产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 121W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN1R2-25YL,115
仓库库存编号:
1727-4277-1-ND
别名:1727-4277-1
568-4909-1
568-4909-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 30V 71A DFN5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 71A(Ta),200A(Tc) 7.3W(Ta),83W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6500
仓库库存编号:
785-1420-1-ND
别名:785-1420-1
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ488EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ488EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ488EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 18.5A(Ta) 88W(Tc) D2PAK
型号:
NTB5605PT4G
仓库库存编号:
NTB5605PT4GOSCT-ND
别名:NTB5605PT4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.7A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4401BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4401BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4401BDY-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.7A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
SI4896DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4896DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4896DY-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
STD30NF03LT4
仓库库存编号:
497-3157-1-ND
别名:497-3157-1
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 4.4A 8MLP
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.4A(Ta),15A(Tc) 2.3W(Ta),40W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)
型号:
FDMC86139P
仓库库存编号:
FDMC86139PCT-ND
别名:FDMC86139PCT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 35A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7615DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7615DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7615DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Ta),100A(Tc) 3.1W(Ta),156W(Tc) 8-VSONP(5x6)
型号:
CSD18531Q5A
仓库库存编号:
296-30573-1-ND
别名:296-30573-1
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 100A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Ta) 3.2W(Ta),116W(Tc) 8-SON(5x6)
型号:
CSD18563Q5A
仓库库存编号:
296-36511-1-ND
别名:296-36511-1
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 10A 8-SO
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6575
仓库库存编号:
FDS6575CT-ND
别名:FDS6575CT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.2A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7850DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7850DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7850DP-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 13.2A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7113DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7113DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7113DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 58W(Tc) DPAK
型号:
STD45P4LLF6AG
仓库库存编号:
497-15965-1-ND
别名:497-15965-1
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.7A(Tc) 50W(Tc) DPAK
型号:
IRFR9214TRPBF
仓库库存编号:
IRFR9214TRPBFCT-ND
别名:IRFR9214TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.7A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7456DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7456DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7456DP-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.7A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7456DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7456DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7456DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4421DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4421DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4421DY-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 15A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 2.7W(Ta),62W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD15N15-95-E3
仓库库存编号:
SUD15N15-95-E3CT-ND
别名:SUD15N15-95-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Ta) 3.2W(Ta),195W(Tc) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD17573Q5B
仓库库存编号:
296-39836-1-ND
别名:296-39836-1
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 89W(Tc) D-Pak
型号:
FDD18N20LZ
仓库库存编号:
FDD18N20LZCT-ND
别名:FDD18N20LZCT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12.4A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 12.4A(Ta),60A(Tc) 2.5W(Ta),104W(Tc) Power56
型号:
FDMS86101
仓库库存编号:
FDMS86101CT-ND
别名:FDMS86101CT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 30A 5LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta) 15W(Tc) LFPAK
型号:
HAT2168H-EL-E
仓库库存编号:
HAT2168H-EL-ECT-ND
别名:HAT2168H-EL-ECT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.9A(Tc) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS2572
仓库库存编号:
FDS2572CT-ND
别名:FDS2572CT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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