产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 500V 23A(Tc) 347W(Tc) TO-3PN
型号:
GP2M023A050N
仓库库存编号:
GP2M023A050N-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 17.3W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M003A050FG
仓库库存编号:
1560-1154-5-ND
别名:1560-1154-1
1560-1154-1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 3A(Tc) 94W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
GP1M003A080CH
仓库库存编号:
1560-1155-1-ND
别名:1560-1155-1
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 3A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3A(Tc) 32W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M003A080FH
仓库库存编号:
1560-1156-5-ND
别名:1560-1156-1
1560-1156-1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 2.5A(Tc) 94W(Tc) D-Pak
型号:
GP1M003A090C
仓库库存编号:
1560-1157-1-ND
别名:1560-1157-1
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 900V 2.5A(Tc) 94W(Tc) I-Pak
型号:
GP1M003A090PH
仓库库存编号:
1560-1158-5-ND
别名:1560-1158-1
1560-1158-1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 4A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4A(Tc) 32W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M005A050FSH
仓库库存编号:
1560-1159-5-ND
别名:1560-1159-1
1560-1159-1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 4A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4A(Tc) 92.5W(Tc) TO-220
型号:
GP1M005A050HS
仓库库存编号:
1560-1160-5-ND
别名:1560-1160-1
1560-1160-1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 650V 5.5A(Tc) 39W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M006A065FH
仓库库存编号:
1560-1161-5-ND
别名:1560-1161-1
1560-1161-1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 700V 5A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 700V 5A(Tc) 39W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M006A070FH
仓库库存编号:
1560-1162-5-ND
别名:1560-1162-1
1560-1162-1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 6.5A(Tc) 120W(Tc) D-Pak
型号:
GP1M007A065CG
仓库库存编号:
1560-1163-2-ND
别名:1560-1163-2
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 7A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 7A(Tc) 40.3W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M007A090FH
仓库库存编号:
1560-1164-5-ND
别名:1560-1164-1
1560-1164-1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 7A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 900V 7A(Tc) 250W(Tc) TO-220
型号:
GP1M007A090H
仓库库存编号:
1560-1165-5-ND
别名:1560-1165-1
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产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 250V 8A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 250V 8A(Tc) 52W(Tc) I-Pak
型号:
GP1M008A025PG
仓库库存编号:
1560-1166-5-ND
别名:1560-1166-1
1560-1166-1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 8A(Tc) 120W(Tc) D-Pak
型号:
GP1M008A050CG
仓库库存编号:
1560-1167-1-ND
别名:1560-1167-1
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 8A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 8A(Tc) 39W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M008A050FG
仓库库存编号:
1560-1168-5-ND
别名:1560-1168-1
1560-1168-1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 8A(Tc) 120W(Tc) TO-220
型号:
GP1M008A050HG
仓库库存编号:
1560-1169-5-ND
别名:1560-1169-1
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产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 8A(Tc) 250W(Tc) TO-220
型号:
GP1M008A080H
仓库库存编号:
1560-1170-5-ND
别名:1560-1170-1
1560-1170-1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 200V 9A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9A(Tc) 17.3W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M009A020FG
仓库库存编号:
1560-1171-5-ND
别名:1560-1171-1
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产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 9A(Tc) 158W(Tc) TO-220
型号:
GP1M009A060H
仓库库存编号:
1560-1172-5-ND
别名:1560-1172-1
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 9A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 9A(Tc) 48W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M009A090FH
仓库库存编号:
1560-1173-5-ND
别名:1560-1173-1
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产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 900V 9.5A(Tc) 312W(Tc) TO-3PN
型号:
GP1M009A090N
仓库库存编号:
1560-1174-5-ND
别名:1560-1174-1
1560-1174-1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 10A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 198W(Tc) TO-220
型号:
GP1M010A060H
仓库库存编号:
1560-1175-5-ND
别名:1560-1175-1
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 800V 9.5A(Tc) 48W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M010A080FH
仓库库存编号:
1560-1176-5-ND
别名:1560-1176-1
1560-1176-1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 9.5A(Tc) 290W(Tc) TO-220
型号:
GP1M010A080H
仓库库存编号:
1560-1177-5-ND
别名:1560-1177-1
1560-1177-1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Global Power Technologies Group,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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