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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 15A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：STD46N6F7
  仓库库存编号：497-16476-1-ND
  别名：497-16476-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 50A 8-DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 48A（Ta），50A（Tc） 6.2W（Ta），83.3W（Tc） 8-DFN-EP（3.3x3.3）
  
  型号：AON7520
  仓库库存编号：785-1633-1-ND
  别名：785-1633-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：NDS9407
  仓库库存编号：NDS9407CT-ND
  别名：NDS9407CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.4A（Ta） 5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS86106
  仓库库存编号：FDS86106CT-ND
  别名：FDS86106CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 24A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 40W（Tc） DPAK
  
  型号：STD30N6LF6AG
  仓库库存编号：497-16302-1-ND
  别名：497-16302-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4116DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4116DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4116DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 4.6A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.4A（Ta） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZXMP3A16GTA
  仓库库存编号：ZXMP3A16GCT-ND
  别名：ZXMP3A16GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 1A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Ta） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZVN4206GTA
  仓库库存编号：ZVN4206GCT-ND
  别名：ZVN4206G
  ZVN4206GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 1.8W（Ta），8.3W（Tc） SOT-223
  
  型号：PHT6NQ10T,135
  仓库库存编号：1727-5352-1-ND
  别名：1727-5352-1
  568-6791-1
  568-6791-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 530mA（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2325DS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2325DS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2325DS-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.8A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7119DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7119DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7119DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Tc） 760mW（Ta），2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2337DS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2337DS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2337DS-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10.8A（Ta），50A（Tc） 2.4W（Ta），69W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD4141
  仓库库存编号：FDD4141CT-ND
  别名：FDD4141CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 3.5W（Ta），19.2W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA430DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA430DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA430DJ-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 530mA（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2325DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2325DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2325DS-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.3A（Ta） 1.1W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3499DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3499DV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3499DV-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 38V 14A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 14A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4425
  仓库库存编号：785-1026-1-ND
  别名：785-1026-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 40V 30A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），50A（Tc） 6.2W（Ta），83W（Tc） 8-DFN-EP（3.3x3.3）
  
  型号：AON7242
  仓库库存编号：785-1378-1-ND
  别名：785-1378-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 35V 13A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 13A（Ta），55A（Tc） 3.1W（Ta），57W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD6637
  仓库库存编号：FDD6637CT-ND
  别名：FDD6637CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 1A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Ta） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZVN4206GVTA
  仓库库存编号：ZVN4206GVCT-ND
  别名：ZVN4206GV
  ZVN4206GVCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（3.3x3.3）
  
  型号：CSD16327Q3
  仓库库存编号：296-30138-1-ND
  别名：296-30138-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），60A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（3.3x3.3）
  
  型号：CSD16323Q3
  仓库库存编号：296-24522-1-ND
  别名：296-24522-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.17A（Tc） 3.2W（Ta），12.5W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7117DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7117DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7117DN-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 12.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS8447
  仓库库存编号：FDS8447CT-ND
  别名：FDS8447CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4464DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4464DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4464DY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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