产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(1149)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(1149)
筛选品牌
Diodes Incorporated (1149)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Diodes Incorporated
MOSFET NCH 40V 15.5A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 15.5A(Ta),100A(Tc) 2.7W(Ta),150W(Tc) PowerDI5060-8
型号:
DMTH4007LPSQ-13
仓库库存编号:
DMTH4007LPSQ-13DICT-ND
别名:DMTH4007LPSQ-13DICT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 100A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 3.9W(Ta), 180W(Tc) TO-252-4L
型号:
DMTH6004SK3Q-13
仓库库存编号:
DMTH6004SK3Q-13DICT-ND
别名:DMTH6004SK3Q-13DICT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 4.6A(Tc) 41W(Tc) TO-251
型号:
DMJ70H1D3SI3
仓库库存编号:
DMJ70H1D3SI3DI-ND
别名:DMJ70H1D3SI3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
详细描述:通孔 N 沟道 4.6A(Tc) 41W(Tc) TO-251
型号:
DMJ70H1D3SH3
仓库库存编号:
DMJ70H1D3SH3DI-ND
别名:DMJ70H1D3SH3-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CHA 60V 98A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 98A(Tc) 2.3W(Ta), 104W(Tc) TO-220-3
型号:
DMT6010SCT
仓库库存编号:
DMT6010SCTDI-5-ND
别名:DMT6010SCTDI-5
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET 100V 108A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 108A(Tc) 2.4W(Ta), 166W(Tc) TO-220AB
型号:
DMTH10H010LCT
仓库库存编号:
DMTH10H010LCTDI-5-ND
别名:DMTH10H010LCTDI-5
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 100A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 4.7W(Ta), 136W(Tc) TO-263AB
型号:
DMTH6004SCTBQ-13
仓库库存编号:
DMTH6004SCTBQ-13DICT-ND
别名:DMTH6004SCTBQ-13DICT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET 60V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 2.8W(Ta), 136W(Tc) TO-220-3
型号:
DMTH6004SCT
仓库库存编号:
DMTH6004SCTDI-5-ND
别名:DMTH6004SCTDI-5
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 310mA(Ta) 370mW(Ta) SOT-23
型号:
DMN65D8LQ-13
仓库库存编号:
DMN65D8LQ-13-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 210mA(Ta) 340mW(Ta) SOT-23
型号:
DMN67D8L-13
仓库库存编号:
DMN67D8L-13-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 240mA(Ta) 320mW(Ta) SOT-323
型号:
DMN67D8LW-13
仓库库存编号:
DMN67D8LW-13-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 380mA(Ta) 370mW(Ta) SOT-23
型号:
DMN63D1L-13
仓库库存编号:
DMN63D1L-13-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 210mA(Ta) 340mW(Ta) SOT-23
型号:
DMN67D8L-7
仓库库存编号:
DMN67D8L-7-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 50V SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 360mA(Ta) 320mW(Ta) SOT-323
型号:
DMN53D0LW-13
仓库库存编号:
DMN53D0LW-13DITR-ND
别名:DMN53D0LW-13DITR
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 310mA(Ta) 370mW(Ta) SOT-23
型号:
DMN65D8LQ-7
仓库库存编号:
DMN65D8LQ-7-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 380mA(Ta) 310mW(Ta) SOT-323
型号:
DMN63D1LW-13
仓库库存编号:
DMN63D1LW-13-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 180MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 180mA(Ta) 370mW(Ta) SOT-23
型号:
2N7002AQ-13
仓库库存编号:
2N7002AQ-13-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 240mA(Ta) 320mW(Ta) SOT-323
型号:
DMN67D8LW-7
仓库库存编号:
DMN67D8LW-7-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT523
详细描述:表面贴装 N 沟道 350mA(Ta) 320mW SOT-523
型号:
DMN31D6UT-13
仓库库存编号:
DMN31D6UT-13-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 1.5W(Ta) SOT-23
型号:
DMG2301L-13
仓库库存编号:
DMG2301L-13-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 380mA(Ta) 370mW(Ta) SOT-23
型号:
DMN63D1L-7
仓库库存编号:
DMN63D1L-7-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 0.115A
详细描述:表面贴装 N 沟道 115mA(Ta) 240mW(Ta) SOT-523
型号:
DMN33D8LT-13
仓库库存编号:
DMN33D8LT-13-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET NCH 50V 500MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 500mA(Ta) 370mW(Ta) SOT-23
型号:
DMN53D0LQ-13
仓库库存编号:
DMN53D0LQ-13-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.8A(Ta) 1.08W(Ta) SOT-23
型号:
DMP3099L-13
仓库库存编号:
DMP3099L-13DITR-ND
别名:DMP3099L-13DITR
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET NCH 20V 2.8A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.8A(Ta) 660mW(Ta) SOT-23
型号:
DMG2302UK-13
仓库库存编号:
DMG2302UK-13-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
搜索
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号