以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• IXYS
  RECT BRIDG 3PH 127A 1200V PWS-E1
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1200V 127A Chassis Mount PWS-E1
  
  型号：VUO110-12NO7
  仓库库存编号：VUO110-12NO7-ND
  别名：462373
  VUO11012NO7
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  RECT BRIDG 3PH 127A 1600V PWS-E1
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1600V 127A Chassis Mount PWS-E1
  
  型号：VUO110-16NO7
  仓库库存编号：VUO110-16NO7-ND
  别名：VUO11016NO7
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  POWER MOD 3PH BRIDGE 55A MTK
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1600V 90A Chassis Mount MT-K
  
  型号：VS-90MT160KPBF
  仓库库存编号：VS-90MT160KPBF-ND
  别名：VS90MT160KPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  MOD BRIDGE 2PH 1600V MTK
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 1600V 110A Chassis Mount MT-K
  
  型号：VS-110MT160KPBF
  仓库库存编号：VS-110MT160KPBFGI-ND
  别名：VS-110MT160KPBF-ND
  VS-110MT160KPBFGI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 3.7A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 3.7A（Tc） 25.7W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：IPA50R950CEXKSA2
  仓库库存编号：IPA50R950CEXKSA2-ND
  别名：SP001217236
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 5.6A（Tc） 27W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R800CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R800CEXKSA1-ND
  别名：SP001276046
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 28W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R650CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R650CEXKSA1-ND
  别名：SP001276044
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 9.1A（Tc） 30W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R460CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R460CEXKSA1-ND
  别名：SP001276042
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 7.5A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Tc） 30.4W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：IPA50R280CEXKSA2
  仓库库存编号：IPA50R280CEXKSA2-ND
  别名：SP001217218
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  TRIAC 800V 8A TO220AB
  详细描述：TRIAC Standard 800V 8A Through Hole TO-220AB
  
  型号：BTA08-800CRG
  仓库库存编号：497-12441-5-ND
  别名：497-12441-5
  BTA08-800CRG-ND
  BTA08800CRG
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  TRIAC ALTERNISTOR 800V TO-220AB
  详细描述：TRIAC Alternistor - Snubberless 800V 16A Through Hole TO-220AB
  
  型号：T1635T-8T
  仓库库存编号：497-13998-5-ND
  别名：497-13998-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  TRIAC ALTERNISTOR 600V TO220AB
  详细描述：TRIAC Alternistor - Snubberless 600V 12A Through Hole TO-220AB
  
  型号：T1235H-6T
  仓库库存编号：497-7631-5-ND
  别名：497-7631-5
  T1235H-6T-ND
  T1235H6T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 100V 1.9A D-37
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 1.9A Through Hole 2KBB
  
  型号：VS-2KBB10
  仓库库存编号：VS-2KBB10GI-ND
  别名：2KBB10
  2KBB10-ND
  Q2825756
  VS-2KBB10-ND
  VS-2KBB10GI
  VS2KBB10
  VS2KBB10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  TRIAC ALTERNISTOR 600V TO220AB
  详细描述：TRIAC Alternistor - Snubberless 600V 16A Through Hole TO-220AB
  
  型号：T1635H-6I
  仓库库存编号：497-7634-5-ND
  别名：497-7634-5
  T1635H-6I-ND
  T1635H6I
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Sanken
  TRIAC 600V 20A
  详细描述：TRIAC Standard 600V 20A Through Hole TO-220F
  
  型号：TMB206S-L
  仓库库存编号：TMB206S-L-ND
  别名：TMB206S-L DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 不受无铅要求限制
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  TRIAC ALTERNISTOR 800V TO220AB
  详细描述：TRIAC Alternistor - Snubberless 800V 16A Through Hole TO-220AB
  
  型号：T1620T-8I
  仓库库存编号：497-13291-5-ND
  别名：497-13291-5
  T1620T8I
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 58A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 58A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT58M50JU2
  仓库库存编号：APT58M50JU2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 75A 277W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTGT50A120T1G
  仓库库存编号：APTGT50A120T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 1700V 75A 312W SP1
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 75A 312W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTGT50SK170T1G
  仓库库存编号：APTGT50SK170T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 95A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 95A（Tc） 462W（Tc） SP1
  
  型号：APTC60SKM24T1G
  仓库库存编号：APTC60SKM24T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 500V 26A SP3
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 500V 26A 208W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTM50H14FT3G
  仓库库存编号：APTM50H14FT3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  IC BRIDGE 3PH 160A 800V MTK
  详细描述：Bridge Rectifier Three Phase 800V 160A Chassis Mount MT-K
  
  型号：VS-160MT80KPBF
  仓库库存编号：VS-160MT80KPBF-ND
  别名：VS160MT80KPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 600V 95A SP2
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 95A 462W Chassis Mount
  
  型号：APTC60AM242G
  仓库库存编号：APTC60AM242G-ND
  别名：CC20008
  CC20008A
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3
  详细描述：Mosfet Array 2 N Channel (Dual Buck Chopper) 600V 95A 462W Chassis Mount SP3
  
  型号：APTC60DSKM24T3G
  仓库库存编号：APTC60DSKM24T3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Littelfuse Inc.
  IGBT 1200V 300A 1400W PKG D
  详细描述：IGBT Module Half Bridge 1200V 300A 1400W Chassis Mount D3
  
  型号：MG12200D-BA1MM
  仓库库存编号：F6481-ND
  别名：F6481
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索