EPC2023ENG
  EPC2023ENGRC2
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2021ENG
  仓库库存编号：917-EPC2021ENG-ND
  别名：917-EPC2021ENG
  EPC2021ENGRB3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO-247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 63.3A（Tc） 500W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R048CFDAFKSA1
  仓库库存编号：IPW65R048CFDAFKSA1-ND
  别名：SP000895318
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  620V 30A DC/AC HIGH POWER MOD
  详细描述：IGBT Module Full Bridge Inverter 620V 39A 231W Chassis Mount F1
  
  型号：FPF1C2P5MF07AM
  仓库库存编号：FPF1C2P5MF07AM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 5N-CH 650V 36A F1 MODULE
  详细描述：Mosfet Array 5 N-Channel (Solar Inverter) 650V 36A 250W Chassis Mount F1
  
  型号：FPF1C2P5BF07A
  仓库库存编号：FPF1C2P5BF07A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IC LOAD SWITCH 650V 50A
  详细描述：IGBT Module Field Stop Three Phase 650V 30A 135W Chassis Mount F2
  
  型号：FPF2C8P2NL07A
  仓库库存编号：FPF2C8P2NL07A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IC LOAD SWITCH
  详细描述：IGBT Module Field Stop 3 Independent 650V 40A 156W Through Hole F2
  
  型号：FPF2G120BF07AS
  仓库库存编号：FPF2G120BF07AS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IC LOAD SWITCH
  详细描述：IGBT Module Field Stop 3 Independent 650V 40A 156W Through Hole F2
  
  型号：FPF2G120BF07ASP
  仓库库存编号：FPF2G120BF07ASP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  IGBT 600V 500A 1250W PKG D
  详细描述：IGBT Module Half Bridge 600V 500A 1250W Chassis Mount D3
  
  型号：MG06400D-BN4MM
  仓库库存编号：F6285-ND
  别名：F6285
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Littelfuse Inc.
  IGBT 1200V 450A 1800W PKG D
  详细描述：IGBT Module Half Bridge 1200V 450A 1800W Chassis Mount D3
  
  型号：MG12300D-BA1MM
  仓库库存编号：F6483-ND
  别名：F6483
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Tc） 5W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN60R2K1CEATMA1
  仓库库存编号：IPN60R2K1CEATMA1CT-ND
  别名：IPN60R2K1CEATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 2.3A TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R2K1CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD60R2K1CEAUMA1CT-ND
  别名：IPD60R2K1CEAUMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 700V 5.4A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.4A（Tc） 5W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN70R1K5CEATMA1
  仓库库存编号：IPN70R1K5CEATMA1CT-ND
  别名：IPN70R1K5CEATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP6-6
  
  型号：BSL202SNL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSL202SNL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSL202SN L6327CT
  BSL202SN L6327CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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