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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.4A（Tc） 53W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD70R1K4CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD70R1K4CEAUMA1CT-ND
  别名：IPD70R1K4CEAUMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 49W（Tc） PG-TO-252
  
  型号：IPD60R1K5CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD60R1K5CEAUMA1TR-ND
  别名：IPD60R1K5CEAUMA1-ND
  IPD60R1K5CEAUMA1TR
  SP001396902
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 49W（Tc） PG-TO-252
  
  型号：IPD60R1K5CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD60R1K5CEAUMA1CT-ND
  别名：IPD60R1K5CEAUMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 49W（Tc） PG-TO-252
  
  型号：IPD60R1K5CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD60R1K5CEAUMA1DKR-ND
  别名：IPD60R1K5CEAUMA1DKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Tc） 37W（Tc） TO-252-3
  
  型号：IPD60R1K0CEATMA1
  仓库库存编号：IPD60R1K0CEATMA1CT-ND
  别名：IPD60R1K0CEATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.4A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD70R950CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD70R950CEAUMA1CT-ND
  别名：IPD70R950CEAUMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 8.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 23W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD70R1K4P7SAUMA1
  仓库库存编号：IPD70R1K4P7SAUMA1CT-ND
  别名：IPD70R1K4P7SAUMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 12.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 30.5W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD70R900P7SAUMA1
  仓库库存编号：IPD70R900P7SAUMA1CT-ND
  别名：IPD70R900P7SAUMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 20.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Tc） 43W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD70R600P7SAUMA1
  仓库库存编号：IPD70R600P7SAUMA1CT-ND
  别名：IPD70R600P7SAUMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 20V 15A DIRECTFET
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 15A 1.7W Surface Mount DIRECTFET? SA
  
  型号：IRL6297SDTRPBF
  仓库库存编号：IRL6297SDTRPBFCT-ND
  别名：IRL6297SDTRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），72A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? ST
  
  型号：IRF6626
  仓库库存编号：IRF6626CT-ND
  别名：IRF6626CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），150A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MX
  
  型号：IRF6619
  仓库库存编号：IRF6619CT-ND
  别名：IRF6619CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.3A（Tc） 89.3W（Tc） 8-ThinPak（5x6）
  
  型号：IPL60R360P6SATMA1
  仓库库存编号：IPL60R360P6SATMA1CT-ND
  别名：IPL60R360P6SATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），150A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MX
  
  型号：IRF6619TR1PBF
  仓库库存编号：IRF6619TR1PBFCT-ND
  别名：IRF6619TR1PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），163A（Tc） 2.8W（Ta），57W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB013NE2LXI
  仓库库存编号：BSB013NE2LXICT-ND
  别名：BSB013NE2LXICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 106A 2WDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），106A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSF024N03LT3GXUMA1
  仓库库存编号：BSF024N03LT3GXUMA1CT-ND
  别名：BSF024N03LT3 GCT
  BSF024N03LT3 GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），150A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MX
  
  型号：IRF6678
  仓库库存编号：IRF6678CT-ND
  别名：IRF6678CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），55A（Tc） 1.4W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? ST
  
  型号：IRF6623TRPBF
  仓库库存编号：IRF6623TRPBFCT-ND
  别名：IRF6623TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19.2A（Tc） 151W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL60R210P6AUMA1
  仓库库存编号：IPL60R210P6AUMA1CT-ND
  别名：IPL60R210P6AUMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），180A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB015N04NX3 G
  仓库库存编号：BSB015N04NX3 GCT-ND
  别名：BSB015N04NX3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 19A VSON-4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 81W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL60R185P7AUMA1
  仓库库存编号：IPL60R185P7AUMA1CT-ND
  别名：IPL60R185P7AUMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 67W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL65R230C7AUMA1
  仓库库存编号：IPL65R230C7AUMA1CT-ND
  别名：IPL65R230C7AUMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），45A（Tc） 2.8W（Ta），78W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB165N15NZ3 G
  仓库库存编号：BSB165N15NZ3 GCT-ND
  别名：BSB165N15NZ3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.4A（Tc） 139W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL60R199CP
  仓库库存编号：IPL60R199CPCT-ND
  别名：IPL60R199CPCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET-MX
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Ta），200A（Tc） 2.8W（Ta），100W（Tc） DIRECTFET? MX
  
  型号：IRF6794MTR1PBF
  仓库库存编号：IRF6794MTR1PBFCT-ND
  别名：IRF6794MTR1PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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