产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 47A(Tc) 3.75W(Ta),160W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB47P06TM_AM002
仓库库存编号:
FQB47P06TM_AM002CT-ND
别名:FQB47P06TM_AM002CT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF640PBF
仓库库存编号:
IRF640PBF-ND
别名:*IRF640PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 2A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 20W(Tc) TO-220FP
型号:
STF2N95K5
仓库库存编号:
497-14271-5-ND
别名:497-14271-5
STF2N95K5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7174DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7174DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7174DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7192DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7192DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7192DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 33A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 33A(Tc) 37W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF33N25T
仓库库存编号:
FDPF33N25T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 140A PWRFLAT5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 140A(Tc) 80W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL140N4LLF5
仓库库存编号:
497-10879-1-ND
别名:497-10879-1
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF740PBF
仓库库存编号:
IRF740PBF-ND
别名:*IRF740PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ44PBF
仓库库存编号:
IRFZ44PBF-ND
别名:*IRFZ44PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 357W(Tc) D2PAK
型号:
BUK962R5-60E,118
仓库库存编号:
1727-7136-1-ND
别名:1727-7136-1
568-9569-1
568-9569-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 44A(Tc) 307W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB44N25TM
仓库库存编号:
FDB44N25TMCT-ND
别名:FDB44N25TMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL640A
仓库库存编号:
IRL640A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Ta) 3.2W(Ta),195W(Tc) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD16570Q5BT
仓库库存编号:
296-38335-1-ND
别名:296-38335-1
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.5A(Ta),60A(Tc) 3.2W(Ta),125W(Tc) Dual Cool?56
型号:
FDMS86101DC
仓库库存编号:
FDMS86101DCCT-ND
别名:FDMS86101DCCT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 28A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF540PBF
仓库库存编号:
IRF540PBF-ND
别名:*IRF540PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 55A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55A(Tc) 3.75W(Ta),125W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM55P06-19L-E3
仓库库存编号:
SUM55P06-19L-E3CT-ND
别名:SUM55P06-19L-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 110A(Tc) 3.75W(Ta),375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM110P06-07L-E3
仓库库存编号:
SUM110P06-07L-E3CT-ND
别名:SUM110P06-07L-E3-ND
SUM110P06-07L-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 18A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta),140A(Tc) 2.1W(Ta),500W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB290L
仓库库存编号:
785-1329-1-ND
别名:785-1329-1
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 28A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL540PBF
仓库库存编号:
IRL540PBF-ND
别名:*IRL540PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Ta),120A(Tc) 300W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB8441
仓库库存编号:
FDB8441CT-ND
别名:FDB8441CT
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 800V 6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 110W(Tc) DPAK
型号:
STD8N80K5
仓库库存编号:
497-13643-1-ND
别名:497-13643-1
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 24A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 24A(Tc) 60W(Tc) TO-220
型号:
NDP6020P
仓库库存编号:
NDP6020P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 100A F7 TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 125W(Tc) TO-220
型号:
STP100N6F7
仓库库存编号:
497-15888-5-ND
别名:497-15888-5
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 3.75W(Ta),375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM110N10-09-E3
仓库库存编号:
SUM110N10-09-E3CT-ND
别名:SUM110N10-09-E3-ND
SUM110N10-09-E3CT
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
STP75NF75
仓库库存编号:
497-2788-5-ND
别名:497-2788-5
产品分类:分立半导体产品,规格:技术 MOSFET(金属氧化物),
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