产品分类:分立半导体产品,规格:栅极电荷 60nC,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Microsemi Corporation
IGBT 900V 43A 250W TO247
详细描述:IGBT PT 900V 43A 250W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT15GP90BDQ1G
仓库库存编号:
APT15GP90BDQ1G-ND
别名:APT15GP90BDQ1GMI
APT15GP90BDQ1GMI-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:栅极电荷 60nC,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
N-CH / 7A 600V SMPS 1 IGBT
详细描述:IGBT Through Hole TO-220-3
型号:
HGTP7N60A4_F102
仓库库存编号:
HGTP7N60A4_F102-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:栅极电荷 60nC,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 900V 43A 250W TO247
详细描述:IGBT PT 900V 43A 250W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT15GP90BG
仓库库存编号:
APT15GP90BG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:栅极电荷 60nC,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 900V 43A 250W TO220
详细描述:IGBT PT 900V 43A 250W Through Hole TO-220 [K]
型号:
APT15GP90KG
仓库库存编号:
APT15GP90KG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:栅极电荷 60nC,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IGBT 600V 35A 113W LDPAK
详细描述:IGBT Trench 600V 35A 113W Surface Mount 4-LDPAK
型号:
RJH60M3DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJH60M3DPE-00#J3CT-ND
别名:RJH60M3DPE-00#J3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:栅极电荷 60nC,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IGBT 600V 35A 113W LDPAK
详细描述:IGBT Trench 600V 35A 113W Surface Mount 4-LDPAK
型号:
RJH60V3BDPE-00#J3
仓库库存编号:
RJH60V3BDPE-00#J3CT-ND
别名:RJH60V3BDPE-00#J3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:栅极电荷 60nC,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IGBT 600V 35A 39.7W TO-220FL
详细描述:IGBT Trench 600V 35A 39.7W Through Hole TO-220FL
型号:
RJH60M3DPP-M0#T2
仓库库存编号:
RJH60M3DPP-M0#T2-ND
别名:RJH60M3DPPM0T2
产品分类:分立半导体产品,规格:栅极电荷 60nC,
无铅
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