产品分类:分立半导体产品,规格:开关能量 1.9mJ,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 30A 198W TO263-3
详细描述:IGBT NPT 1200V 30A 198W Surface Mount PG-TO263-3
型号:
SGB15N120ATMA1
仓库库存编号:
SGB15N120ATMA1TR-ND
别名:SGB15N120
SGB15N120-ND
SP000012560
产品分类:分立半导体产品,规格:开关能量 1.9mJ,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 30A 198W TO220-3
详细描述:IGBT NPT 1200V 30A 198W Through Hole PG-TO220-3
型号:
SGP15N120XKSA1
仓库库存编号:
SGP15N120XKSA1-ND
别名:SGP15N120
SGP15N120-ND
SP000683122
产品分类:分立半导体产品,规格:开关能量 1.9mJ,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 30A 198W TO247-3
详细描述:IGBT NPT 1200V 30A 198W Through Hole PG-TO247-3
型号:
SGW15N120FKSA1
仓库库存编号:
SGW15N120FKSA1-ND
别名:SGW15N120
SGW15N120-ND
SP000012564
产品分类:分立半导体产品,规格:开关能量 1.9mJ,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 30A 198W TO247-3
详细描述:IGBT NPT 1200V 30A 198W Through Hole PG-TO247-3
型号:
SKW15N120FKSA1
仓库库存编号:
SKW15N120FKSA1-ND
别名:SKW15N120
SKW15N120-ND
SP000012570
产品分类:分立半导体产品,规格:开关能量 1.9mJ,
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