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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.4A（Tc） 3.13W（Ta），158W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB5N90TM
  仓库库存编号：FQB5N90TMCT-ND
  别名：FQB5N90TMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50N06-09L-E3
  仓库库存编号：SUD50N06-09L-E3CT-ND
  别名：SUD50N06-09L-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR470DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR470DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR470DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 48A（Tc） 100W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：NDB6060L
  仓库库存编号：NDB6060LCT-ND
  别名：NDB6060LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 19A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），80A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS86300
  仓库库存编号：FDMS86300CT-ND
  别名：FDMS86300CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 260A（Tc） 960mW（Ta）, 170W（Tc） 8-DSOP Advance
  
  型号：TPW1R306PL,L1Q
  仓库库存编号：TPW1R306PLL1QCT-ND
  别名：TPW1R306PLL1QCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 30A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ461EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ461EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ461EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 50A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 3W（Ta），100W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50P04-15-E3
  仓库库存编号：SUD50P04-15-E3CT-ND
  别名：SUD50P04-15-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR826DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR826DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR826DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 32A（Tc） 100W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ469EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ469EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ469EP-T1-GE3CT
  SQJ469EP-T1-GE3CT-ND
  SQJ469EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 42.8W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD12NF06L-1
  仓库库存编号：497-6730-5-ND
  别名：497-6730-5
  STD12NF06L-1-ND
  STD12NF06L1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 2.8A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Ta），14A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS2734
  仓库库存编号：FDMS2734CT-ND
  别名：FDMS2734CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），69W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7790DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7790DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7790DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 20A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 156W（Tc） 5-DFN（8x8）
  
  型号：TK20V60W5,LVQ
  仓库库存编号：TK20V60W5LVQCT-ND
  别名：TK20V60W5LVQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 52A（Tc） 357W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB52N20TM
  仓库库存编号：FDB52N20TMCT-ND
  别名：FDB52N20TMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），80A（Tc） 242W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB5800
  仓库库存编号：FDB5800CT-ND
  别名：FDB5800CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 100V 16A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），60A（Tc） 2.7W（Ta），156W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS86150
  仓库库存编号：FDMS86150CT-ND
  别名：FDMS86150CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 60A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 3.75W（Ta），150W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM60N10-17-E3
  仓库库存编号：SUM60N10-17-E3CT-ND
  别名：SUM60N10-17-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 30A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP36NF06L
  仓库库存编号：497-7522-5-ND
  别名：497-7522-5
  STP36NF06L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 115W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB10NK60ZT4
  仓库库存编号：497-6544-1-ND
  别名：497-6544-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP4NK80Z
  仓库库存编号：497-3192-5-ND
  别名：497-3192-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100A（Ta） 90W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP304-TL-H
  仓库库存编号：ATP304-TL-HOSCT-ND
  别名：ATP304-TL-HOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.1W（Ta），195W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD18509Q5BT
  仓库库存编号：296-37962-1-ND
  别名：296-37962-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF840PBF
  仓库库存编号：IRF840PBF-ND
  别名：*IRF840PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 60A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP65NF06
  仓库库存编号：497-7529-5-ND
  别名：497-7529-5
  STP65NF06-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：技术 MOSFET（金属氧化物）,
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