以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 18A 357W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTM100H45STG
  仓库库存编号：APTM100H45STG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT PHASE BOOST CHOP 1200V SP6
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 420A 1380W Chassis Mount SP6
  
  型号：APTGT300DA120G
  仓库库存编号：APTGT300DA120G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 500V 90A 694W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTM50AM38STG
  仓库库存编号：APTM50AM38STG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 600V 72A 416W Chassis Mount SP6-P
  
  型号：APTC60TDUM35PG
  仓库库存编号：APTC60TDUM35PG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT PHASE TRENCH FIELD STOP SP6
  详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700V 400A 1660W Chassis Mount SP6
  
  型号：APTGT300A170G
  仓库库存编号：APTGT300A170G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1200V (1.2kV) 34A 780W Chassis Mount SP6
  
  型号：APTM120H29FG
  仓库库存编号：APTM120H29FG-ND
  别名：APTM120H29FGMI
  APTM120H29FGMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
  详细描述：底座安装 N 沟道 215A（Tc） 5000W（Tc） SP6
  
  型号：APTM100UM45DAG
  仓库库存编号：APTM100UM45DAG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 131A 625W Chassis Mount D3
  
  型号：APTMC120AM16CD3AG
  仓库库存编号：APTMC120AM16CD3AG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET 6N-CH 1200V 78A SP6-P
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 1200V (1.2kV) 78A 370W Chassis Mount SP6-P
  
  型号：APTMC120TAM33CTPAG
  仓库库存编号：APTMC120TAM33CTPAG-ND
  别名：APTMC120TAM33CTPACC6543
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 250A 1100W Chassis Mount D3
  
  型号：APTMC120AM08CD3AG
  仓库库存编号：APTMC120AM08CD3AG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  TRIAC 800V 8A 10MA TO-220AB
  详细描述：TRIAC Logic - Sensitive Gate 800V 8A Through Hole TO-220AB
  
  型号：T810T-8T
  仓库库存编号：497-15287-5-ND
  别名：497-15287-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 200V 1.9A D-37
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 1.9A Through Hole 2KBB
  
  型号：VS-2KBB20
  仓库库存编号：2KBB20-ND
  别名：2KBB20
  VS-2KBB20-ND
  VS2KBB20
  VS2KBB20-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1000V 2.0A D-44
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 2A Through Hole D-44
  
  型号：VS-2KBP10
  仓库库存编号：2KBP10-ND
  别名：2KBP10
  VS-2KBP10-ND
  VS2KBP10
  VS2KBP10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 200V 2.0A D-44
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 2A Through Hole D-44
  
  型号：VS-2KBP02
  仓库库存编号：2KBP02-ND
  别名：2KBP02
  Q1984729
  VS-2KBP02-ND
  VS2KBP02
  VS2KBP02-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1000V 1.9A D-37
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 1.9A Through Hole 2KBB
  
  型号：VS-2KBB100R
  仓库库存编号：2KBB100R-ND
  别名：2KBB100R
  VS-2KBB100R-ND
  VS2KBB100R
  VS2KBB100R-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  TRIAC ALTERNISTOR 600V TO220AB
  详细描述：TRIAC Alternistor - Snubberless 600V 8A Through Hole TO-220AB
  
  型号：T835H-6I
  仓库库存编号：497-7644-5-ND
  别名：497-7644-5
  T835H-6I-ND
  T835H6I
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  TRIAC 800V 16A 10MA TO-220AB
  详细描述：TRIAC Logic - Sensitive Gate 800V 16A Through Hole TO-220AB
  
  型号：T1610T-8T
  仓库库存编号：497-15252-5-ND
  别名：497-15252-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECTIFIER 600V 3.0A D-46
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 3A Through Hole D-72
  
  型号：VS-KBPC106
  仓库库存编号：KBPC106-ND
  别名：KBPC106
  VS-KBPC106-ND
  VSKBPC106
  VSKBPC106-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 400V 1.9A D-37
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 1.9A Through Hole 2KBB
  
  型号：VS-2KBB40
  仓库库存编号：2KBB40-ND
  别名：2KBB40
  VS-2KBB40-ND
  VS2KBB40
  VS2KBB40-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 400V 1.9A D-37
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 1.9A Through Hole 2KBB
  
  型号：VS-2KBB40R
  仓库库存编号：VS-2KBB40R-ND
  别名：*2KBB40R
  2KBB40R
  2KBB40R-ND
  VS2KBB40R
  VS2KBB40R-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  TRIAC SENS GATE 800V 16A TO220AB
  详细描述：TRIAC Logic - Sensitive Gate 800V 16A Through Hole TO-220AB Insulated
  
  型号：T1610T-8I
  仓库库存编号：497-12375-ND
  别名：497-12375
  T1610T8I
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 16A 70W TO247-3
  详细描述：IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 16A 70W Through Hole PG-TO247-3
  
  型号：IKW08T120FKSA1
  仓库库存编号：IKW08T120FKSA1-ND
  别名：IKW08T120
  IKW08T120-ND
  SP000013885
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 75A 270W TO247-3
  详细描述：IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 75A 270W Through Hole PG-TO247-3
  
  型号：IGW40T120
  仓库库存编号：IGW40T120-ND
  别名：IGW40T120FKSA1
  SP000013886
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECT BRIDGE 1-PH 600V 25A GBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 25A Through Hole GBPC-W
  
  型号：VS-GBPC2506W
  仓库库存编号：GBPC2506WIR-ND
  别名：GBPC2506WIR
  VS-GBPC2506WIR
  VS-GBPC2506WIR-ND
  VSGBPC2506W
  VSGBPC2506WIR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECT BRIDGE 1-PH 1000V 25A GBPCW
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 25A Through Hole GBPC-W
  
  型号：VS-GBPC2510W
  仓库库存编号：GBPC2510W-ND
  别名：GBPC2510W
  VS-GBPC2510W-ND
  VSGBPC2510W
  VSGBPC2510W-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索