产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 4.8W(Ta),41.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR462DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR462DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR462DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),34.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR422DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR422DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR422DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 272W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN0R9-25YLC,115
仓库库存编号:
1727-5292-1-ND
别名:1727-5292-1
568-6720-1
568-6720-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 250V 360MA SOT89-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 360mA(Tj) 1.6W(Ta) TO-243AA(SOT-89)
型号:
DN3525N8-G
仓库库存编号:
DN3525N8-GCT-ND
别名:DN3525N8-GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.2A(Ta) 3.1W(Ta),69W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD3860
仓库库存编号:
FDD3860CT-ND
别名:FDD3860CT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS8842NZ
仓库库存编号:
FDS8842NZCT-ND
别名:FDS8842NZCT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 70W(Tc) D-Pak
型号:
STD15NF10T4
仓库库存编号:
497-7958-1-ND
别名:497-7958-1
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 179W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN1R2-25YLC,115
仓库库存编号:
1727-5294-1-ND
别名:1727-5294-1
568-6722-1
568-6722-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 11A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Ta),40A(Tc) 52W(Ta) TO-252
型号:
FDD6685
仓库库存编号:
FDD6685CT-ND
别名:FDD6685CT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 74A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 74A(Tc) 158W(Tc) DPAK
型号:
BUK6211-75C,118
仓库库存编号:
1727-5504-1-ND
别名:1727-5504-1
568-6982-1
568-6982-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.2A(Ta) 1.14W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3440DV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3440DV-T1-E3CT-ND
别名:SI3440DV-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.8A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9310TRPBF
仓库库存编号:
IRFR9310TRPBFCT-ND
别名:*IRFR9310TRPBF
IRFR9310PBFCT
IRFR9310PBFCT-ND
IRFR9310TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 97A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta),97A(Tc) 3.1W(Ta) 8-SON
型号:
CSD16322Q5C
仓库库存编号:
296-25644-1-ND
别名:296-25644-1
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 35A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7101DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7101DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7101DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 40V 6.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.6A(Ta) 2.15W(Ta) TO-252-3
型号:
ZXMP4A16KTC
仓库库存编号:
ZXMP4A16KTCCT-ND
别名:ZXMP4A16KTCCT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 13.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS4465
仓库库存编号:
FDS4465CT-ND
别名:FDS4465CT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZXMN6A09GTA
仓库库存编号:
ZXMN6A09GCT-ND
别名:ZXMN6A09GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N100TM
仓库库存编号:
FQD2N100TMCT-ND
别名:FQD2N100TMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7820DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7820DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7820DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.6A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7414DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7414DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7414DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.6A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7414DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7414DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7414DN-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 40V 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Ta),100A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD18503Q5A
仓库库存编号:
296-30571-1-ND
别名:296-30571-1
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 130W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN012-100YS,115
仓库库存编号:
1727-4289-1-ND
别名:1727-4289-1
568-4978-1
568-4978-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 11A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS4672A
仓库库存编号:
FDS4672ACT-ND
别名:FDS4672ACT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 272W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN1R0-30YLC,115
仓库库存编号:
1727-5293-1-ND
别名:1727-5293-1
568-6721-1
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产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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