产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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分立半导体产品
分立半导体产品
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Microsemi Corporation (561)
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 56A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 500V 56A(Tc) 780W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT56F50L
仓库库存编号:
APT56F50L-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 56A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 60A(Tc) 1040W(Tc) TO-264
型号:
APT56M60L
仓库库存编号:
APT56M60L-ND
别名:APT56M60LMI
APT56M60LMI-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 35A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 35A(Tc) 403W(Tc) D3 [S]
型号:
APT5014SLLG
仓库库存编号:
APT5014SLLG-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 56A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 600V 60A(Tc) 1040W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT56M60B2
仓库库存编号:
APT56M60B2-ND
别名:APT56M60B2MP
APT56M60B2MP-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 60A(Tc) 431W(Tc) D3Pak
型号:
APT60N60SCSG/TR
仓库库存编号:
APT60N60SCSG/TR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 47A(Tc) 417W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT47N65BC3G
仓库库存编号:
APT47N65BC3G-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 60A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 600V 60A(Tc) 1040W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT56F60L
仓库库存编号:
APT56F60L-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 500V 46A(Tc) 520W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT5010B2LLG
仓库库存编号:
APT5010B2LLG-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 43A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 800V 43A(Tc) 1040W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT41M80L
仓库库存编号:
APT41M80L-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 60A(Tc) 1040W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT56F60B2
仓库库存编号:
APT56F60B2-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 43A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 800V 43A(Tc) 1040W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT41M80B2
仓库库存编号:
APT41M80B2-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 650V 97A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 650V 97A(Tc) 862W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT97N65LC6
仓库库存编号:
APT97N65LC6-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 500V 75A(Tc) 1040W(Tc) T-MAX?
型号:
APT75M50B2
仓库库存编号:
APT75M50B2-ND
别名:APT75M50B2MI
APT75M50B2MI-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 32A(Tc) 1040W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT31M100B2
仓库库存编号:
APT31M100B2-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 800V 41A(Tc) 1040W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT38F80B2
仓库库存编号:
APT38F80B2-ND
别名:APT38F80B2MI
APT38F80B2MI-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 12A(Tc) 298W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT10090BFLLG
仓库库存编号:
APT10090BFLLG-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 84A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 84A(Tc) 1135W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT84F50B2
仓库库存编号:
APT84F50B2-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 75A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 500V 75A(Tc) 1040W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT75F50L
仓库库存编号:
APT75F50L-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 30A TO264
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 30A(Tc) 1040W(Tc) TO-264
型号:
APT29F100L
仓库库存编号:
APT29F100L-ND
别名:APT29F100LMI
APT29F100LMI-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 600V 70A(Tc) 1135W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT66M60B2
仓库库存编号:
APT66M60B2-ND
别名:APT66M60B2MI
APT66M60B2MI-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 75A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 75A(Tc) 1040W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT75F50B2
仓库库存编号:
APT75F50B2-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 800V 49A(Tc) 1135W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT48M80B2
仓库库存编号:
APT48M80B2-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 60A(Tc) 431W(Tc) D3Pak
型号:
APT60N60SCSG
仓库库存编号:
APT60N60SCSG-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 100A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 200V 100A(Tc) 520W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT20M22LVRG
仓库库存编号:
APT20M22LVRG-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 44A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 800V 47A(Tc) 1135W(Tc) TO-264
型号:
APT44F80L
仓库库存编号:
APT44F80L-ND
别名:APT44F80LMI
APT44F80LMI-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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