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• IXYS
  IGBT 1200V 100A W/DIODE SOT-227B
  详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 100A 450W Chassis Mount SOT-227B
  
  型号：IXDN55N120D1
  仓库库存编号：IXDN55N120D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 495A 1250W Chassis Mount SP6
  
  型号：APTM10AM02FG
  仓库库存编号：APTM10AM02FG-ND
  别名：APTM10AM02FGMI
  APTM10AM02FGMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP
  详细描述：底座安装 N 沟道 143A（Tc） 600W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT100MC120JCU2
  仓库库存编号：APT100MC120JCU2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  TRANS RF NPN 12V 30MA SOT-323
  详细描述：RF Transistor NPN 12V 30mA 10GHz 450mW Surface Mount SOT-323-3
  
  型号：BFU520WX
  仓库库存编号：568-11505-1-ND
  别名：568-11505-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  TRANS RF NPN 12V 30MA SOT23-3
  详细描述：RF Transistor NPN 12V 30mA 10GHz 450mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)
  
  型号：BFU520AR
  仓库库存编号：568-11503-1-ND
  别名：568-11503-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  TRANS RF NPN 12V 40MA TO-236AB
  详细描述：RF Transistor NPN 12V 40mA 11GHz 450mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)
  
  型号：BFU530AR
  仓库库存编号：568-11509-1-ND
  别名：568-11509-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  TRANS RF NPN 12V 50MA SOT-143B
  详细描述：RF Transistor NPN 12V 50mA 11GHz 450mW Surface Mount SOT-143B
  
  型号：BFU550R
  仓库库存编号：568-11515-1-ND
  别名：568-11515-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  TRANS RF NPN 12V 50MA SOT-323
  详细描述：RF Transistor NPN 12V 50mA 11GHz 450mW Surface Mount SOT-323-3
  
  型号：BFU550WX
  仓库库存编号：568-11516-1-ND
  别名：568-11516-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  TRANS RF NPN 12V 50MA SOT-143B
  详细描述：RF Transistor NPN 12V 50mA 11GHz 450mW Surface Mount, Gull Wing SOT-143B
  
  型号：BFU550XAR
  仓库库存编号：568-11517-1-ND
  别名：568-11517-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Tc） 5W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN60R3K4CEATMA1
  仓库库存编号：IPN60R3K4CEATMA1CT-ND
  别名：IPN60R3K4CEATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  TRANS RF NPN 12V 200MA SOT89-3
  详细描述：RF Transistor NPN 12V 200mA 8GHz 2W Surface Mount SOT-89-3
  
  型号：BFU590QX
  仓库库存编号：568-11522-1-ND
  别名：568-11522-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.7A（Tc） 56.8W（Tc） 8-ThinPak（5x6）
  
  型号：IPL60R650P6SATMA1
  仓库库存编号：IPL60R650P6SATMA1CT-ND
  别名：IPL60R650P6SATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Ta），19A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? SH
  
  型号：IRF6655TRPBF
  仓库库存编号：IRF6655TRPBFCT-ND
  别名：IRF6655TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRANS NPN 400V 1.5A SOT-32
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 1.5A 40W Through Hole SOT-32-3
  
  型号：ST13003-K
  仓库库存编号：497-10295-ND
  别名：497-10295
  ST13003K
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），180A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB014N04LX3 G
  仓库库存编号：BSB014N04LX3 GCT-ND
  别名：BSB014N04LX3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRIAC SENS GATE 600V 4A IPAK
  详细描述：TRIAC Logic - Sensitive Gate 600V 4A Through Hole I-Pak
  
  型号：T410-600H
  仓库库存编号：497-6753-5-ND
  别名：497-6753-5
  T410-600H-ND
  T410600H
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRIAC ALTERNISTOR 600V TO220AB
  详细描述：TRIAC Alternistor - Snubberless 600V 4A Through Hole TO-220AB
  
  型号：T435-600T
  仓库库存编号：497-7642-5-ND
  别名：497-7642-5
  T435-600T-ND
  T435600T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• EPC
  TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
  详细描述：Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 60V, 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
  
  型号：EPC2108ENGRT
  仓库库存编号：917-EPC2108ENGRCT-ND
  别名：917-EPC2108ENGRCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRIAC ALTERNISTOR 800V 4A IPAK
  详细描述：TRIAC Alternistor - Snubberless 800V 4A Through Hole I-Pak
  
  型号：T435-800H
  仓库库存编号：497-12809-5-ND
  别名：497-12809-5
  T435-800H-ND
  T435800H
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRIAC 600V 8A TO220AB
  详细描述：TRIAC Standard 600V 8A Through Hole TO-220AB
  
  型号：BTB08-600BRG
  仓库库存编号：497-6674-5-ND
  别名：497-6674-5
  BTB08-600BRG-ND
  BTB08600BRG
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 600V 2.0A D-44
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 2A Through Hole D-44
  
  型号：VS-2KBP06
  仓库库存编号：VS-2KBP06GI-ND
  别名：2KBP06
  2KBP06-ND
  VS-2KBP06-ND
  VS-2KBP06GI
  VS2KBP06
  VS2KBP06-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRIAC SENS GATE 600V 8A TO220AB
  详细描述：TRIAC Logic - Sensitive Gate 600V 8A Through Hole TO-220AB
  
  型号：BTA08-600SWRG
  仓库库存编号：497-6665-5-ND
  别名：497-6665-5
  BTA08-600SWRG-ND
  BTA08600SWRG
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRIAC SENS GATE 600V 8A TO220AB
  详细描述：TRIAC Logic - Sensitive Gate 600V 8A Through Hole TO-220AB
  
  型号：BTA08-600TWRG
  仓库库存编号：497-3387-5-ND
  别名：497-3387-5
  BTA08600TWRG
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 800V 1.9A D-37
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 1.9A Through Hole 2KBB
  
  型号：VS-2KBB80R
  仓库库存编号：VS-2KBB80RGI-ND
  别名：2KBB80R
  2KBB80R-ND
  VS-2KBB80R-ND
  VS-2KBB80RGI
  VS2KBB80R
  VS2KBB80R-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 200V 1.9A D-37
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 1.9A Through Hole 2KBB
  
  型号：VS-2KBB20R
  仓库库存编号：VS-2KBB20RGI-ND
  别名：2KBB20R
  2KBB20R-ND
  VS-2KBB20R-ND
  VS-2KBB20RGI
  VS2KBB20R
  VS2KBB20R-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）,
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